光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计(论文)报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
光刻是芯片制造的核心,是IC制造的最关键步骤,在主流的微电子制造过程中,光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺,其成本约占整个硅片成本的三分之一甚至更多。.说道芯片制造,不得不说摩尔定律,摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965年提出来...
活动作品集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺图文并茂的半导体入门教程part1.4606播放·总弹幕数32020-03-1804:32:28.集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺图文并茂的半导体入门教程part1.…
国产光刻机产业链,又迎好消息。近日,据中国微米纳米技术学会报道,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员,与国家纳米科学中心刘前研究员合作,在《纳米快报》(NanoLetters)上发表了题为《超分辨率激光光刻技术5nm间隙电极和阵列》(5nmNanogapElectrodesandArraysbya...
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光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
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