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基于横向外延生长的GaNLED特性研究文献类型：学位论文作者王良吉学位类别博士答辩日期2010授予单位中国科学院研究生院授予地点北京导师杨辉学位专业微电子学与固体电子学英文摘要Submittedby阎军(yanj@red.semi.ac)on2010-06...
博士学位论文Si衬底GaN基LED外延材料的生长与芯片李国强教授材料科学与工程论文提交日期2017EpitaxialgrowthGaN-basedLEDfilmSisubstrateitschipfabricationDissertationSubmittedPhilosophyCandidate：LinYunhaoSupervisor：Prof...
硕士论文：GaN基LED外延生长工艺的研究.GaN基发光二极管一经问世，由于其具有节能、环保、响应速度快、体积小等突出优点广泛应用于各个领域，同时其可靠性问题也引起了人们极大的关注。.本文通过MOCVD外延生长进行了一系列的实验，对GaN基LED发光亮度和ESD...
高亮度AlGaInP+LED理论分析与外延生长研究.北京工业大学硕士学位论文高亮度AlGaInPLED理论分析与外延生长研究姓名：宋小伟申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：李建军20080501摘要LED（Li曲teremittingDiode发光二极管）已经有30多年的发展...
中山大学博士学位论文硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长姓名：招瑜申请学位级别：博士专业：光学指导教师：王钢20100430中山大学博士学位论文论文题目：硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长专业：光学博士生：招瑜指导教师：王钢（教授）近年来，作为固体照明的LED光源…
如何生长高质量的GaN基LED外延材料和高性能的LED芯片依然是Si衬底上LED技术的研究方向。为此,本论文围绕Si衬底上高质量GaN基LED外延材料的生长以及芯片的展开,取得的主要成果如下:首先,提出了两步法生长AlN缓冲层,解决了“回熔刻蚀”的问题;并采用步进式AlGaN缓冲层,抑制了GaN表面裂纹...
为此,本论文提出采用低温外延结合高温外延的两步法来克服上述两大难题,全文围绕Si衬底上高质量GaN基LED外延材料的两步法生长展开,对两步法的外延生长机理、界面反应抑制作用以及晶体缺陷控制机制等理论进行深入研究,取得的主要成果如下:第一,利用脉冲...
本论文通过Vecco和Aixtron公司生产的MOCVD系统,研究了在Al2O3和SiC衬底上Ⅲ族氮化物材料的外延生长机理。通过设计并优化外延片多层结构,生长出高质量、高性能的Ⅲ族氮化物外延结构。对GaN基LED外延的生长工艺以及芯片的物理性质进行了研究。
高In组分氮化镓基LED结构设计与生长工艺研究.周泉斌.【摘要】：采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信等领域也具有良好的应用前景。.但是InGaN材料难于制成高效...
北京工业大学硕士学位论文倒装红光LED结构优化与外延生长姓名：丁亮申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：沈光地20090501摘要20世纪90年代初，随着红、橙、黄色A1GaInP高亮度LED（LighteremittingDiode发光二极管）的实用化，揭开了LED发展新篇章。
基于横向外延生长的GaNLED特性研究文献类型：学位论文作者王良吉学位类别博士答辩日期2010授予单位中国科学院研究生院授予地点北京导师杨辉学位专业微电子学与固体电子学英文摘要Submittedby阎军(yanj@red.semi.ac)on2010-06...
博士学位论文Si衬底GaN基LED外延材料的生长与芯片李国强教授材料科学与工程论文提交日期2017EpitaxialgrowthGaN-basedLEDfilmSisubstrateitschipfabricationDissertationSubmittedPhilosophyCandidate：LinYunhaoSupervisor：Prof...
硕士论文：GaN基LED外延生长工艺的研究.GaN基发光二极管一经问世，由于其具有节能、环保、响应速度快、体积小等突出优点广泛应用于各个领域，同时其可靠性问题也引起了人们极大的关注。.本文通过MOCVD外延生长进行了一系列的实验，对GaN基LED发光亮度和ESD...
高亮度AlGaInP+LED理论分析与外延生长研究.北京工业大学硕士学位论文高亮度AlGaInPLED理论分析与外延生长研究姓名：宋小伟申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：李建军20080501摘要LED（Li曲teremittingDiode发光二极管）已经有30多年的发展...
中山大学博士学位论文硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长姓名：招瑜申请学位级别：博士专业：光学指导教师：王钢20100430中山大学博士学位论文论文题目：硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长专业：光学博士生：招瑜指导教师：王钢（教授）近年来，作为固体照明的LED光源…
如何生长高质量的GaN基LED外延材料和高性能的LED芯片依然是Si衬底上LED技术的研究方向。为此,本论文围绕Si衬底上高质量GaN基LED外延材料的生长以及芯片的展开,取得的主要成果如下:首先,提出了两步法生长AlN缓冲层,解决了“回熔刻蚀”的问题;并采用步进式AlGaN缓冲层,抑制了GaN表面裂纹...
为此,本论文提出采用低温外延结合高温外延的两步法来克服上述两大难题,全文围绕Si衬底上高质量GaN基LED外延材料的两步法生长展开,对两步法的外延生长机理、界面反应抑制作用以及晶体缺陷控制机制等理论进行深入研究,取得的主要成果如下:第一,利用脉冲...
本论文通过Vecco和Aixtron公司生产的MOCVD系统,研究了在Al2O3和SiC衬底上Ⅲ族氮化物材料的外延生长机理。通过设计并优化外延片多层结构,生长出高质量、高性能的Ⅲ族氮化物外延结构。对GaN基LED外延的生长工艺以及芯片的物理性质进行了研究。
高In组分氮化镓基LED结构设计与生长工艺研究.周泉斌.【摘要】：采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信等领域也具有良好的应用前景。.但是InGaN材料难于制成高效...
北京工业大学硕士学位论文倒装红光LED结构优化与外延生长姓名：丁亮申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：沈光地20090501摘要20世纪90年代初，随着红、橙、黄色A1GaInP高亮度LED（LighteremittingDiode发光二极管）的实用化，揭开了LED发展新篇章。
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