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浙江大学硕士学位论文UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜姓名：崔继峰申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：叶志镇20040101UHV／CVD外延生长…薄琏及锗硅单晶薄膜摘要本文利用超高真空化学气相沉积（UHV／CVD）技术，在低温生长环境（500．660。
碳化硅外延材料生长及表征技术研究.本文对同质外延碳化硅单晶材料的生长机理和生长层的表征方法进行了研究。.研究了n型4H－SiC当磁场平行于生长轴且电场垂直于生长轴时霍尔迁移率随温度变化的关系；在生长机理的研究方面，主要对在碳化硅衬底材料上...
碳化硅外延材料生长及表征技术研究.pdf,--优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文的提供参考！
论文最后研究了选择性外延锗化硅籽晶层的生长.随着技术越来越先进,锗的含量也随着提高.同时在锗化硅中掺入硼元素,减少热预算.这两个发展方向都离不开锗化硅籽晶层的生长.本文研究了如何生长质量均匀的籽晶层,使它既能阻挡硼的扩散,又能很好的衔接锗硅硼的
虽然生长出的外延层依然存在少量裂纹，但是相比GaN在硅衬底大面积生长方式（未采用缓冲层和图形化衬底），位错密度显著减小了[72,94]原位掩膜技术和各种应变缓冲层技术结合起来使用可以在硅衬底生长无裂纹高质量的GaN外延层[45,63-66]，但是
锗硅外延工艺的调试与优化.pdf,目录摘要Abstract引日第一章导论1．1HBTSiGe技术发展一81-2锗硅外延的性质101．2．1锗硅的晶体结构101．2．2应变与弛豫1l1．2．3临界膜厚131．2．4器件用锗硅的基本结构141．3SiGe生长技术16...
对外延生长的硅薄膜进行XRD测试，但只在69度附近出现一个强峰，而且强峰还成了两个峰，这个位置倒是在（400）对应的峰位附近。其他位置基本看不到峰，虽然查到一些说法说这是择优取向造成其他峰看不到，但JADE检索直接说...
UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜.崔继峰.【摘要】：本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。.主要包括锗硅单层和多层结构外延过程生长特性及表征，以及生长机理的研究。.使用...
半导体材料外延生长.ppt,第五章硅外延生长electrodeTATAUI2IQeoLsop-typeZno:PtypeZno:P5.1外延生长概述只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需要,1959年末开发了薄层单晶材料生长技术一一外延生长外延生长就是在...
二维单晶六方氮化硼的外延及其生长机理研究：中国科学院物理研究所博士后王理、北京大学物理学院博士后徐小志、北京大学物理学院博士生乔瑞喜，蔚山国立科技大学张磊宁为论文共同第一作者；北京大学物理学院教授刘开辉，基础科学研究所研究员丁峰、苏黎世联邦理工学院王...
浙江大学硕士学位论文UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜姓名：崔继峰申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：叶志镇20040101UHV／CVD外延生长…薄琏及锗硅单晶薄膜摘要本文利用超高真空化学气相沉积（UHV／CVD）技术，在低温生长环境（500．660。
碳化硅外延材料生长及表征技术研究.本文对同质外延碳化硅单晶材料的生长机理和生长层的表征方法进行了研究。.研究了n型4H－SiC当磁场平行于生长轴且电场垂直于生长轴时霍尔迁移率随温度变化的关系；在生长机理的研究方面，主要对在碳化硅衬底材料上...
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虽然生长出的外延层依然存在少量裂纹，但是相比GaN在硅衬底大面积生长方式（未采用缓冲层和图形化衬底），位错密度显著减小了[72,94]原位掩膜技术和各种应变缓冲层技术结合起来使用可以在硅衬底生长无裂纹高质量的GaN外延层[45,63-66]，但是
锗硅外延工艺的调试与优化.pdf,目录摘要Abstract引日第一章导论1．1HBTSiGe技术发展一81-2锗硅外延的性质101．2．1锗硅的晶体结构101．2．2应变与弛豫1l1．2．3临界膜厚131．2．4器件用锗硅的基本结构141．3SiGe生长技术16...
对外延生长的硅薄膜进行XRD测试，但只在69度附近出现一个强峰，而且强峰还成了两个峰，这个位置倒是在（400）对应的峰位附近。其他位置基本看不到峰，虽然查到一些说法说这是择优取向造成其他峰看不到，但JADE检索直接说...
UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜.崔继峰.【摘要】：本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。.主要包括锗硅单层和多层结构外延过程生长特性及表征，以及生长机理的研究。.使用...
半导体材料外延生长.ppt,第五章硅外延生长electrodeTATAUI2IQeoLsop-typeZno:PtypeZno:P5.1外延生长概述只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需要,1959年末开发了薄层单晶材料生长技术一一外延生长外延生长就是在...
二维单晶六方氮化硼的外延及其生长机理研究：中国科学院物理研究所博士后王理、北京大学物理学院博士后徐小志、北京大学物理学院博士生乔瑞喜，蔚山国立科技大学张磊宁为论文共同第一作者；北京大学物理学院教授刘开辉，基础科学研究所研究员丁峰、苏黎世联邦理工学院王...
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