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摘要:阻变存储器(resistiverandomaccessmemory,RRAM)作为未来一种高性能的非挥发性存储器,具有面积小、操作电压低、兼容性好等特点.但是,在高集成存储器和频繁的写操作下,热串扰问题会严重影响RRAM的保持特性.严重情况下,热串扰问题甚至会造成一系列的错误翻转.因此,本文引入了一种高效…
RRAM的研究应用还有广阔的空间值得人们去研究探寻，还有许多困难与挑战亟待人们去积极面对。.近几年，国内外研究者陆续开始对RRAM研究的现状进行综述总结[26-29]，为进一步的探究工作打下了基础。.由于RRAM研究仍处于共识与争论并存、理论尚未统一的...
本文采用SMIC0.18μmCMOS工艺,设计了一种基于阻变随机存储器(RRAM)的加法器电路.区别于传统的蕴含逻辑(IMP)型加法器,本设计选取新型的多数表决器逻辑(Majority-InverterGraph,MIG)实现加法运算.文中设计并验证了基于MIG逻辑的一位全...
关于2019年4月北京市自学考试《计算机及应用》专业毕业论文答辩工作安排日前，以北京大学为第一作者单位的9篇论文在美国旧金山举行的电气电子工程师学会（IEEE）电子器件大会（IEDM2018）上发表。北大是IEDM2018接收来自全世界论文最多的高校，这也是IEDM历史上首次由中国高校在论文...
我国在新型存储、类脑计算、神经形态器件、新型沟道材料晶体管等方向取得突破性进展！.毕杰EETOP.12人赞同了该文章.IEEE国际电子器件大会（IEDM）始于1954年，现已成为全球报道半导体及电子领域最新的科技、研发设计、制造、物理学及建模技术的主要论坛...
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相关论文发表在最近一期《自然·纳米技术》杂志上。目前，用机器学习来处理大数据越来越受重视。不过现有的机器学习只是基于现有硬件架构在算法上进行革新，在学习和推理过程中仍需不断在处理器和存储器之间转移大量数据，造成速度上的瓶颈和很高的能耗。
三、中国内地在VLSI论文入选情况.笔者查阅了VLSI相关文档，根据对第一作者所在单位的统计，截止2019年的VLSI，中国内地在VLSI总共入选论文39篇，其中VLSI技术研讨会18篇，VLSI电路研讨会21篇。.39篇论文按第一作者所在单位来看，北京大学以10篇居首，清华大学以9...
这项研究发表在科学期刊《NatureCommunications》上，论文名称为《使用计算相变存储器进行精确的深度神经网络推理（Accuratedeepneuralnetworkinferenceusingcomputationalphase-changememory）》。
微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展。近日，2018国际电子器件大会(IEDM)在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件...
摘要:阻变存储器(resistiverandomaccessmemory,RRAM)作为未来一种高性能的非挥发性存储器,具有面积小、操作电压低、兼容性好等特点.但是,在高集成存储器和频繁的写操作下,热串扰问题会严重影响RRAM的保持特性.严重情况下,热串扰问题甚至会造成一系列的错误翻转.因此,本文引入了一种高效…
RRAM的研究应用还有广阔的空间值得人们去研究探寻，还有许多困难与挑战亟待人们去积极面对。.近几年，国内外研究者陆续开始对RRAM研究的现状进行综述总结[26-29]，为进一步的探究工作打下了基础。.由于RRAM研究仍处于共识与争论并存、理论尚未统一的...
本文采用SMIC0.18μmCMOS工艺,设计了一种基于阻变随机存储器(RRAM)的加法器电路.区别于传统的蕴含逻辑(IMP)型加法器,本设计选取新型的多数表决器逻辑(Majority-InverterGraph,MIG)实现加法运算.文中设计并验证了基于MIG逻辑的一位全...
关于2019年4月北京市自学考试《计算机及应用》专业毕业论文答辩工作安排日前，以北京大学为第一作者单位的9篇论文在美国旧金山举行的电气电子工程师学会（IEEE）电子器件大会（IEDM2018）上发表。北大是IEDM2018接收来自全世界论文最多的高校，这也是IEDM历史上首次由中国高校在论文...
我国在新型存储、类脑计算、神经形态器件、新型沟道材料晶体管等方向取得突破性进展！.毕杰EETOP.12人赞同了该文章.IEEE国际电子器件大会（IEDM）始于1954年，现已成为全球报道半导体及电子领域最新的科技、研发设计、制造、物理学及建模技术的主要论坛...
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相关论文发表在最近一期《自然·纳米技术》杂志上。目前，用机器学习来处理大数据越来越受重视。不过现有的机器学习只是基于现有硬件架构在算法上进行革新，在学习和推理过程中仍需不断在处理器和存储器之间转移大量数据，造成速度上的瓶颈和很高的能耗。
三、中国内地在VLSI论文入选情况.笔者查阅了VLSI相关文档，根据对第一作者所在单位的统计，截止2019年的VLSI，中国内地在VLSI总共入选论文39篇，其中VLSI技术研讨会18篇，VLSI电路研讨会21篇。.39篇论文按第一作者所在单位来看，北京大学以10篇居首，清华大学以9...
这项研究发表在科学期刊《NatureCommunications》上，论文名称为《使用计算相变存储器进行精确的深度神经网络推理（Accuratedeepneuralnetworkinferenceusingcomputationalphase-changememory）》。
微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展。近日，2018国际电子器件大会(IEDM)在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件...
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