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级：公开论文编号：重庆理工大学硕士学位论文InSb薄膜的及其在光电探测器中的应用理学院论文完成时间：2020论文答辩日期：2020CategoryNumber：LevelSecrecy：PublicitySerialNumberStudentNumber：51170119102Master´s...
光电检测技术在监测中的应用及发展趋势论文_毕业论文.doc,光电检测技术论文——光电检测技术在监测中的应用及发展趋势学生姓名：班级：学号：指导老师：时间：目录目录3摘要4一、前言5二、光电检测技术52.1光电检测技术的概述52.2光电检测技术原理62.3光电检测技术的特点…
光电探测器综述(PD)技术分析.doc,光电探测器综述摘要：近年来，围绕着光电系统开展了各种关键技术研究，以实现具有高集成度、高性能、低功耗和低成本的光电探测器（Photodetector）及光电集成电路（OEIC）已成为新的重大挑战。尤其是具有高...
本文从石墨烯的能带结构出发，综述了石墨烯在光电探测领域的研究现状，并展望了石墨烯光电探测器未来的发展方向。.图1石墨烯：基本结构单元.1石墨烯的特殊性质.1.1能带结构.石墨烯是六角形晶体结构的二维零带隙材料，每个晶格内有3个σ键，连接十分...
我院师生在《JournalofMaterialsChemistryC》上发表钙钛矿光电探测器相关论文.2021年9月，英国皇家化学学会旗下期刊《JournalofMaterialsChemistryC》（中科院“工程技术”大类学科1区，影响因子7.393）在线发表了我院师生的最新研究成果：Enhancedphotonharvestingby...
发表高水平论文是每个科研人的目标！在所有的高水平期刊中，Nature及子刊几乎占了半壁江山，让我们膜拜一下最近发表的Nature论文吧！就在19年的第三季度中，Nature及子刊上共出现了25篇以下特征的论文：即它们…
本论文以氧化镓半导体材料为主要研究材料对象,以不同器件结构类型为研究主线,分析各结构器件优缺点,开展对应结构下的性能优化研究。.按照工作方式的不同,日盲区紫外光电探测器器件结构可分为光电导型、肖特基势垒型、金属-半导体-金属型、p-n结、pin结...
相关工作为进一步提高光电探测器稳定性和性能提供新思路和技术途径.南京大学王欣然教授团队的Letter文章“Acompactmodelfortransitionmetaldichalcogenidefieldeffecttransistorswitheffectsofinterfacetraps”报道了基于MoS2晶体管的紧凑模型,考虑了工艺中不可避免的界面态的影响.
近年来致力于光电器件的研究工作，研究的器件包括光电探测器、太赫兹探测器、光电存储器等。相关领域共发表学术论文90余篇，SCI收录70余篇（近5年论文50余篇，其中一区论文17篇。...
窄带隙二维半导体在宽波段光电探测中有良好的应用前景,然而器件性能通常受到高暗电流的限制.东南大学倪振华教授团队在论文中将黑磷(BP)和铋氧硒(Bi2O2Se)两种窄带隙二维半导体构建范德华异质结,实现了高性能光电探测器.该器件在可见-1600...
级：公开论文编号：重庆理工大学硕士学位论文InSb薄膜的及其在光电探测器中的应用理学院论文完成时间：2020论文答辩日期：2020CategoryNumber：LevelSecrecy：PublicitySerialNumberStudentNumber：51170119102Master´s...
光电检测技术在监测中的应用及发展趋势论文_毕业论文.doc,光电检测技术论文——光电检测技术在监测中的应用及发展趋势学生姓名：班级：学号：指导老师：时间：目录目录3摘要4一、前言5二、光电检测技术52.1光电检测技术的概述52.2光电检测技术原理62.3光电检测技术的特点…
光电探测器综述(PD)技术分析.doc,光电探测器综述摘要：近年来，围绕着光电系统开展了各种关键技术研究，以实现具有高集成度、高性能、低功耗和低成本的光电探测器（Photodetector）及光电集成电路（OEIC）已成为新的重大挑战。尤其是具有高...
本文从石墨烯的能带结构出发，综述了石墨烯在光电探测领域的研究现状，并展望了石墨烯光电探测器未来的发展方向。.图1石墨烯：基本结构单元.1石墨烯的特殊性质.1.1能带结构.石墨烯是六角形晶体结构的二维零带隙材料，每个晶格内有3个σ键，连接十分...
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本论文以氧化镓半导体材料为主要研究材料对象,以不同器件结构类型为研究主线,分析各结构器件优缺点,开展对应结构下的性能优化研究。.按照工作方式的不同,日盲区紫外光电探测器器件结构可分为光电导型、肖特基势垒型、金属-半导体-金属型、p-n结、pin结...
相关工作为进一步提高光电探测器稳定性和性能提供新思路和技术途径.南京大学王欣然教授团队的Letter文章“Acompactmodelfortransitionmetaldichalcogenidefieldeffecttransistorswitheffectsofinterfacetraps”报道了基于MoS2晶体管的紧凑模型,考虑了工艺中不可避免的界面态的影响.
近年来致力于光电器件的研究工作，研究的器件包括光电探测器、太赫兹探测器、光电存储器等。相关领域共发表学术论文90余篇，SCI收录70余篇（近5年论文50余篇，其中一区论文17篇。...
窄带隙二维半导体在宽波段光电探测中有良好的应用前景,然而器件性能通常受到高暗电流的限制.东南大学倪振华教授团队在论文中将黑磷(BP)和铋氧硒(Bi2O2Se)两种窄带隙二维半导体构建范德华异质结,实现了高性能光电探测器.该器件在可见-1600...
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