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硅纳米线的技术及应用研究新进展【精品论文】CHEMICALINDUSTRYENGINEERINGPROGRESS2010年第29（重庆大学化学化工学院，重庆400044）要：综述了硅纳米线技术的最新进展，系统介绍了激光烧蚀法、化学气相沉积法、热蒸发...
2009届研究生硕士学位论文学校代码：10269学号：51061202018桂纳米线的及其在传感器应用方面的研究院系：.信息科学技术学院电子系专业：.微电子学与固体电子学研究方向：.传感器得力文库网
多层硅纳米线阵列的转移及SERS、光电应用-无机化学专业论文.docx,多层硅纳米线阵列的转移及SER多层硅纳米线阵列的转移及SERS、光电应用中文摘要中文摘要硅纳米线阵列（siliconnanowires,SiNWs）作为一维半导体纳米材料的...
山东大学硕士学位论文硅纳米线阵列的及性能研究姓名：马珊申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：尹龙卫20110516摘要硅材料的禁带宽度较窄，为间接带隙半导体，发光效率很低。
本论文将主要研究基于硅纳米线波导的波分复用器件：阵列波导光栅(AWG)。.首先介绍了硅纳米线波导中光传输的基本性质以及其制作工艺流程。.由于硅芯层(nsi=3.48@1550nnm)和二氧化硅(nsio2=1.45)包层之间的高折射率差,使得光场被强限制在波导中,光在波导中传输...
围栅硅纳米线器件因为良好的栅控能力、抗涨落特性、制造工艺与传统CMOS工艺的兼容性，使其在小尺寸器件上具有很大的应用潜力。本文将从基于围栅硅纳米线器件的SRAM的性能上进行展开，探索其应用于低功耗电路的潜力。
专题论文1.硅基III-V三元纳米线的生长、表征与器件应用过去的几十年中，在电子、光电子和能量采集领域，可用于尖端技术的材料增长十分显著。在各种材料中，Ⅲ-V族半导体由于其优异的光学性能和高的载流子迁移率而受到广泛关注。然而...
硅纳米线及硅纳米线结构太阳能电池的研究.pdf,摘要摘要硅纳米线作为一种低维的硅材料，有着与体硅或者薄膜硅不同的特性。例如，几纳米量级的硅纳米线，由于其尺寸上的量子限制效应，使得硅纳米线呈现出直接带隙材料的性质，大大提高了硅材料的发光特性及光吸收能力，让硅材料在光学...
1）硅纳米线电了传输特性半导体的电子传输特性是其在电予器件中应用的一个尤为重要的参数。.哈佛大学Lieber小组分别对硼、磷掺杂的硅纳米线的电学性质进行测量119]，结果表明．通硅锗纳米线和纳米石墨烯的可控生长及物性研究过对零栅极电压I．V曲线...
Angew：低温高效低成本！.三元熔融盐电解硅纳米线.硅不仅在微电子领域具有广泛的应用与研究，在化工和冶金工业中也扮演着十分重要的角色。.目前，工业上大规模硅的方法主要是采用二氧化硅通过碳热反应在1700℃的高温下进行，但在的过程中...
硅纳米线的技术及应用研究新进展【精品论文】CHEMICALINDUSTRYENGINEERINGPROGRESS2010年第29（重庆大学化学化工学院，重庆400044）要：综述了硅纳米线技术的最新进展，系统介绍了激光烧蚀法、化学气相沉积法、热蒸发...
2009届研究生硕士学位论文学校代码：10269学号：51061202018桂纳米线的及其在传感器应用方面的研究院系：.信息科学技术学院电子系专业：.微电子学与固体电子学研究方向：.传感器得力文库网
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山东大学硕士学位论文硅纳米线阵列的及性能研究姓名：马珊申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：尹龙卫20110516摘要硅材料的禁带宽度较窄，为间接带隙半导体，发光效率很低。
本论文将主要研究基于硅纳米线波导的波分复用器件：阵列波导光栅(AWG)。.首先介绍了硅纳米线波导中光传输的基本性质以及其制作工艺流程。.由于硅芯层(nsi=3.48@1550nnm)和二氧化硅(nsio2=1.45)包层之间的高折射率差,使得光场被强限制在波导中,光在波导中传输...
围栅硅纳米线器件因为良好的栅控能力、抗涨落特性、制造工艺与传统CMOS工艺的兼容性，使其在小尺寸器件上具有很大的应用潜力。本文将从基于围栅硅纳米线器件的SRAM的性能上进行展开，探索其应用于低功耗电路的潜力。
专题论文1.硅基III-V三元纳米线的生长、表征与器件应用过去的几十年中，在电子、光电子和能量采集领域，可用于尖端技术的材料增长十分显著。在各种材料中，Ⅲ-V族半导体由于其优异的光学性能和高的载流子迁移率而受到广泛关注。然而...
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