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采用新型涂胶工艺后光刻均匀性地研究.光刻作为基本手段这比任何人预计的时间都更长久光刻的寿命之长的确让整个工业界都感到吃惊Pa因此许多人预计1光刻也会如此到目前为止人们仍在扩展2光刻的应用如果我们很快跳到1光刻那么如何得到投资回报因此...
光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
半导体匀胶系统的研究和优化设计.pdf,摘要本文研究了目前半导体光刻工艺技术中匀胶工步的几个技术问题：匀胶腔体在芯片的高速旋转产生气流的串动挤压胶膜，影响芯片胶膜厚度的均匀性；芯片吸附在吸盘上一般采用的是真空吸附，吸盘的大小以及真空强度两者对芯片吸附后产生的形变有...
光刻工艺研究毕业论文.doc,毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
设定匀胶速度、匀胶测试预亚胺化和亚胺化厚度PI涂覆工艺流程图检查PI有无台阶预亚胺化、亚胺化PI预亚胺化基片卜_制匀光刻胶卜_制曝光卜_制基片显影亚胺化卜．—一检查图形（去光刻胶）PI厚层刻蚀工艺流程图表1三种材料比较湿法刻蚀
匀胶工艺数据图表下面四张图代表了各种过程参数对匀胶结果影响的一般趋势。就大多数光刻胶而言，最终膜厚与匀胶速度和匀胶时间成反比。如果排风量太大，由于空气扰动（湍流）造成胶膜的不均匀干燥，但膜厚还是与排风量在一定程度上成正比。
采用新型涂胶工艺后光刻均匀性地研究.光刻作为基本手段这比任何人预计的时间都更长久光刻的寿命之长的确让整个工业界都感到吃惊Pa因此许多人预计1光刻也会如此到目前为止人们仍在扩展2光刻的应用如果我们很快跳到1光刻那么如何得到投资回报因此...
光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
半导体匀胶系统的研究和优化设计.pdf,摘要本文研究了目前半导体光刻工艺技术中匀胶工步的几个技术问题：匀胶腔体在芯片的高速旋转产生气流的串动挤压胶膜，影响芯片胶膜厚度的均匀性；芯片吸附在吸盘上一般采用的是真空吸附，吸盘的大小以及真空强度两者对芯片吸附后产生的形变有...
光刻工艺研究毕业论文.doc,毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
设定匀胶速度、匀胶测试预亚胺化和亚胺化厚度PI涂覆工艺流程图检查PI有无台阶预亚胺化、亚胺化PI预亚胺化基片卜_制匀光刻胶卜_制曝光卜_制基片显影亚胺化卜．—一检查图形（去光刻胶）PI厚层刻蚀工艺流程图表1三种材料比较湿法刻蚀
匀胶工艺数据图表下面四张图代表了各种过程参数对匀胶结果影响的一般趋势。就大多数光刻胶而言，最终膜厚与匀胶速度和匀胶时间成反比。如果排风量太大，由于空气扰动（湍流）造成胶膜的不均匀干燥，但膜厚还是与排风量在一定程度上成正比。
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