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当尺寸减小到0．35微米时，硅化钨也不能满足器件需求时，硅化钛（TiSi。）被广泛应用。硅化钛通常是在自对准的金属硅化物（Salicide）的制程中形成的。首先用湿法刻蚀的方法在化学溶液内清洗晶圆表面去除污染物和微粒。
钛基复合材料中硅化物析出相研究,钛合金,硅化物,机械合金化,扩散偶。本论文通过机械合金化的方法,了过饱和的钛合金粉末,XRD分析了不同球磨时间的物相组成,发现钛的衍射峰有偏移、宽化、联...
合金元素Si在钛合金中作用研究进展_董飞.pdf,合金元素Si在钛合金中作用的研究进展董飞,何国强,张贵田(西北工业大学航天学院,陕西西安710012)摘要:综述了Si在钛合金中作用的文献成果。主要内容包括Si在钛合金中存在状态及Si对钛合金室温、高温性能的影响。
金属硅化物的熔点很高（高于2000℃），其在1600℃下具有很好的热稳定性、防氧化性以及良好的力学性能，近年来已成为高温材料研究的新热点，有代表性的产品如硅化镍（Nb5Si3）、硅化钛（Ti5Si3）、硅化锆（Zr5Si3）等。
65nm以下cmos镍硅化物中镍过度扩散的工艺优化.IIIIIIIIIIIIIIIY1972483在半导体制造业中，自对准金属硅化物被广泛应用在源、漏、栅极与金属之间的接触，在大规模和超大规模CMOS逻辑集成电路技术中起着非常重要的作用。.随着晶体管集成度越来越高，器件尺寸...
催化方向博士论文，可以下载参考以下论文：[1]邢培哲.催化热解—原子吸收法快速测定食品中镉的研究[D].河北工程大学,2021.[2]王欢.中空多壳层镍基材料的电催化析氧特性及宏量[D].北京科技大学,2021.
金属硅化物在IC的制造工艺中通常用作导电接触和互联薄膜材料。针对上面的问题，目前，金属硅化物很重要的一个应用就是降低接触电阻。通过自对准工艺，采用硅化物将整个源漏区和栅区金属化，使金属不直接与硅接触，而先与硅化物接触。
上海大学硕士学位论文高压功率集成电路中的LDMOS的设计研究姓名：高海申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：余炳鲲;程东方20040601上海大学工学硕士论文677606上海大学本论文经答辩委员会全体委员审查，确认符合上海大学硕士学位论文质量要求。
2实验结果TM观察发现，合金基体中包含两种颗粒度E此相差较大的硅化物，类粒度达10~30a图1一00m(~高温钛合金硅化物在固溶处理及热暴露过程中的析出行为；用Clhd相图计算技术和钛合金热利aap图4;一类粒度约为l)另0~4m(5图6。
通讯作者：陈志刚，邹进第一作者：史晓磊第一单位：澳大利亚南昆士兰大学未来材料中心核心内容1.综述从热电转换基本原理出发，总结了近年来高性能热电材料与器件设计的最新研究进展，包括不断完善的热电性能优化机制、先进的热电材料与器件制造工艺，能带和结构工程的广泛应用、多...
当尺寸减小到0．35微米时，硅化钨也不能满足器件需求时，硅化钛（TiSi。）被广泛应用。硅化钛通常是在自对准的金属硅化物（Salicide）的制程中形成的。首先用湿法刻蚀的方法在化学溶液内清洗晶圆表面去除污染物和微粒。
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金属硅化物的熔点很高（高于2000℃），其在1600℃下具有很好的热稳定性、防氧化性以及良好的力学性能，近年来已成为高温材料研究的新热点，有代表性的产品如硅化镍（Nb5Si3）、硅化钛（Ti5Si3）、硅化锆（Zr5Si3）等。
65nm以下cmos镍硅化物中镍过度扩散的工艺优化.IIIIIIIIIIIIIIIY1972483在半导体制造业中，自对准金属硅化物被广泛应用在源、漏、栅极与金属之间的接触，在大规模和超大规模CMOS逻辑集成电路技术中起着非常重要的作用。.随着晶体管集成度越来越高，器件尺寸...
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金属硅化物在IC的制造工艺中通常用作导电接触和互联薄膜材料。针对上面的问题，目前，金属硅化物很重要的一个应用就是降低接触电阻。通过自对准工艺，采用硅化物将整个源漏区和栅区金属化，使金属不直接与硅接触，而先与硅化物接触。
上海大学硕士学位论文高压功率集成电路中的LDMOS的设计研究姓名：高海申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：余炳鲲;程东方20040601上海大学工学硕士论文677606上海大学本论文经答辩委员会全体委员审查，确认符合上海大学硕士学位论文质量要求。
2实验结果TM观察发现，合金基体中包含两种颗粒度E此相差较大的硅化物，类粒度达10~30a图1一00m(~高温钛合金硅化物在固溶处理及热暴露过程中的析出行为；用Clhd相图计算技术和钛合金热利aap图4;一类粒度约为l)另0~4m(5图6。
通讯作者：陈志刚，邹进第一作者：史晓磊第一单位：澳大利亚南昆士兰大学未来材料中心核心内容1.综述从热电转换基本原理出发，总结了近年来高性能热电材料与器件设计的最新研究进展，包括不断完善的热电性能优化机制、先进的热电材料与器件制造工艺，能带和结构工程的广泛应用、多...
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