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单晶硅表面金字塔大小与少子寿命的关系-光学工程专业论文.docx,万方数据万方数据上海交通大学学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文《单晶硅表面金字塔大小与少子寿命的关系>>，是本人在导师的指导下，进行研究工作所取得的成果。
单晶硅少子寿命测试影响因素的研究.pptx,摘要：使用HF与HNO3按一定比例混合对单晶硅片表面腐蚀，研究腐蚀不同时间及不同浓度的碘酒钝化硅片表面对少子寿命测试的影响，确定HF与HNO3的体积比为1：6时，腐蚀5~7分钟，碘酒浓度为0.08mol/L...
初始埚位对单晶少子寿命的影响784半导体技术第36卷第102011年10Si棒轴向少子寿命测试示意图Fig.ingottestpoint可以看出，1#～5#样品随着初始埚位的下降，单晶硅少子寿命值逐渐增加。.这主要是因为，随着初始埚位的下降，石英坩埚越来越靠近加热器中间...
基本原理及课程简介：《半导体物理实验》包括三个实验：Si单晶少子寿命测试，方块电阻测试，电阻率ρ的测试。.二．实验方式及基本要求1.教师在课堂上讲解实验的基本原理、仪器使用、测试内容及实验要求，交代实验注意事项。.2.学生分4人一组进行...
少子寿命是越大越好，就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了，如果太低（如小于1us）将严重影响电池效率。.现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10。.处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡...
2010-12-07什么是单晶硅的少子寿命92012-03-26直拉单晶生产中的少子寿命是什么？22011-04-02少子寿命的概念是什么？122017-06-30单晶硅二次加料后少子寿命偏低什么原因更多类似问题>为你推荐：特别推荐神舟13号宇航员到了！神舟十四号发射...
N型硅对应的少子是空穴，空穴的迁移率或说成是扩散能力相对电子而言更弱。所以N型硅相对而言不及P型硅（对应的少子是电子）的少子寿命高。你提的问题“N型硅，少子寿命偏低是怎么回事”可以从上述内容中得到解答。
少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的，一个是指能"跑多远"，一个是指能"活多久"，表述不同而已.少子寿命是越大越好，就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了，如果太低（如小于1us）将严重影响电池效率。.现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2...
少子寿命和太阳能电池转换效率直接相关。杂质和缺陷是影响少子寿命的两大主要因素，而氧又是直拉硅单晶中以间隙态存在的主要杂质，其浓度一般在5E+17~1E+18atom/cm3范围。过高的氧存在容易在硅中形成氧施主和氧沉淀，导致电阻虚高，影响...
五分钟对PERC电池光衰最新研究进展了如指掌.PERC电池的光致衰减（LID，LightInducedDegradation）问题，尤其是热辅助光衰（LeTID，LightelevatedTemperatureInduceDegradation）是近年来晶硅太阳电池技术领域关注的热点。.随着PERC电池技术大规模产业化，清楚其光衰的原理并...
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