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【摘要】：负电容场效应晶体管(NCFET)作为超低功耗集成电路非常具有潜力的候选器件结构之一,引起了学术界和工业界的广泛关注。NCFET与传统金属氧化物半导体场效应晶体管的区别在于栅极结构中插入的具有负电容行为的铁电薄膜,通过栅极电压放大效应突破亚阈值摆幅(SS)玻尔兹曼限制。
铁电负电容晶体管的研究进展.2019ꎬVol.33ꎬNo.2mater￣repyhzhai＠uestc.eduDOI:1011896/cldb201903009ThisworkfinanciallysupportedOpeningProjectTechnologyReliabilityPhysicsApplicationTechnologyElectronicComponentLaboratory(ZHD201601)ꎬFundamentalResearchFundsCentralUniversitiesChina(ZYGX2016J047).铁...
关键词:铁电负电容负电容晶体管(NCFET)低功耗Abstract:Itispossibleforferroelectricnegativecapacitancetransistortomakethesub-thresholdswinglowerthanthetheoreticallimitof60mV/dec,whichisthekeytobreakthroughthebottleneckofreducingworkingvoltageV…
铁电负电容晶体管的研究进展.PDF,2019ꎬVol.33ꎬNo.2mater￣rep铁电负电容晶体管的研究进展谭欣ꎬ翟亚红电子科技大学微电子与固体电子学院ꎬ成都610054铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60mV/dec的理论极限ꎬ是未来突破晶体管工作电压V和器件尺寸进一步减小瓶颈的关键ꎮ自DD2008年低...
铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和器件尺寸进一步减小瓶颈的关键。自2008年低功耗负电容晶体管的概念被提出以来,该晶体管因简单的器件结构和优异的电路性能而一直受到业界学者的广泛关注。
关键词：铁电电容器；保持性能；铁电场效应晶体管；铁电薄膜负电容；亚阈值摆...存储器存在的问题261.4本论文的研究意义和主要内容271.4.1本论文的研究意义271.4.2本论文的主要内容MFIS结构电容的保持性能302.1引言302.2MFIS结构...
该研究结果对提高MFIS结构电容和场效应晶体管的保持性能具有重要的指导意义。2、基于Landau–Ginzburg–Devonshire理论、泊松方程、以及电流连续性方程，我们考虑铁电薄膜负电容效应，针对双栅铁电场效应晶体管的表面势和漏电流特性进行了研究。
针对这个关键科学问题，该论文实验验证了实际调控晶体管的类负电容效应，并建立了不同于最初负电容概念的新型负电容机制。李秀妍副教授为论文的第一作者和通讯作者，上海交通大学为第一完成单位。负电容（NC）晶体管概念是由S.Salahuddin等在2008年
负电容可以带来更有效的晶体管.发表于:2017-12-2216:11作者:港泉SMT分类:行业动态.研究人员已经通过实验证明如何利用一种称为负电容的特性来降低晶体管的功耗，从而验证了普渡大学一个团队在2008提出的理论。.一种新型晶体管（A）利用称为负电容的特性...
所谓负电容晶体管是在MOS器件的栅叠层中加入一层铁电材料层，利用铁电材料自身具有的极化曲线的负斜率去实现等效的栅压放大的效果。虽然负电容晶体管具有SS小于60的特性，但是它的理论却仍然受到很大的争议。
【摘要】：负电容场效应晶体管(NCFET)作为超低功耗集成电路非常具有潜力的候选器件结构之一,引起了学术界和工业界的广泛关注。NCFET与传统金属氧化物半导体场效应晶体管的区别在于栅极结构中插入的具有负电容行为的铁电薄膜,通过栅极电压放大效应突破亚阈值摆幅(SS)玻尔兹曼限制。
铁电负电容晶体管的研究进展.2019ꎬVol.33ꎬNo.2mater￣repyhzhai＠uestc.eduDOI:1011896/cldb201903009ThisworkfinanciallysupportedOpeningProjectTechnologyReliabilityPhysicsApplicationTechnologyElectronicComponentLaboratory(ZHD201601)ꎬFundamentalResearchFundsCentralUniversitiesChina(ZYGX2016J047).铁...
关键词:铁电负电容负电容晶体管(NCFET)低功耗Abstract:Itispossibleforferroelectricnegativecapacitancetransistortomakethesub-thresholdswinglowerthanthetheoreticallimitof60mV/dec,whichisthekeytobreakthroughthebottleneckofreducingworkingvoltageV…
铁电负电容晶体管的研究进展.PDF,2019ꎬVol.33ꎬNo.2mater￣rep铁电负电容晶体管的研究进展谭欣ꎬ翟亚红电子科技大学微电子与固体电子学院ꎬ成都610054铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60mV/dec的理论极限ꎬ是未来突破晶体管工作电压V和器件尺寸进一步减小瓶颈的关键ꎮ自DD2008年低...
铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和器件尺寸进一步减小瓶颈的关键。自2008年低功耗负电容晶体管的概念被提出以来,该晶体管因简单的器件结构和优异的电路性能而一直受到业界学者的广泛关注。
关键词：铁电电容器；保持性能；铁电场效应晶体管；铁电薄膜负电容；亚阈值摆...存储器存在的问题261.4本论文的研究意义和主要内容271.4.1本论文的研究意义271.4.2本论文的主要内容MFIS结构电容的保持性能302.1引言302.2MFIS结构...
该研究结果对提高MFIS结构电容和场效应晶体管的保持性能具有重要的指导意义。2、基于Landau–Ginzburg–Devonshire理论、泊松方程、以及电流连续性方程，我们考虑铁电薄膜负电容效应，针对双栅铁电场效应晶体管的表面势和漏电流特性进行了研究。
针对这个关键科学问题，该论文实验验证了实际调控晶体管的类负电容效应，并建立了不同于最初负电容概念的新型负电容机制。李秀妍副教授为论文的第一作者和通讯作者，上海交通大学为第一完成单位。负电容（NC）晶体管概念是由S.Salahuddin等在2008年
负电容可以带来更有效的晶体管.发表于:2017-12-2216:11作者:港泉SMT分类:行业动态.研究人员已经通过实验证明如何利用一种称为负电容的特性来降低晶体管的功耗，从而验证了普渡大学一个团队在2008提出的理论。.一种新型晶体管（A）利用称为负电容的特性...
所谓负电容晶体管是在MOS器件的栅叠层中加入一层铁电材料层，利用铁电材料自身具有的极化曲线的负斜率去实现等效的栅压放大的效果。虽然负电容晶体管具有SS小于60的特性，但是它的理论却仍然受到很大的争议。
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