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微电子工艺——光刻工艺学生姓名电子科学与技术指导教师二O一三光刻工艺南京信息工程大学电子工程系，南京摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。.被...
光刻工艺中曝光技术比较.pdf,综述现代制造工程2008年第12期光刻工艺中的曝光技术比较王宏睿1，祝金国2摘要：介绍目前比较前沿的光学曝光、电子束曝光、离子束曝光、x射线曝光和极紫外曝光等曝光方法。并对这些光刻曝光技术进行相应的比较。
光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
篇一：数控毕业论文小结.随着数控技术的不断发展和应用领域的扩大，数控技术对国计民生的一些重要行业（IT、汽车、轻工、医疗等）的发展起着越来越重要的作用，因为效率、质量是先进制造技术的主体。.高速、高精技术可极大地提高效率，提高...
原因在于，至少到1980年初，中国的光刻工艺依然是接触式光刻，也就是把掩膜直接贴到硅片上，再用灯光照射。这项工艺中最难的是掩膜的制造，要在底片上刻出1微米分辨率的线条（照相制版国内调查小结[J].半导体技术,1976(03):1-17.
光刻是芯片制造的核心，是IC制造的最关键步骤，在主流的微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺，其成本约占整个硅片成本的三分之一甚至更多。.说道芯片制造，不得不说摩尔定律，摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965年提出来...
2017年，RMITUniversity[9]采用电子束光刻EBL，实现1um铌酸锂脊型波导传输损耗0.4dB/cm，具体工艺流程如6所示：首先在500nmLNOI薄膜上沉积EBL光刻胶，然后EBL曝光显影，沉积Cr作为硬掩模刻蚀阻挡层，lift-off工艺去除非波导区域Cr和光刻胶，RIE刻蚀工艺完成260nmLN波导刻...
考虑到面向IC行业的CMOS技术已经非常成熟，本综述的主要内容是总结非CMOS工艺及方法，因为它们不仅丰富了亚10纳米方法，而且与CMOS方法相比，在分辨率、效率或成本方有互补优势，故在图1中还主要归纳了三类亚10纳米方法：光刻
微电子工艺——光刻工艺学生姓名电子科学与技术指导教师二O一三光刻工艺南京信息工程大学电子工程系，南京摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。.被...
光刻工艺中曝光技术比较.pdf,综述现代制造工程2008年第12期光刻工艺中的曝光技术比较王宏睿1，祝金国2摘要：介绍目前比较前沿的光学曝光、电子束曝光、离子束曝光、x射线曝光和极紫外曝光等曝光方法。并对这些光刻曝光技术进行相应的比较。
光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
篇一：数控毕业论文小结.随着数控技术的不断发展和应用领域的扩大，数控技术对国计民生的一些重要行业（IT、汽车、轻工、医疗等）的发展起着越来越重要的作用，因为效率、质量是先进制造技术的主体。.高速、高精技术可极大地提高效率，提高...
原因在于，至少到1980年初，中国的光刻工艺依然是接触式光刻，也就是把掩膜直接贴到硅片上，再用灯光照射。这项工艺中最难的是掩膜的制造，要在底片上刻出1微米分辨率的线条（照相制版国内调查小结[J].半导体技术,1976(03):1-17.
光刻是芯片制造的核心，是IC制造的最关键步骤，在主流的微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺，其成本约占整个硅片成本的三分之一甚至更多。.说道芯片制造，不得不说摩尔定律，摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965年提出来...
2017年，RMITUniversity[9]采用电子束光刻EBL，实现1um铌酸锂脊型波导传输损耗0.4dB/cm，具体工艺流程如6所示：首先在500nmLNOI薄膜上沉积EBL光刻胶，然后EBL曝光显影，沉积Cr作为硬掩模刻蚀阻挡层，lift-off工艺去除非波导区域Cr和光刻胶，RIE刻蚀工艺完成260nmLN波导刻...
考虑到面向IC行业的CMOS技术已经非常成熟，本综述的主要内容是总结非CMOS工艺及方法，因为它们不仅丰富了亚10纳米方法，而且与CMOS方法相比，在分辨率、效率或成本方有互补优势，故在图1中还主要归纳了三类亚10纳米方法：光刻
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