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二硒化钨及其复合材料的与性能的研究.氢气是一种新型、高能量密度的清洁能源。.铂（Pt）是一种利用电催化析氢反应（HydrogenEvolutionReaction,HER）从水中氢气的高效贵金属电催化剂。.然而，铂的稀缺性及昂贵成本，极大地制约了其大规模应用...
块状的二硒化钨呈现黑色或者灰色无气味固体，拥有十分好的热稳定性和高融化温度，并具有十分优异的半导体性质，其禁带宽度通常在1.2eV-2eV之间[10,11]兰州大学硕士研究生学位论文大尺寸二硒化钨薄膜的CVD法可控及其光学性质研究二硒化钨是一
单层二硒化钨及其合金的与器件的研究-材料物理与化学专业论文.pdf.docx,万方数据万方数据摘要摘要摘要摘要具有优异的电子和光学性质的二维层状半导体材料为原子层厚度的电子器件和光电子器件的应用打开了一扇大门。单层的过渡金属硫属化物，例如MoS2，WS2，MoSe2和WSe2由于其…
2二维二硒化钨的和光学性质的研究.第24-37页.2.1基本理论与技术.第24-26页.2.1.1光学性能表征所需仪器及原理简介.第24-25页.2.1.2时间分辨泵浦探测技术.第25-26页.2.2二维二硒化钨的…
InfoMat：二维二硒化钨的设计及其在信息技术的应用.2020年03月23日bymaterialsviewschina.二维过渡金属硫属化合物（TMDCs）在光电子器件和能源器件等领域具有广阔的应用前景，表现出优良的光电性能，其自身还兼具独特的柔性，可以用下一代柔性的可穿戴...
二维二硒化钨光电性能的研究-过渡金属二硫化物具有类似石墨烯的优异电学、光学性能,对其进行基础性能研究,为这类材料在诸多领域的应用奠定基础。WSe2是一种典型的过渡金属二硫化物,本文以探究WSe2光电性能为目的,围绕WSe2二...
最后，对二硒化钨的后续及柔性电子应用，以及其在能谷电子学和自旋电子学等方向的潜力，做出了展望。3.图文导读图1WSe2的结构、性质和应用。介绍了基本设备，包括光电探测器、气体传感器和场效应晶体管。
一种基于sic和二硒化钨异质结的光电二极管及其方法技术领域1.本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种基于sic和二硒化钨异质结的光电二极管及其方法。背景技术：2.光电探测器在光通信、光谱分析、安全监测、红外成像、天文探测等领域都有广泛的应用。
二硒化钨助芯片小型化高速化发展.随着人工智能、物联网、边缘计算等新兴电子应用产业的蓬勃发展，对信息高效处理的需求愈发迫切，南京大学物理学院教授缪峰团队利用二维层状半导体材料二硒化钨，成功打造二维可重构器件，实现数字和类脑电路的减负...
多层二硒化钨晶体管器件中的异常电荷存储态.随着新型二维半导体材料，如石墨烯、二硫化钼（MoS2）、二硒化钨（WSe2）在纳米电子器件领域的不断推广应用，二维材料内部的电荷捕获过程逐渐受到更多的关注。.人们一方面为这一电荷捕获过程是否会对器件...
二硒化钨及其复合材料的与性能的研究.氢气是一种新型、高能量密度的清洁能源。.铂（Pt）是一种利用电催化析氢反应（HydrogenEvolutionReaction,HER）从水中氢气的高效贵金属电催化剂。.然而，铂的稀缺性及昂贵成本，极大地制约了其大规模应用...
块状的二硒化钨呈现黑色或者灰色无气味固体，拥有十分好的热稳定性和高融化温度，并具有十分优异的半导体性质，其禁带宽度通常在1.2eV-2eV之间[10,11]兰州大学硕士研究生学位论文大尺寸二硒化钨薄膜的CVD法可控及其光学性质研究二硒化钨是一
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2二维二硒化钨的和光学性质的研究.第24-37页.2.1基本理论与技术.第24-26页.2.1.1光学性能表征所需仪器及原理简介.第24-25页.2.1.2时间分辨泵浦探测技术.第25-26页.2.2二维二硒化钨的…
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二维二硒化钨光电性能的研究-过渡金属二硫化物具有类似石墨烯的优异电学、光学性能,对其进行基础性能研究,为这类材料在诸多领域的应用奠定基础。WSe2是一种典型的过渡金属二硫化物,本文以探究WSe2光电性能为目的,围绕WSe2二...
最后，对二硒化钨的后续及柔性电子应用，以及其在能谷电子学和自旋电子学等方向的潜力，做出了展望。3.图文导读图1WSe2的结构、性质和应用。介绍了基本设备，包括光电探测器、气体传感器和场效应晶体管。
一种基于sic和二硒化钨异质结的光电二极管及其方法技术领域1.本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种基于sic和二硒化钨异质结的光电二极管及其方法。背景技术：2.光电探测器在光通信、光谱分析、安全监测、红外成像、天文探测等领域都有广泛的应用。
二硒化钨助芯片小型化高速化发展.随着人工智能、物联网、边缘计算等新兴电子应用产业的蓬勃发展，对信息高效处理的需求愈发迫切，南京大学物理学院教授缪峰团队利用二维层状半导体材料二硒化钨，成功打造二维可重构器件，实现数字和类脑电路的减负...
多层二硒化钨晶体管器件中的异常电荷存储态.随着新型二维半导体材料，如石墨烯、二硫化钼（MoS2）、二硒化钨（WSe2）在纳米电子器件领域的不断推广应用，二维材料内部的电荷捕获过程逐渐受到更多的关注。.人们一方面为这一电荷捕获过程是否会对器件...
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