发表服务
分子束外延（MBE）是通过加热固体材料源让其升华，沉积在靶材上形成晶体薄膜的技术。.分子束外延是一个物理沉积过程，中间不需要考虑化学反应的问题。.一般在1e-8Pa的超高真空下进行，在外延生长的过程中能够防止污染，而且在生长之前一般会通过退火...
全固源分子束外延生长InP和InGaAsP.在国产分子束外延设备的基础上,利用新型三温区阀控裂解源炉,对InP及InGaAsP材料的全固源分子束外延(SSMBE)生长进行了研究。.生长了高质量的InP外延层,表面缺陷密度为65cm-2,非故意掺杂电子浓度约为1×1016cm-3.InP...
气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料,气态源分子束外延,简要报告,光致发光谱,多量子阱,生长室。本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是GaAs（100）衬底上外延的晶格匹配的Iny（Ga1－xAlx）1－y...
一、分子束外延(MolecularBeamEpitaxy，MBE)简介在超高真空环境下，使具有一定热能的一种或多种分子(原子)束流到晶体衬底，在衬底表面发生反应的过程，山于分子在'飞行'过程中几乎与环境气体无碰撞，以分子束的形式射向衬底，进行外延生长，故此而得名。
作者：X-MOL2019-04-22最近，大热美剧《权力的游戏》最终季终于在万千粉丝的期待中开播。好剧值得等待，好论文也是一样。这不，前两天小希看文献的时候，看到一篇仅有四词标题的Science文章“Spincoatingepitaxialfilms”（记得哪位大牛说过，标题越短，论文可能就越有料），再仔细看看通讯作者...
第一作者：F.PelayoGarcíadeArquer通讯作者：EdwardH.Sargent教授通讯单位：多伦多大学论文DOI:10.1126/science.aaz8541全文速览在量子限域的半导体纳米结构中，电子会表现出与体相固体中不同…
单晶：分子束外延蒸发源坩埚、基片选择及真空度考虑热度12015-7-1507:16关注：1)分子束外延原理：分子束（蒸发源及背底真空控制）、外延(基片晶格匹配控制)2)蒸发源分类3)活性金属单晶(hf参观)STK-CellEvaporator的沉积...
摘要：由于量子限制效应,自组装生长的Ge量子点具有许多奇特的光学和电学性质,利用这些性质的器件,可能会在未来的集成电路和纳米电子学方有重要的应用前景.本论文利用自主研发的Si电子束蒸发器和建立的分子束外延设备,在Si衬底上外延生长出了表面平整的Si单晶薄膜.在Si外延薄膜表面...
使用分子束外延，观察到的非凡的电子结构展示了其在未来纳米器件和光电器件应用中的前景。体积单晶Te是窄带隙半导体（0.33eV）的理论研究提出了单层Te，α-Te，β-Te和γ-Te的三种结构类型，其中α-Te和β-Te分别为带隙为0.75和1.47eV的半导体。
3、分子束外延系统（MBE，MolecularBeamEpitaxySystem）设备名称：分子束外延系统。设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件…
分子束外延（MBE）是通过加热固体材料源让其升华，沉积在靶材上形成晶体薄膜的技术。.分子束外延是一个物理沉积过程，中间不需要考虑化学反应的问题。.一般在1e-8Pa的超高真空下进行，在外延生长的过程中能够防止污染，而且在生长之前一般会通过退火...
全固源分子束外延生长InP和InGaAsP.在国产分子束外延设备的基础上,利用新型三温区阀控裂解源炉,对InP及InGaAsP材料的全固源分子束外延(SSMBE)生长进行了研究。.生长了高质量的InP外延层,表面缺陷密度为65cm-2,非故意掺杂电子浓度约为1×1016cm-3.InP...
气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料,气态源分子束外延,简要报告,光致发光谱,多量子阱,生长室。本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是GaAs（100）衬底上外延的晶格匹配的Iny（Ga1－xAlx）1－y...
一、分子束外延(MolecularBeamEpitaxy，MBE)简介在超高真空环境下，使具有一定热能的一种或多种分子(原子)束流到晶体衬底，在衬底表面发生反应的过程，山于分子在'飞行'过程中几乎与环境气体无碰撞，以分子束的形式射向衬底，进行外延生长，故此而得名。
作者：X-MOL2019-04-22最近，大热美剧《权力的游戏》最终季终于在万千粉丝的期待中开播。好剧值得等待，好论文也是一样。这不，前两天小希看文献的时候，看到一篇仅有四词标题的Science文章“Spincoatingepitaxialfilms”（记得哪位大牛说过，标题越短，论文可能就越有料），再仔细看看通讯作者...
第一作者：F.PelayoGarcíadeArquer通讯作者：EdwardH.Sargent教授通讯单位：多伦多大学论文DOI:10.1126/science.aaz8541全文速览在量子限域的半导体纳米结构中，电子会表现出与体相固体中不同…
单晶：分子束外延蒸发源坩埚、基片选择及真空度考虑热度12015-7-1507:16关注：1)分子束外延原理：分子束（蒸发源及背底真空控制）、外延(基片晶格匹配控制)2)蒸发源分类3)活性金属单晶(hf参观)STK-CellEvaporator的沉积...
摘要：由于量子限制效应,自组装生长的Ge量子点具有许多奇特的光学和电学性质,利用这些性质的器件,可能会在未来的集成电路和纳米电子学方有重要的应用前景.本论文利用自主研发的Si电子束蒸发器和建立的分子束外延设备,在Si衬底上外延生长出了表面平整的Si单晶薄膜.在Si外延薄膜表面...
使用分子束外延，观察到的非凡的电子结构展示了其在未来纳米器件和光电器件应用中的前景。体积单晶Te是窄带隙半导体（0.33eV）的理论研究提出了单层Te，α-Te，β-Te和γ-Te的三种结构类型，其中α-Te和β-Te分别为带隙为0.75和1.47eV的半导体。
3、分子束外延系统（MBE，MolecularBeamEpitaxySystem）设备名称：分子束外延系统。设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件…
发表服务