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SIC晶体生长系统关键技术研究,碳化硅,晶体生长,有限元,热场分布,PVT法。随着微电子技术的发展,传统基于Si和GaAs半导体材料器件由于本身结构和特性,在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不...
KEYWORDSSiCcorrosion碳化硅材料具有比金属和金属间化合物好的高温强度和抗蠕变性能，比氧化物陶瓷好的热导率和抗热震性能碳化硅材料家族主要包括SiCSiC为主相的材料、SiC纤维增强陶瓷材料以及CVDSiC，它们得到了较广泛的应用.SiC基材料已被用来制作热...
2012-05-29会议论文被EI收录或检索是什么意思？1242008-05-25什么是sc或IE论文？72019-03-06sci和csie都是SCI吗2015-02-26有没有在sci或ie期刊免费发表论文12014-03-07如何查询文章有没有被EI收录62017-05-23哪里可以开具SCI索引收录检索证明4...
系统说明：CrossCheck/iThenticate论文检测系统。.SCI论文检测查重。.700+亿份在线和存档网页、135000000篇文章、书籍、会议记录、预印本、百科全书和摘要，69000000+付费学术文章、书籍和会议记录，可检测几乎所有语种的文章。.20.00.CrossCheck/iThenticate论文检测系统...
SiC作为第三代半导体材料，它的禁带宽度高达3.25eV,不仅击穿电场强度高，而且电子饱和速率和热导率都很高，这些优越性质使SiC器件能在高温、高电压、高频率状态下可靠运行，同时在保证高运行能力的情况下消耗最少的电能。
引人注目的SiC材料、器件和市场,MESFET,SIC,晶体管,肖特基二极管,SiC。半导体器件的基础是高性能的材料。1950年代的晶体管主要采用Ge,随后转用Si;1960年代集成电路在直径2英寸的Si...
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