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二硒化钨及其复合材料的与性能的研究.氢气是一种新型、高能量密度的清洁能源。.铂（Pt）是一种利用电催化析氢反应（HydrogenEvolutionReaction,HER）从水中氢气的高效贵金属电催化剂。.然而，铂的稀缺性及昂贵成本，极大地制约了其大规模应用...
单层二硒化钨及其合金的与器件的研究-材料物理与化学专业论文.pdf.docx,万方数据万方数据摘要摘要摘要摘要具有优异的电子和光学性质的二维层状半导体材料为原子层厚度的电子器件和光电子器件的应用打开了一扇大门。单层的过渡金属硫属化物，例如MoS2，WS2，MoSe2和WSe2由于其…
单层二硒化钨及其合金的与器件的研究.【摘要】：具有优异的电子和光学性质的二维层状半导体材料为原子层厚度的电子器件和光电子器件的应用打开了一扇大门。.单层的过渡金属硫属化物,例如MoS2,WS2,MoSe2和WSe2由于其非常优异的电子和光电子性质引起了...
块状的二硒化钨呈现黑色或者灰色无气味固体，拥有十分好的热稳定性和高融化温度，并具有十分优异的半导体性质，其禁带宽度通常在1.2eV-2eV之间[10,11]兰州大学硕士研究生学位论文大尺寸二硒化钨薄膜的CVD法可控及其光学性质研究二硒化钨是一
InfoMat：二维二硒化钨的设计及其在信息技术的应用.2020年03月23日bymaterialsviewschina.二维过渡金属硫属化合物（TMDCs）在光电子器件和能源器件等领域具有广阔的应用前景，表现出优良的光电性能，其自身还兼具独特的柔性，可以用下一代柔性的可穿戴...
2.3.1二维二硒化钨结构分析第31-33页2.3.2二维二硒化钨光致发光特性第33-34页2.3.3单层二硒化钨激子的寿命第34-36页2.4本章小结第36-37页3二维二硒化钨场效应晶体管电学性质的研究第37-44页3.1场效应晶体管简介
硒化钨纳米复合材料的及光催化降解有机化合物的研究.安佰红.【摘要】：随着化工、造纸、纺织等行业的发展,水污染问题不断被媒体报道,引起了人们的重视。.光催化氧化技术是近年来研究的热点,它不仅可以利用清洁无污染的太阳能而且还可选择性的...
黑磷-二硒化钨器件的电学表征（a）器件结构示意图；（b）在不同栅压下的Ids-Vds曲线；（c）漏极电压从-0.5V到0.5V时的栅极可调Id-Vg转移曲线。图2.黑磷-二硒化钨光探测器的光电流（a）在不同光功率密度的可见光（637nm）的照射下的Iph-Vds曲线；
二维二硒化钨光电性能的研究-过渡金属二硫化物具有类似石墨烯的优异电学、光学性能,对其进行基础性能研究,为这类材料在诸多领域的应用奠定基础。WSe2是一种典型的过渡金属二硫化物,本文以探究WSe2光电性能为目的,围绕WSe2二...
这一技术突破为二硒化钨这一新型半导体材料的先进应用创造了新机遇。NUS科学与工程研究生院（NGS）博士研究生、论文的第一作者王卓女士解释说，“这是首次证明金电浆纳米结构能够提高二硒化钨光致发光效率的工作，我们必须设法实现这种纳米材料的光吸收和发射效率空前提高。
二硒化钨及其复合材料的与性能的研究.氢气是一种新型、高能量密度的清洁能源。.铂（Pt）是一种利用电催化析氢反应（HydrogenEvolutionReaction,HER）从水中氢气的高效贵金属电催化剂。.然而，铂的稀缺性及昂贵成本，极大地制约了其大规模应用...
单层二硒化钨及其合金的与器件的研究-材料物理与化学专业论文.pdf.docx,万方数据万方数据摘要摘要摘要摘要具有优异的电子和光学性质的二维层状半导体材料为原子层厚度的电子器件和光电子器件的应用打开了一扇大门。单层的过渡金属硫属化物，例如MoS2，WS2，MoSe2和WSe2由于其…
单层二硒化钨及其合金的与器件的研究.【摘要】：具有优异的电子和光学性质的二维层状半导体材料为原子层厚度的电子器件和光电子器件的应用打开了一扇大门。.单层的过渡金属硫属化物,例如MoS2,WS2,MoSe2和WSe2由于其非常优异的电子和光电子性质引起了...
块状的二硒化钨呈现黑色或者灰色无气味固体，拥有十分好的热稳定性和高融化温度，并具有十分优异的半导体性质，其禁带宽度通常在1.2eV-2eV之间[10,11]兰州大学硕士研究生学位论文大尺寸二硒化钨薄膜的CVD法可控及其光学性质研究二硒化钨是一
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2.3.1二维二硒化钨结构分析第31-33页2.3.2二维二硒化钨光致发光特性第33-34页2.3.3单层二硒化钨激子的寿命第34-36页2.4本章小结第36-37页3二维二硒化钨场效应晶体管电学性质的研究第37-44页3.1场效应晶体管简介
硒化钨纳米复合材料的及光催化降解有机化合物的研究.安佰红.【摘要】：随着化工、造纸、纺织等行业的发展,水污染问题不断被媒体报道,引起了人们的重视。.光催化氧化技术是近年来研究的热点,它不仅可以利用清洁无污染的太阳能而且还可选择性的...
黑磷-二硒化钨器件的电学表征（a）器件结构示意图；（b）在不同栅压下的Ids-Vds曲线；（c）漏极电压从-0.5V到0.5V时的栅极可调Id-Vg转移曲线。图2.黑磷-二硒化钨光探测器的光电流（a）在不同光功率密度的可见光（637nm）的照射下的Iph-Vds曲线；
二维二硒化钨光电性能的研究-过渡金属二硫化物具有类似石墨烯的优异电学、光学性能,对其进行基础性能研究,为这类材料在诸多领域的应用奠定基础。WSe2是一种典型的过渡金属二硫化物,本文以探究WSe2光电性能为目的,围绕WSe2二...
这一技术突破为二硒化钨这一新型半导体材料的先进应用创造了新机遇。NUS科学与工程研究生院（NGS）博士研究生、论文的第一作者王卓女士解释说，“这是首次证明金电浆纳米结构能够提高二硒化钨光致发光效率的工作，我们必须设法实现这种纳米材料的光吸收和发射效率空前提高。
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