微电子工艺——光刻工艺学生姓名电子科学与技术指导教师二O一三光刻工艺南京信息工程大学电子工程系,南京摘要:光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺,在此之后,晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。.被...
光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计(论文)报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
Litho+wiki专注分享光刻及使用光刻胶的基本知识,我们致力于汇集光刻胶使用、光刻技术及先进微纳米技术的专业信息网站,帮助从业者简单、快速获取相关技术内容,创建一个可以分享交流的专业技术平台。
摘要:.在现代集成电路制造中,去胶工艺加氟可有效地提高去除光刻胶的能力,特别是在离子注入之后的去胶工艺。.但在后段去胶工艺中,由于含氟气体的引入,会产生一系列的问题。.一、灰化率不稳定呈大幅度下跌趋势。.二、由于氟离子化学性质活跃,对这些零...
光刻胶傅里叶全息图的记录条件及防伪应用研究,傅里叶全息存储,光刻胶,信噪比,图像编码,复用技术。采用电寻址液晶空间光调制器作为存储系统的组页器,常规CCD探测器作为重构图像的检测器件,实验研究了在光刻胶干板上记录黑白...
光刻胶是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要应用领域包括:半导体领域的集成电路和分立器件、平板显示、LED、以及倒扣封装、磁头及精密传感器等产品的制作过程。
摘要:光刻胶去除是集成电路制造的关键工艺之一。.随着集成电路技术的发展,先后出现了铝钨金属连接、铜互联大马士革工艺,尤其是硬掩膜铜互联大马士革工艺的出现,对光刻胶去除工艺提出了极大的挑战。.结合图形化工艺技术进展,溶剂类光刻胶去除剂...
《光刻图形转移技术》:这是一篇与光刻论文范文相关的免费优秀学术论文范文资料,为你的论文写作提供参考。摘要:通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案.
SOC材料与工艺2(光刻胶非光学光刻刻湿).3.8晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)图形转换:将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上a.光刻(接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻)b.刻蚀技术(湿法刻蚀、干法刻蚀...
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摘要:.在现代集成电路制造中,去胶工艺加氟可有效地提高去除光刻胶的能力,特别是在离子注入之后的去胶工艺。.但在后段去胶工艺中,由于含氟气体的引入,会产生一系列的问题。.一、灰化率不稳定呈大幅度下跌趋势。.二、由于氟离子化学性质活跃,对这些零...
光刻胶傅里叶全息图的记录条件及防伪应用研究,傅里叶全息存储,光刻胶,信噪比,图像编码,复用技术。采用电寻址液晶空间光调制器作为存储系统的组页器,常规CCD探测器作为重构图像的检测器件,实验研究了在光刻胶干板上记录黑白...
光刻胶是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要应用领域包括:半导体领域的集成电路和分立器件、平板显示、LED、以及倒扣封装、磁头及精密传感器等产品的制作过程。
摘要:光刻胶去除是集成电路制造的关键工艺之一。.随着集成电路技术的发展,先后出现了铝钨金属连接、铜互联大马士革工艺,尤其是硬掩膜铜互联大马士革工艺的出现,对光刻胶去除工艺提出了极大的挑战。.结合图形化工艺技术进展,溶剂类光刻胶去除剂...
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SOC材料与工艺2(光刻胶非光学光刻刻湿).3.8晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)图形转换:将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上a.光刻(接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻)b.刻蚀技术(湿法刻蚀、干法刻蚀...