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zno紫外光电探测器的研究.890859单位代码：10005北京工业大学硕士学位论文英文并列论文报告提变日期2QQ：』授予单位名称和地址摘要摘要随着紫外探测技术优越性的凸显，人们对紫外探测器的研究越来越关注。.新型紫外探测器要求器件具有“日盲”特性...
氧化锌量子点基光电材料与器件研究.氧化锌量子点因同时具备氧化锌宽禁带、抗辐射能力强、环境友好、高电子饱和迁移率和量子点容易、禁带宽度可调等诸多优点，使其在紫外光电探测器方面的应用前景令人期待。.然而面临紫外光信号弱，容易损耗的...
此外,通过在ZnO薄膜引入g-C_3N_4量子点(QDs)和还原氧化石墨烯(rGO)形成异质结薄膜,在其异质结薄膜表面通过热蒸发电极,通过光电性能测试进一步研究其光电性能的变化,为进一步研究ZnO紫外光电探测器提供了实验参考。本文创新点以及主要研究成果...
基于ZnO/有机异质结紫外光电探测器的及性能研究-ZnO是一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.37eV、激子结合能达60meV。一维ZnO纳米结构(如,纳米线、纳米棒)既具有ZnO稳定的化学性质、良好的光电压电特性,又具有纳米结...
【摘要】：ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述。
分类号：！Q12UDC：31．编号：ZnO基薄膜及其紫外光电探测器的和特性研究THEFABRICATIONANDC丑ARACTERIZATIoNOFZnO．BASEDFILMSANDUVPHoTODETECTORS学位授予单位及代码：长鲞理王太堂申请学位级别：亟论文起止时间：～2012．11—2013．12长春理工大学硕士学位论文原创性声明IIIIIIIUlIIIUIIIIIIIII...
该光电探测器的主要性能参数是大于10~5的高电流开关比(大大超过所报道的横向PbSe量子点光电晶体管),低阈值电压和低亚阈值斜率。同时,该器件也表现出较好的光电性能,如9×10~2A/W的光响应度和3×10~(11)Jones的归一化探测度。最后,研究了短沟道的垂直
ZnO纳米粒子在CsPbBr3量子点过程中的共混可改善光学性能，并形成可增强电荷传输的薄膜。基于CsPbBr3的光电探测器了/ZnO/玻璃-石墨烯异质结构，它具有增强的光响应和独特的自供电操作，开路电压高达150mV。
ZnO纳米棒阵列光电探测器的暗电流太大.ZnO纳米棒阵列的光电特性。.发现其暗电流很大，大约在5*10-5A，而光电流大约为7*10-5A，虽然计算响应度R大约也.在几A/W。.但是Ion/Ioff也就几，其他人报道基本都是几千甚至几十万。.不知道有没有减小暗电流的经验啊...
尤其是在热释电光电子学效应对光电器件的调控研究方面做出了一些原创性工作，提出了热释电光电子学效应，设计并实现了真空下可快速响应的氧化锌基紫外光探测器，已在该领域发表了NatureCommun.6:8401(2015)；Adv.Mater.28(32):6880-6886(2016
zno紫外光电探测器的研究.890859单位代码：10005北京工业大学硕士学位论文英文并列论文报告提变日期2QQ：』授予单位名称和地址摘要摘要随着紫外探测技术优越性的凸显，人们对紫外探测器的研究越来越关注。.新型紫外探测器要求器件具有“日盲”特性...
氧化锌量子点基光电材料与器件研究.氧化锌量子点因同时具备氧化锌宽禁带、抗辐射能力强、环境友好、高电子饱和迁移率和量子点容易、禁带宽度可调等诸多优点，使其在紫外光电探测器方面的应用前景令人期待。.然而面临紫外光信号弱，容易损耗的...
此外,通过在ZnO薄膜引入g-C_3N_4量子点(QDs)和还原氧化石墨烯(rGO)形成异质结薄膜,在其异质结薄膜表面通过热蒸发电极,通过光电性能测试进一步研究其光电性能的变化,为进一步研究ZnO紫外光电探测器提供了实验参考。本文创新点以及主要研究成果...
基于ZnO/有机异质结紫外光电探测器的及性能研究-ZnO是一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.37eV、激子结合能达60meV。一维ZnO纳米结构(如,纳米线、纳米棒)既具有ZnO稳定的化学性质、良好的光电压电特性,又具有纳米结...
【摘要】：ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述。
分类号：！Q12UDC：31．编号：ZnO基薄膜及其紫外光电探测器的和特性研究THEFABRICATIONANDC丑ARACTERIZATIoNOFZnO．BASEDFILMSANDUVPHoTODETECTORS学位授予单位及代码：长鲞理王太堂申请学位级别：亟论文起止时间：～2012．11—2013．12长春理工大学硕士学位论文原创性声明IIIIIIIUlIIIUIIIIIIIII...
该光电探测器的主要性能参数是大于10~5的高电流开关比(大大超过所报道的横向PbSe量子点光电晶体管),低阈值电压和低亚阈值斜率。同时,该器件也表现出较好的光电性能,如9×10~2A/W的光响应度和3×10~(11)Jones的归一化探测度。最后,研究了短沟道的垂直
ZnO纳米粒子在CsPbBr3量子点过程中的共混可改善光学性能，并形成可增强电荷传输的薄膜。基于CsPbBr3的光电探测器了/ZnO/玻璃-石墨烯异质结构，它具有增强的光响应和独特的自供电操作，开路电压高达150mV。
ZnO纳米棒阵列光电探测器的暗电流太大.ZnO纳米棒阵列的光电特性。.发现其暗电流很大，大约在5*10-5A，而光电流大约为7*10-5A，虽然计算响应度R大约也.在几A/W。.但是Ion/Ioff也就几，其他人报道基本都是几千甚至几十万。.不知道有没有减小暗电流的经验啊...
尤其是在热释电光电子学效应对光电器件的调控研究方面做出了一些原创性工作，提出了热释电光电子学效应，设计并实现了真空下可快速响应的氧化锌基紫外光探测器，已在该领域发表了NatureCommun.6:8401(2015)；Adv.Mater.28(32):6880-6886(2016
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