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山东大学硕士学位论文硅纳米线阵列的及性能研究姓名：马珊申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：尹龙卫20110516摘要硅材料的禁带宽度较窄，为间接带隙半导体，发光效率很低。
【摘要】：在过去的二十年里,纳米线作为一种很重要的一维材料吸引了广泛的研究兴趣,特别是近十年来,研究纳米线的文章数呈指数增加。半导体纳米线呈现出独特的电学、光学和力学等性质,在基础科学和纳米技术应用方面有重要的研究价值。硅纳米线由于具有与现代硅技术良好的兼容性,成为最...
【摘要】：硅纳米线(SiNWs)由于具有独特的一维结构、热电导率、光电性质、电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池等领域。金属辅助化学刻蚀法(MACE)是SiNWs的常用方法之一,具有操作简便、设备简单、成本低廉和高效等优点,可大规模商业化...
摘要摘要由于半导体纳米线具有许多与体材料完全不同的优异特性，因此它在微电子器件领域产生了越来越大的影响。本文基于第一性原理计算软件CASTEP主要研究了硅纳米线、锗纳米线及硅／锗核壳结构异质结纳米线，在理论层次上对其电子特性进行探索性研究，为今后纳米级器件的研制提供…
本论文将主要研究基于硅纳米线波导的波分复用器件：阵列波导光栅(AWG)。.首先介绍了硅纳米线波导中光传输的基本性质以及其制作工艺流程。.由于硅芯层(nsi=3.48@1550nnm)和二氧化硅(nsio2=1.45)包层之间的高折射率差,使得光场被强限制在波导中,光在波导中传输...
硅纳米线及硅纳米管的水热法及其生长机理.陈扬文.【摘要】：准一维硅纳米材料——硅纳米线(SiNWs)、硅纳米管(SiNTs)是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应和小尺寸效应且能与目前的硅芯片技术相兼容,有望在纳米器件中得到广泛地应用。.由于硅...
硅纳米线及硅纳米线结构太阳能电池的研究.pdf,摘要摘要硅纳米线作为一种低维的硅材料，有着与体硅或者薄膜硅不同的特性。例如，几纳米量级的硅纳米线，由于其尺寸上的量子限制效应，使得硅纳米线呈现出直接带隙材料的性质，大大提高了硅材料的发光特性及光吸收能力，让硅材料在光学...
2009届研究生硕士学位论文学校代码：10269学号：51061202018桂纳米线的及其在传感器应用方面的研究院系：.信息科学技术学院电子系专业：.微电子学与固体电子学研究方向：.传感器得力文库网
北京大学硕士研究生学位论文第一章引言1．2围栅硅纳米线器件和静态随机存储器（SRAM）研究概述1．2．1围栅硅纳米线（GAA—SNWT）研究概述围栅硅纳米线晶体管（GAA．SNWT）是目前10纳米左右【5】晶体管的重要候选者，也是
一维硅纳米材料的和表征.余军.【摘要】：近年来,准一维纳米材料由于其优良的电学和光学性能以及在介观和纳米器件研究领域的巨大应用价值,引起了越来越多的研究和关注。.由于硅材料在半导体工业和微电子制造技术领域的重要地位以及其成熟的...
山东大学硕士学位论文硅纳米线阵列的及性能研究姓名：马珊申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：尹龙卫20110516摘要硅材料的禁带宽度较窄，为间接带隙半导体，发光效率很低。
【摘要】：在过去的二十年里,纳米线作为一种很重要的一维材料吸引了广泛的研究兴趣,特别是近十年来,研究纳米线的文章数呈指数增加。半导体纳米线呈现出独特的电学、光学和力学等性质,在基础科学和纳米技术应用方面有重要的研究价值。硅纳米线由于具有与现代硅技术良好的兼容性,成为最...
【摘要】：硅纳米线(SiNWs)由于具有独特的一维结构、热电导率、光电性质、电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池等领域。金属辅助化学刻蚀法(MACE)是SiNWs的常用方法之一,具有操作简便、设备简单、成本低廉和高效等优点,可大规模商业化...
摘要摘要由于半导体纳米线具有许多与体材料完全不同的优异特性，因此它在微电子器件领域产生了越来越大的影响。本文基于第一性原理计算软件CASTEP主要研究了硅纳米线、锗纳米线及硅／锗核壳结构异质结纳米线，在理论层次上对其电子特性进行探索性研究，为今后纳米级器件的研制提供…
本论文将主要研究基于硅纳米线波导的波分复用器件：阵列波导光栅(AWG)。.首先介绍了硅纳米线波导中光传输的基本性质以及其制作工艺流程。.由于硅芯层(nsi=3.48@1550nnm)和二氧化硅(nsio2=1.45)包层之间的高折射率差,使得光场被强限制在波导中,光在波导中传输...
硅纳米线及硅纳米管的水热法及其生长机理.陈扬文.【摘要】：准一维硅纳米材料——硅纳米线(SiNWs)、硅纳米管(SiNTs)是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应和小尺寸效应且能与目前的硅芯片技术相兼容,有望在纳米器件中得到广泛地应用。.由于硅...
硅纳米线及硅纳米线结构太阳能电池的研究.pdf,摘要摘要硅纳米线作为一种低维的硅材料，有着与体硅或者薄膜硅不同的特性。例如，几纳米量级的硅纳米线，由于其尺寸上的量子限制效应，使得硅纳米线呈现出直接带隙材料的性质，大大提高了硅材料的发光特性及光吸收能力，让硅材料在光学...
2009届研究生硕士学位论文学校代码：10269学号：51061202018桂纳米线的及其在传感器应用方面的研究院系：.信息科学技术学院电子系专业：.微电子学与固体电子学研究方向：.传感器得力文库网
北京大学硕士研究生学位论文第一章引言1．2围栅硅纳米线器件和静态随机存储器（SRAM）研究概述1．2．1围栅硅纳米线（GAA—SNWT）研究概述围栅硅纳米线晶体管（GAA．SNWT）是目前10纳米左右【5】晶体管的重要候选者，也是
一维硅纳米材料的和表征.余军.【摘要】：近年来,准一维纳米材料由于其优良的电学和光学性能以及在介观和纳米器件研究领域的巨大应用价值,引起了越来越多的研究和关注。.由于硅材料在半导体工业和微电子制造技术领域的重要地位以及其成熟的...
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