过渡金属共掺杂ZnO基稀磁半导体的与性能研究.作者:师大云端图书馆时间:2016-06-20分类:参考文献喜欢:2380.【摘要】稀磁半导体材料是利用3d族过渡金属离子,或4f族稀土金属离子取代Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族或Ⅱ-Ⅴ族的化合物其中的一部分非磁性阳离子形成...
氧化锌微纳米线及异质结材料与光电器件.【摘要】:氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙n型半导体,室温下禁带宽度约3.37eV,激子能约60meV,是短波光电器件的优选材料。.与体材料相比,ZnO微纳米线具有更大的比表面积、表面态密度和载流子迁移率,在发光和...
紫外光增强的ZnO气体传感器研究.【摘要】气体传感器已被广泛应用于检测有毒气体、可燃性气体、湿度等多种气体种类,具有广阔的应用前景。.半导体氧化物气体传感器在室温下性质很差,为了获得高的气敏响应和较快的气敏响应和恢复,通常需要在气敏元件...
参考文献54致谢63在学期间的研究成果以及发表的学术论文64图表清单图1.1氧化锌晶体结构球形堆积示意图:(a)立方岩盐石,(b)立方闪锌矿,(c)六角纤锌矿。
第一章宽带隙半导体材料综述参考文献第二章ZnO材料综述2.1ZnO材料的结构和基本物性2.2ZnO材料的2.2.1体材料的2.2.2薄膜材料的2.2.3纳米材料的2.3ZnO材料在器件方面的应用参考文献第三章TFA-MOD方法优质
国内有较多研究ZnO纳米阵列的及光催化性能的报道文章,尤其是对一维ZnO纳米材料的简单方法,影响其形貌的条件控制的研究较多。目前,ZnO纳米材料的方法有很多,比较常用的有气相法,液相法,固相法等。采用较多的是水热法,如宫丽红[6]等人以锌片为衬底,用摩尔比小于…
电化学ZnO基有机无机杂化太阳能电池.作者:师大云端图书馆时间:2021-10-30分类:参考文献喜欢:2389.【摘要】有机无机杂化太阳能电池是一种很有前途的低成本光伏装置。.在此类太阳能电池中,单层的有机高分子固定在半导体氧化物表面,光激发和光...
ZnO材料的理论模拟计算(硕士论文).doc,摘要本文采用基于密度泛函理论的第一性原理模拟计算方法,并结合平面波赝势方法,运用VASP软件包首先分为四个步骤优化了ZnO材料结构:(1)截断能的优化;(2)SIGMA的优化;(3)K格点的优化;(4)晶格...
论文导读:称之为稀磁半导体。样品铁磁性的强弱不同。ZnO基稀磁半导体材料研究进展。论文,发表论文。论文网8200余万篇毕业论文、各种论文格式和论文范文以及9千多种期刊杂志的论文征稿及论文投稿信息,是论文写作、论文投稿和论文发表的论文参考网站,也是科研人员论文检测和发表论文…
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院:材料科学与工程学院专业:材料化学班级:材料122姓名:刘田防学号:2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要:半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
过渡金属共掺杂ZnO基稀磁半导体的与性能研究.作者:师大云端图书馆时间:2016-06-20分类:参考文献喜欢:2380.【摘要】稀磁半导体材料是利用3d族过渡金属离子,或4f族稀土金属离子取代Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族或Ⅱ-Ⅴ族的化合物其中的一部分非磁性阳离子形成...
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