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摘要：SOI材料是近年来应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料.本文首先简要介绍了常见的SOI材料的方法,包括注氧隔离(SIMOX-SOI),硅键合背面腐蚀(BE-SOI)和注氢智能剥离(SmartCut)等,并比较了它们各自的特点和优劣.其次介绍了SOI材料制造...
压应力SiN薄膜应力约为-1.6GPa.基于SOI材料的热力学特性和尺寸效应,本论文提出了一种晶圆级单轴应变SOI制作新方法,该方法具有工艺简单,与Si工艺兼容,单轴应变度大等特点.基于SOI和SiN材料...
基于智能剥离技术的SOI材料作者舒斌，张鹤鸣，朱国良，樊敏，宣荣喜，ShuBin，ZhangHe-Ming，ZhuGuo-Liang，FanMin，XuanRong-Xi作者单位西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安...
在理论和设计方面，本论文首先在基于SOI材料的光集成器件的模拟算法方面做了研究。由于SOI材料中作为波导芯层的硅折射率很大，与作为包层的SiO_2之间有很大的折射率差，这势必对模拟数值算法的精度和边界处理等方面提出了更高的要求。
薄膜厚埋层SOI材料的新技术-在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功出薄膜厚...
离子注入SOI材料的总剂量辐照效应研究-由于SOI材料中绝缘埋层(BOX)的存在，SOI器件抗总剂量辐照效应的能力受到限制。针对该问题，为提高常规SIMOXSOI材料的抗总剂量水平，本论文对SIMOXSOI材料进行改性，并比较研究了其对总剂量辐...
SOI器件中浮体效应的研究进展作者：邢昆山作者单位：朱鸣,林成鲁(中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)，邢昆山(中国兵器工业第二一四研究所,蚌埠233042)刊名：功能材料与器件学报英文刊名：JOURNAL
中国博士学位论文全文数据库前1条1陈达;SOI、SGOI、GOI材料技术研究[D];兰州大学;2015年快捷付款方式订购知网充值卡订购热线帮助中心微信支付支付宝银行卡知网卡在线购卡更多>>免费送卡…
基于SOI材料的特点,本论文主要研究在SOI材料上集成高压功率开关电路,以及适合此集成电路的数模混合电路设计方法。同时,还研究了与这种电路设计相匹配的工艺流程,为工程上更好的实现这一混合电路提供了良好的技术平台。作者的主要工作是设计...
CMOS/SOI与铁电存储器（FeRAM）的工艺研究-SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，由于SOI材料的成本较高，原来它的应用主要局限在军工、航空航天等领域来制作耐高温和抗辐照电路。随着SOI衬底技术的发展，SOI国片成...
摘要：SOI材料是近年来应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料.本文首先简要介绍了常见的SOI材料的方法,包括注氧隔离(SIMOX-SOI),硅键合背面腐蚀(BE-SOI)和注氢智能剥离(SmartCut)等,并比较了它们各自的特点和优劣.其次介绍了SOI材料制造...
压应力SiN薄膜应力约为-1.6GPa.基于SOI材料的热力学特性和尺寸效应,本论文提出了一种晶圆级单轴应变SOI制作新方法,该方法具有工艺简单,与Si工艺兼容,单轴应变度大等特点.基于SOI和SiN材料...
基于智能剥离技术的SOI材料作者舒斌，张鹤鸣，朱国良，樊敏，宣荣喜，ShuBin，ZhangHe-Ming，ZhuGuo-Liang，FanMin，XuanRong-Xi作者单位西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安...
在理论和设计方面，本论文首先在基于SOI材料的光集成器件的模拟算法方面做了研究。由于SOI材料中作为波导芯层的硅折射率很大，与作为包层的SiO_2之间有很大的折射率差，这势必对模拟数值算法的精度和边界处理等方面提出了更高的要求。
薄膜厚埋层SOI材料的新技术-在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功出薄膜厚...
离子注入SOI材料的总剂量辐照效应研究-由于SOI材料中绝缘埋层(BOX)的存在，SOI器件抗总剂量辐照效应的能力受到限制。针对该问题，为提高常规SIMOXSOI材料的抗总剂量水平，本论文对SIMOXSOI材料进行改性，并比较研究了其对总剂量辐...
SOI器件中浮体效应的研究进展作者：邢昆山作者单位：朱鸣,林成鲁(中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)，邢昆山(中国兵器工业第二一四研究所,蚌埠233042)刊名：功能材料与器件学报英文刊名：JOURNAL
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基于SOI材料的特点,本论文主要研究在SOI材料上集成高压功率开关电路,以及适合此集成电路的数模混合电路设计方法。同时,还研究了与这种电路设计相匹配的工艺流程,为工程上更好的实现这一混合电路提供了良好的技术平台。作者的主要工作是设计...
CMOS/SOI与铁电存储器（FeRAM）的工艺研究-SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，由于SOI材料的成本较高，原来它的应用主要局限在军工、航空航天等领域来制作耐高温和抗辐照电路。随着SOI衬底技术的发展，SOI国片成...
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