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导读：就爱阅读网友为您分享以下“晶体管论文”资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92to的支持!1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。
硕士博士毕业论文—基于低维材料的新型场效应晶体管的设计、构筑与性能研究摘要第1-7页Abstract第7-11页第1章绪论第11-33页1.1低维材料第11-23页1.1.1碳纳米管
场效应晶体管参数测试仪的设计毕业设计论文.doc,毕业设计（论文）题目：毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。
山东大学硕士学位论文AlGaN/GaN场效应晶体管的TCAD研究姓名：刘岩申请学位级别：硕士专业：电路与系统指导教师：李惠军20090425山东大学硕士学位论文氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一，其化学...
并五苯薄膜场效应晶体管的研制,并五苯,场效应晶体管,双极。本论文首先介绍了并五苯有机薄膜场效应晶体管的研究进展及主要采用的结构和制作工艺,然后分别阐述了有机半导体材料的基本性质、...
聚合物薄膜场效应晶体管研究进展-有机薄膜场效应晶体管(OFET)在电子报纸、智能识别卡、大面积平板及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方有非常广阔的应用前景。在OFET家族中.聚合物半导体...
新型隧穿场效应晶体管模型及结构研究.芦宾.【摘要】：随着MOSFET尺寸缩小至纳米尺度,已经接近其物理极限,尺寸缩小带来工艺成本增加、可靠性退化及功耗上升等问题已成为限制集成电路进一步发展的主要瓶颈。.隧穿场效应晶体管(TFET)是一种利用量子隧穿...
1陈永真;;新型高耐压大功率场效应晶体管[A];新世纪新机遇新挑战——知识创新和高新技术产业发展（上册）[C];2001年2赵广耀;董焕丽;江浪;赵华平;覃翔;胡文平;;并五苯类似物单晶场效应晶体管及其在乙醇气体探测中的应用[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征[C];2012年
作者：X-MOL2019-06-07有机场效应晶体管由于其具有低成本、溶液法大面积、柔性的特点，近些年来引起了人们的广泛关注。目前研究最多的是基于平面器件结构的有机场效应晶体管，有机垂直场效应晶体管具有沟道短的特点（一般小于1微米），在实现低操作电压、高电流密度、柔性器件方面蕴…
论文第一章介绍了国际上半导体器件的发展趋势以及三栅场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的研究历史、发展现状和存在的问题。第二章在考虑器件沟道中电子的量子效应和准弹道散射的基础上,推导了In0.53Ga0.47AsFinFET的导电模型,提出了适用于三栅场效应晶体管的量子电容模型。
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硕士博士毕业论文—基于低维材料的新型场效应晶体管的设计、构筑与性能研究摘要第1-7页Abstract第7-11页第1章绪论第11-33页1.1低维材料第11-23页1.1.1碳纳米管
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山东大学硕士学位论文AlGaN/GaN场效应晶体管的TCAD研究姓名：刘岩申请学位级别：硕士专业：电路与系统指导教师：李惠军20090425山东大学硕士学位论文氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一，其化学...
并五苯薄膜场效应晶体管的研制,并五苯,场效应晶体管,双极。本论文首先介绍了并五苯有机薄膜场效应晶体管的研究进展及主要采用的结构和制作工艺,然后分别阐述了有机半导体材料的基本性质、...
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新型隧穿场效应晶体管模型及结构研究.芦宾.【摘要】：随着MOSFET尺寸缩小至纳米尺度,已经接近其物理极限,尺寸缩小带来工艺成本增加、可靠性退化及功耗上升等问题已成为限制集成电路进一步发展的主要瓶颈。.隧穿场效应晶体管(TFET)是一种利用量子隧穿...
1陈永真;;新型高耐压大功率场效应晶体管[A];新世纪新机遇新挑战——知识创新和高新技术产业发展（上册）[C];2001年2赵广耀;董焕丽;江浪;赵华平;覃翔;胡文平;;并五苯类似物单晶场效应晶体管及其在乙醇气体探测中的应用[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征[C];2012年
作者：X-MOL2019-06-07有机场效应晶体管由于其具有低成本、溶液法大面积、柔性的特点，近些年来引起了人们的广泛关注。目前研究最多的是基于平面器件结构的有机场效应晶体管，有机垂直场效应晶体管具有沟道短的特点（一般小于1微米），在实现低操作电压、高电流密度、柔性器件方面蕴…
论文第一章介绍了国际上半导体器件的发展趋势以及三栅场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的研究历史、发展现状和存在的问题。第二章在考虑器件沟道中电子的量子效应和准弹道散射的基础上,推导了In0.53Ga0.47AsFinFET的导电模型,提出了适用于三栅场效应晶体管的量子电容模型。
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