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液/固态源扩散对晶硅材料掺杂的研究.杨楠楠.【摘要】：对于硅的n型和p型掺杂,在太阳电池的过程中占有非常重要的位置,本文分别以加入二氧化硅纳米球的硼酸、磷酸以及硼纸为源对硅片进行掺杂研究,并取得了优异的性能。.为了提高B扩散掺杂的性能...
3.研究了300mm掺氮直拉硅片的空洞型缺陷的消除技术。通过研究硅片流动图形花样缺陷(FPD)的密度随高温热处理演变的情况,揭示了空洞型缺陷在高温下的消除情况。研究表明:在常规热退火处理时,在氩气保护气氛下1200℃处理4h可以显著地消除空洞型缺陷。
掺杂的方式有热扩散和离子注入.PPT,微电子制造技术第17章掺杂概述本征硅的导电性能很差，是不能直接用于芯片制造的，只有在硅中加入一定的杂质，使电导率发生明显变化时，硅才可以用于半导体制造。在硅中加入杂质的过程称为掺杂。
1徐艳月;张世斌;刁宏伟;王永谦;廖显伯;;氢稀释和频率对非晶硅沉积速率的影响[A];中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集[C];2001年2张红娟;吴存宏;汪燕萍;金友华;任兆杏;;非晶硅薄膜太阳能电池技术进展[A];TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2007年
晶体硅太阳能电池片的生产流程.制绒，是指处理硅片的一种工艺方法，利用硅的各向异性腐蚀特性，使用腐蚀液在硅片表面刻出类似于金字塔或者是蜂窝状的结构。.制绒按硅原料的不同可分为单晶制绒与多晶制绒，按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒...
纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术07光电姓名：肖志彬学号：0715222027摘要：综述了集成电路（IC）中纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术，包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等...
这两种技术成膜质量虽好，但难以形成产业化技术。热丝CVD技术也是较有希望的优质薄膜硅的高速技术。4.4非晶硅太阳电池的未来发展4.4.1现有a-Si太阳电池产业的市场开发非晶硅太阳电池无论在学术上还是在产业上都已取得巨大的成功。
1蔡珣;王振国;;透明导电薄膜材料的研究与发展趋势[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年2纪建超;颜悦;沈玫;张崇智;;透明导电薄膜涂层系统的研究[A];2005'全国真空冶金与表面工程学术会议论文集[C];2005年3蔡殉;;透明导电薄膜的研究进展[A];第十三届中国小电机技术研讨会论文集...
半导体行业深度报告：半导体硅片行业全攻略.市场认为国内硅晶圆会过度投资，我们认为国内硅晶圆产业起点低、起步晚，且长晶技术是决定硅片参数的核心环节，主要体现在炉内温度的热场和控制晶体形状的磁场设计能力。.硅抛光晶圆的主要技术指标包括...
技术壁垒：硅片的技术指标比较大，除去常见的尺寸大小，抛光片厚度等等外，还有硅片的翘曲度，电阻率，弯曲度等等。在主流的300mm硅片方面，由于先进制程对于硅片的均匀性要求较高，所以相对于200mm晶圆，增加了平整度，翘曲度，弯曲度，表面金属残余量等等参数来监测300mm硅片的质量…
液/固态源扩散对晶硅材料掺杂的研究.杨楠楠.【摘要】：对于硅的n型和p型掺杂,在太阳电池的过程中占有非常重要的位置,本文分别以加入二氧化硅纳米球的硼酸、磷酸以及硼纸为源对硅片进行掺杂研究,并取得了优异的性能。.为了提高B扩散掺杂的性能...
3.研究了300mm掺氮直拉硅片的空洞型缺陷的消除技术。通过研究硅片流动图形花样缺陷(FPD)的密度随高温热处理演变的情况,揭示了空洞型缺陷在高温下的消除情况。研究表明:在常规热退火处理时,在氩气保护气氛下1200℃处理4h可以显著地消除空洞型缺陷。
掺杂的方式有热扩散和离子注入.PPT,微电子制造技术第17章掺杂概述本征硅的导电性能很差，是不能直接用于芯片制造的，只有在硅中加入一定的杂质，使电导率发生明显变化时，硅才可以用于半导体制造。在硅中加入杂质的过程称为掺杂。
1徐艳月;张世斌;刁宏伟;王永谦;廖显伯;;氢稀释和频率对非晶硅沉积速率的影响[A];中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集[C];2001年2张红娟;吴存宏;汪燕萍;金友华;任兆杏;;非晶硅薄膜太阳能电池技术进展[A];TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2007年
晶体硅太阳能电池片的生产流程.制绒，是指处理硅片的一种工艺方法，利用硅的各向异性腐蚀特性，使用腐蚀液在硅片表面刻出类似于金字塔或者是蜂窝状的结构。.制绒按硅原料的不同可分为单晶制绒与多晶制绒，按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒...
纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术07光电姓名：肖志彬学号：0715222027摘要：综述了集成电路（IC）中纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术，包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等...
这两种技术成膜质量虽好，但难以形成产业化技术。热丝CVD技术也是较有希望的优质薄膜硅的高速技术。4.4非晶硅太阳电池的未来发展4.4.1现有a-Si太阳电池产业的市场开发非晶硅太阳电池无论在学术上还是在产业上都已取得巨大的成功。
1蔡珣;王振国;;透明导电薄膜材料的研究与发展趋势[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年2纪建超;颜悦;沈玫;张崇智;;透明导电薄膜涂层系统的研究[A];2005'全国真空冶金与表面工程学术会议论文集[C];2005年3蔡殉;;透明导电薄膜的研究进展[A];第十三届中国小电机技术研讨会论文集...
半导体行业深度报告：半导体硅片行业全攻略.市场认为国内硅晶圆会过度投资，我们认为国内硅晶圆产业起点低、起步晚，且长晶技术是决定硅片参数的核心环节，主要体现在炉内温度的热场和控制晶体形状的磁场设计能力。.硅抛光晶圆的主要技术指标包括...
技术壁垒：硅片的技术指标比较大，除去常见的尺寸大小，抛光片厚度等等外，还有硅片的翘曲度，电阻率，弯曲度等等。在主流的300mm硅片方面，由于先进制程对于硅片的均匀性要求较高，所以相对于200mm晶圆，增加了平整度，翘曲度，弯曲度，表面金属残余量等等参数来监测300mm硅片的质量…
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