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亚微米光刻质量的控制技术研究,光刻,失焦,缺陷,边墙角,对准。在集成电路的生产中,光刻技术已经成为集成度提高的关键环节,光刻质量的好坏严重的影响器件的性能和产品的良率。实践表明,光...
电子束光刻的三维和邻近效应校正技术研究,电子束曝光,重复增量扫描,能量沉积,邻近效应校正,显影模拟。微机电系统器件的制造要求微三维工艺。当前制作三维微结构的技术主要有体硅微技术、LIGA(Lithographi...
分辨率增强技术在保持最佳的显影效果的前提下,明显增艺窗口和减小对于设备精度的要求,是0.13μm光刻工艺的关键环节。.论文重点给出了这些技术的物理模型和相关的适用范围,有助于国内8寸芯片生产厂商大规模量产产品的工艺优化,同时为12寸的生产厂商...
东南大学硕士学位论文光刻概况及光刻前沿技术探讨——光刻胶的研究姓名：王乐申请学位级别：硕士专业：IC指导教师：张平;蔡世俊20080616摘要摘要光刻在半导体集成电路制造工艺中，无论是从占用的资金、技术还是人员来看，都有举足轻重的地位。
电子科技大学硕士学位论文IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究姓名：马万里申请学位级别：硕士专业：微电子与固体电子学指导教师：赵建明20050310电子科技大学硕士研究生学位论文本文主要针对光刻对准特性，从单项工艺和工艺集成的角度，分析了影响光刻对准的各个主要因素，主要包括...
采用新型涂胶工艺后光刻均匀性地研究.光刻作为基本手段这比任何人预计的时间都更长久光刻的寿命之长的确让整个工业界都感到吃惊Pa因此许多人预计1光刻也会如此到目前为止人们仍在扩展2光刻的应用如果我们很快跳到1光刻那么如何得到投资回报因此...
基于DMD的数字无掩模光刻成像系统设计,DMD,无掩模光刻,微镜,掩模图形,误差因素。随着微电子学、微光学、微机械技术的迅猛发展,微细技术也得到了不断的提高和改进。微光学元件也在现在通讯、军事…
本论文一系列不同结构的成膜树脂并进行了结构表征,研究了成膜树脂与光刻性能间的关系,初步探索光刻工艺对其显影性能的影响。本论文具体的研究内容主要由以下方面:(1)线性光敏丙烯酸共聚物的及应用以丙烯酸叔丁酯(tBA)、丙烯酸(AA)和丙烯酸苄
1.2本文主要工作本文在简单介绍了GaAspHEMT工艺的基本制造流程的基础上，初步罗列了GaAspHEMT工艺以及使用该工艺生产的MMIC产片常见的可靠性问题及解决方案。.大量阅读相关的行业标准和业界各大公司发表的可靠性测试报告以相关论文，总结了目前业界...
光刻工艺中的焦距异常发生原因分析及解决办法金晓刚【摘要】：在摩尔定律的指引下,半导体工艺的发展经历了从0.35微米到0.25微米,0.18微米,0.13微米,直到现在国内大量生产的最先进的工艺0.09微米和0.065微米,同时0.045微米也正处在积极研发试验...
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分辨率增强技术在保持最佳的显影效果的前提下,明显增艺窗口和减小对于设备精度的要求,是0.13μm光刻工艺的关键环节。.论文重点给出了这些技术的物理模型和相关的适用范围,有助于国内8寸芯片生产厂商大规模量产产品的工艺优化,同时为12寸的生产厂商...
东南大学硕士学位论文光刻概况及光刻前沿技术探讨——光刻胶的研究姓名：王乐申请学位级别：硕士专业：IC指导教师：张平;蔡世俊20080616摘要摘要光刻在半导体集成电路制造工艺中，无论是从占用的资金、技术还是人员来看，都有举足轻重的地位。
电子科技大学硕士学位论文IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究姓名：马万里申请学位级别：硕士专业：微电子与固体电子学指导教师：赵建明20050310电子科技大学硕士研究生学位论文本文主要针对光刻对准特性，从单项工艺和工艺集成的角度，分析了影响光刻对准的各个主要因素，主要包括...
采用新型涂胶工艺后光刻均匀性地研究.光刻作为基本手段这比任何人预计的时间都更长久光刻的寿命之长的确让整个工业界都感到吃惊Pa因此许多人预计1光刻也会如此到目前为止人们仍在扩展2光刻的应用如果我们很快跳到1光刻那么如何得到投资回报因此...
基于DMD的数字无掩模光刻成像系统设计,DMD,无掩模光刻,微镜,掩模图形,误差因素。随着微电子学、微光学、微机械技术的迅猛发展,微细技术也得到了不断的提高和改进。微光学元件也在现在通讯、军事…
本论文一系列不同结构的成膜树脂并进行了结构表征,研究了成膜树脂与光刻性能间的关系,初步探索光刻工艺对其显影性能的影响。本论文具体的研究内容主要由以下方面:(1)线性光敏丙烯酸共聚物的及应用以丙烯酸叔丁酯(tBA)、丙烯酸(AA)和丙烯酸苄
1.2本文主要工作本文在简单介绍了GaAspHEMT工艺的基本制造流程的基础上，初步罗列了GaAspHEMT工艺以及使用该工艺生产的MMIC产片常见的可靠性问题及解决方案。.大量阅读相关的行业标准和业界各大公司发表的可靠性测试报告以相关论文，总结了目前业界...
光刻工艺中的焦距异常发生原因分析及解决办法金晓刚【摘要】：在摩尔定律的指引下,半导体工艺的发展经历了从0.35微米到0.25微米,0.18微米,0.13微米,直到现在国内大量生产的最先进的工艺0.09微米和0.065微米,同时0.045微米也正处在积极研发试验...
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