单晶硅的及其太阳能电池中的运用本科毕业论文.doc,2015届毕业论文(设计)论文(设计)题目单晶硅的及其在太阳能电池中的运用子课题题目无所属院系物理科学与技术系专业年级物理学2班2015年5月毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺:所呈交的...
文档格式:.doc文档页数:25页文档大小:1.12M文档热度:文档分类:论文--毕业论文文档标签:单晶硅非线性光学性质的研究论文系统标签:非线性光学单晶硅多孔硅性质单光束scan
单晶硅非线性光学性质的研究论文.2012届本科毕业论文题目:单晶硅非线性光学性质的研究学院:物理与电子工程学院专业班级:物理08-7班学生姓名:默默指导教师:教授答辩日期:2012年5月日单晶硅非线性光学性质的研究f摘要...
本章综述与本论文相关的在直拉单晶硅的生长和缺陷方面的研究成果。2.2直拉单晶硅的生长技术目前工业上使用的将多晶硅制成单晶硅的生长方法有两种,一种是使用石英坩埚的直拉法(Czochralskimeth.od,CZ)。
相关论文以题为“Achievingmicron-scaleplasticityandtheoreticalstrengthinSilicon”于5月29日发表在NatureCommunications上。ETH材料系博士生陈铭为第一作者,课题组组长JeffreyM.Wheeler博士为通讯作者,Empa研究员马欢博士参与合作。论文链接:
《浅析直拉单晶硅工艺.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《浅析直拉单晶硅工艺.doc(16页珍藏版)》请在得力文库-分享文档赚钱的网站上搜索。1、摘要随着人类社会的发展,我们对于各种拥有特殊功能的材料需求量越来越大。
单晶硅行业分析报告:单晶硅,是硅的单晶体,也是具有基本完整的点阵结构的晶体。目前国内单晶硅行业的上市公司主要有隆基股份(601012)、中环股份(002129)、上机数控(603185)、众合科技(000925)、京运通(601908)、晶澳科技(002459)等。
直拉法单晶硅生长技术的现状摘要综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟,硅熔体与物性研究等...
高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己成熟,在电池制作中,一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术,开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。
独创性声明。。一’一一。本论文及其相关资料若有不实之处由本人承担一切相关责任。如下使用权包括学校可以保存学位论文可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。钉以查阅或借阅。本人授权西安理芏大学对学位论文全部内容编入公开的数据库二一一进行检索。
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单晶硅非线性光学性质的研究论文.2012届本科毕业论文题目:单晶硅非线性光学性质的研究学院:物理与电子工程学院专业班级:物理08-7班学生姓名:默默指导教师:教授答辩日期:2012年5月日单晶硅非线性光学性质的研究f摘要...
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相关论文以题为“Achievingmicron-scaleplasticityandtheoreticalstrengthinSilicon”于5月29日发表在NatureCommunications上。ETH材料系博士生陈铭为第一作者,课题组组长JeffreyM.Wheeler博士为通讯作者,Empa研究员马欢博士参与合作。论文链接:
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直拉法单晶硅生长技术的现状摘要综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟,硅熔体与物性研究等...
高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己成熟,在电池制作中,一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术,开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。
独创性声明。。一’一一。本论文及其相关资料若有不实之处由本人承担一切相关责任。如下使用权包括学校可以保存学位论文可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。钉以查阅或借阅。本人授权西安理芏大学对学位论文全部内容编入公开的数据库二一一进行检索。