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通过分析铝线超声键合过程率、压力、时间等三个关键参数对键合焊点质量的影响，运用实验设计（DOE）方法，优化参数组合，总结出适合生产的最佳工艺参数窗口，解决了焊点剥离等可靠性失效问题。.最后对试件进行150。.C高温老化试验，观察2天、10天...
都需要键合铝丝产品继续创新发展，提高抗腐蚀能力以及焊接可靠性，以适应市场的发展。3.3市场展望受中美贸易摩擦国际局势及新冠疫情大气候的影响，2020年半导体经济下行趋势会更加明显，但随着国家应对战略的进一步实施，半导体产业压力和机遇必将并存，键合丝产业必将在机遇和挑战中...
第五章微电子芯片的失效分析江素华复旦大学材料科学系内容提要1.芯片结构及元器件工作原理2.芯片失效机理...当铝丝压焊在镀金层上,铝丝与金层的界面由于出现Kirkendall空洞,使得键合…
半导体技术990507半导体技术SemiconductorTechnology1999年第5期No.51999直接键合硅片的亲水处理及其表征何进陈星弼杨传仁王新摘要硅片直接键合SDB技术的关键在于硅片表面的亲水处理，本文分析了亲水处理之微观机理。从界表面...
234中国国防科技质量与可靠性高峰论坛论文集脱键隐患的特点和危害性在于它呈现一种避化的物理过程。只有这种隐患的键合点，有相当部分在初期符合国军标要求的键合强度，能通过国军标规定的各种试验考核，但随着时间的推移，键台强度逐渐降低，高温环境F键合强度退化的速度更火。
电子产品可靠性试验及失效分析(论文).doc,毕业设计报告（论文）报告（论文）题目：电子产品可靠性试验及失效分析作者所在系部：电子工程系作者所在专业：电子工艺与管理作者所在班级：10252作者姓名：作者学号：指导教师姓名：北华航天工业学院电子工程系毕业设计（论文...
内引线破坏性键合拉力试验失效类别及原因分析.pdf,技术专栏echnicalTColumn内引线破坏性键合拉力试验失效类别及原因分析122袁亦灵，李晓红，张丽巍（1.重庆大学光电工程学院，重庆400044；2.中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆...
收稿日期1999-07-12硅片清洗原理与方法综述刘传军赵权刘春香杨洪星电子四十六所,天津300220摘要对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。
硅铝丝引线键合可靠性分析-论文_图文强度、长期的金相稳定性和小的寄生参量...过对硅铝丝引线键合工艺技术的研究,分析影...键合、超声波键合与热压超声波键合。...引线键合技术发展及失效分析…
脑壳疼的电子封装中的可靠性问题，这篇文章讲绝了！.电子器件是一个非常复杂的系统，其封装过程的缺陷和失效也是非常复杂的。.因此，研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解，这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原因。.封装缺陷与...
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