湖南文理学院芙蓉学院毕业设计(论文)外文资料翻译1.外文资料翻译译文;2.外文原文。指导教师评语:签名:附件1:外文资料翻译译文光刻投影镜头多闭环温度控制系统国家重点实验室,数字制造装备与工艺,华中科技大学,武汉430074,中国大学天华学院,上海师范大学,上海201815,中国2008…
光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计(论文)报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
光刻工艺研究毕业论文.doc,毕业设计(论文)报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
ASML公司光学光刻技术最新进展2002年9月微细技术M1CROFABRICA'I、IoNT’ECHNoLOGYNo3Sep.2002文章编号:1003—8213(2002)03-0008—04ASML公司光学光刻技术最新进展张强,胡松,姚汉民,刘业异(中国科学院光电技术研究所,成都610209)摘要:荷…
芯片制造核心工艺主要设备全景图光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻来实现,光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
除了28nm光刻机这个概念性问题以外(28nm指的是半导体逻辑电路工艺节点,而光刻机的命名都标明光源性质),笔者还是前往上海微电子官网和官微进行了求证,并没有看到类似上述的信息存在,因此这一消息的可信度瞬间降了大半。
湖南文理学院芙蓉学院毕业设计(论文)外文资料翻译1.外文资料翻译译文;2.外文原文。指导教师评语:签名:附件1:外文资料翻译译文光刻投影镜头多闭环温度控制系统国家重点实验室,数字制造装备与工艺,华中科技大学,武汉430074,中国大学天华学院,上海师范大学,上海201815,中国2008…
光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计(论文)报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
光刻工艺研究毕业论文.doc,毕业设计(论文)报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
ASML公司光学光刻技术最新进展2002年9月微细技术M1CROFABRICA'I、IoNT’ECHNoLOGYNo3Sep.2002文章编号:1003—8213(2002)03-0008—04ASML公司光学光刻技术最新进展张强,胡松,姚汉民,刘业异(中国科学院光电技术研究所,成都610209)摘要:荷…
芯片制造核心工艺主要设备全景图光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻来实现,光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
除了28nm光刻机这个概念性问题以外(28nm指的是半导体逻辑电路工艺节点,而光刻机的命名都标明光源性质),笔者还是前往上海微电子官网和官微进行了求证,并没有看到类似上述的信息存在,因此这一消息的可信度瞬间降了大半。