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中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论文SOI集成光波导器件的基础研究第一章绪论1．1光纤通信发展中的光电子器件11－141二十世纪末出现的Internet标志着人类社会进入崭新的信息化时代。人们对信息的需求急剧增加，通信领域的...
电子科技大学硕士学位论文SOI高压集成电路的隔离技术研究姓名：杨春申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：罗萍20060401摘要摘要高压集成电路HVIc（Hi曲VoltageIntegratedcircuits）具有可靠性高、体积小、速度快、功耗低等优点，在军事、航空航天及核能等领域有着不可替代...
SOI/SiGeMOS器件研究和.史进.本论文主要介绍的是基于SOI技术的SiGe异质结MOS器件。.与体Si器件相比,采用SiGe材料的异质结器件已经在许多方面显示出了强大的优势:譬如更大的载流子迁移率,更大的跨导,更强的电流驱动能力以及更快的电路速度等等。.在论文...
SOI高压器件及高压集成技术,SOI,材料,高压器件,高压功率集成电路。SOI技术被誉为21世纪的硅集成技术。文章综述了SOI材料的特点与、高压功率器件的最新发展动态,以及相关的高压功率...
CMOS/SOI器件和电路的电离辐射效应模拟及实验,单粒子翻转,总剂量辐射效应,可偏压隔离阱。SOI器件和电路的辐照效应一直是应用领域的研究焦点,本论文在系统调研SOI器件和电路国内外发展动向的基础上,分…
本论文用SILVACOTCAD模拟SOILDMOS的工艺流程,对氧化层厚度、掺杂种类和剂量、注入条件、刻蚀深度和范围等工艺参数进行了模拟，以用于相关的器件设计,并得到主要的电学性能特性曲线。.文中在普通结构SOILDMOS器件的基础上进一步引入了沟槽结构SOILDMOS...
SOI器件中浮体效应的研究进展301抑制浮体效应的工艺方法除了体接触，从工艺的角度出发采取的一些方法也能有效地抑制浮体效应。.这类方法主要是用注入、掺杂等工艺手段，对源极或漏极进行特殊的处理，如：注入Ge形成窄禁带源、源漏区深注入Ar形成...
而SOI材料(被称为21世纪的硅材料)采用低掺杂衬底结构可以抑制镜像电流,减小衬底能量损失,会大大降低片上元件的传输损耗。论文在硅和SOI衬底上进行了大量的实验研究,得出了一些结论。主要的研究工作如下:1.研究了不同衬底上共面波导(CPW)的损耗
本论文的主要工作分为四个部分。第一部分总结了SOI技术的发展历程、发展趋势及其所面临的巨大挑战。在这一部分中,重点总结了SOI技术相对于传统体硅技术的优越性,SOI材料方法,以及SOI技术在抗辐照、耐高温、高速、低功耗、低压等领域内的应用和
在理论和设计方面，本论文首先在基于SOI材料的光集成器件的模拟算法方面做了研究。由于SOI材料中作为波导芯层的硅折射率很大，与作为包层的SiO_2之间有很大的折射率差，这势必对模拟数值算法的精度和边界处理等方面提出了更高的要求。
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而SOI材料(被称为21世纪的硅材料)采用低掺杂衬底结构可以抑制镜像电流,减小衬底能量损失,会大大降低片上元件的传输损耗。论文在硅和SOI衬底上进行了大量的实验研究,得出了一些结论。主要的研究工作如下:1.研究了不同衬底上共面波导(CPW)的损耗
本论文的主要工作分为四个部分。第一部分总结了SOI技术的发展历程、发展趋势及其所面临的巨大挑战。在这一部分中,重点总结了SOI技术相对于传统体硅技术的优越性,SOI材料方法,以及SOI技术在抗辐照、耐高温、高速、低功耗、低压等领域内的应用和
在理论和设计方面，本论文首先在基于SOI材料的光集成器件的模拟算法方面做了研究。由于SOI材料中作为波导芯层的硅折射率很大，与作为包层的SiO_2之间有很大的折射率差，这势必对模拟数值算法的精度和边界处理等方面提出了更高的要求。
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