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高电子迁移率晶体管中的DX中心研究.pdf,优秀硕士毕业论文，本科毕业设计参考文献资料。完美PDF格式，支持复制编辑！！！论文摘要许多化合物半导体在进行施主掺杂时都会出现DX中心,由于DX中心对器[1-10]件的能带结构、输运性质都有着...
ALGANGAN高电子迁移率晶体管的模型研究.摘要摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一，其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、绿光和紫外光电子器件...
本论文即针对GaN高电子迁移率晶体管的特性及其在功率放大器中的应用进行研究。研究GaNHEMT器件的小信号模型，根据现有的器件和实验条件，提出了一种小信号等效电路模型，采用直接提取法提取小信号参数，给出了详细的参数提取流程，对比了模型与实际测量的S参数，验证了模型的准确性。
高电子迁移率晶体管模型与高效率MMIC放大器研究.随着大流量移动宽带业务、大规模物联网技术以及工业自动化设备的需求不断高涨，未来无线通信系统需要更快的数据传输速度、更大的数据容量以及更低的信号延迟，而这也对无线射频发射机的性能指标提出了...
AlGaN%2fGaN高电子迁移率晶体管TCAD的研究.pdf,优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称...
【摘要】GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具有优越输运特性的二维电子气（2DEG）等出色的材料性能，非常适合应用于高温、高压、高频大功率...
高电子迁移率晶体管（HEMT，HighElectronMobilityTransistor）：HEMT是一种异质结场效应晶体管（HFET），又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)等。
纯氮化镓（GaN）本身的电子迁移率在沟道里面确实不高。.但通常我们所说的HEMTGaN指的是GaN/AlGaN之间的结构层存在有异常高浓度的二维电子气（相比普通的SiMOS，它其实高好几个数量级），稍微有点场强或者其他的变化，电子气就跑出来了。所以它也叫高...
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管2021-06-3010:02来源:华林科纳当增加功率器件两端的施加电压时，器件内的电场开始增加。一旦电场接近临界水平Ec，功率器件就会发生雪崩击穿。为了在具有不同材料成分的类似系统之间进行简单比较，我们研究...
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺+申请认证文档贡献者维普资讯网中国最大最早的专业内容网站000.0文档数浏览总量总评分相关文档推荐GaN基高电子迁移率晶体管...385人阅读...
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