发表服务
论文编号：XW3539715点此查看论文目录.论文题目：阻变存储器（RRAM）器件特性与模型研究.论文分类：工业技术论文→自动化技术、计算机技术论文→计算技术、计算机技术论文→电子数字计算机（不连续作用电子计算机）论文→存贮器论文.
阻变存储器以其卓越的特性受到学术领域和工业领域的高度重视。.本文针对基于ZrO2与Si3N4薄膜的阻变存储器展开研究,主要内容如下:1.论文对Ti/ZrO2/PtRRAM器件的直流转换、阻变机制、导电机制等方面的特性进行研究。.研究器件的C-V与C-F特性发现器件高阻态时...
RRAM的研究应用还有广阔的空间值得人们去研究探寻，还有许多困难与挑战亟待人们去积极面对。.近几年，国内外研究者陆续开始对RRAM研究的现状进行综述总结[26-29]，为进一步的探究工作打下了基础。.由于RRAM研究仍处于共识与争论并存、理论尚未统一的...
相关论文发表在AdvancedElectronicMaterials上。FiledUnder:器件,电子,纳米TaggedWith:AdvancedElectronicMaterials,RRAM,串扰问题.氧化镍纳米点内建同质结,清华大学
2、来自ISCA2016的一篇论文PRIME:ANovelProcessing-in-memoryArchitectureforNeuralNetworkComputationinReRAM-basedMainMemory让人眼前一亮，这是来自原文的一段话：“Ourexperimentalresultsshowthat,comparedwithastate-of-the-art
论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2（图2）。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionand的论文
RRAM（氧化物基和导电桥基[107]）是电场驱动器件，依靠丝极的形成来模拟可编程电阻。RRAM容易出现因设备、因周期的变化[110,111]，这是这一技术的主要障碍。PCMS包括夹在两个电极之间的硫系材料，可以在非晶态（高电阻）和晶态（低电阻）之间
RRAM存算一体化乘法器的集成电路设计.尹志强.【摘要】：随之CMOS工艺进入7nm制程时代,摩尔定律确定的“摩尔时代”即将终结,微电子行业迫切地需要新一代器件来引导整个行业往下发展。.此外,传统冯-诺依曼体系构架的计算机,由于处理器性能和存储器性能...
微电子所许晓欣副研究员为论文第一作者。图1（a）14nmFinFET平台开发的RRAM结构示意图。b）RRAM单元的TEM横截面图像。（c）2Finger结构的逻辑器件。（d）RRAM的叠层结构图2RRAM单元的基本电学特性。（a）IV特性曲线；（b）4Kb存储阵列
此外,RRAM器件的三维高密度阵列集成也是亟待解决的问题。本论文以阻变存储器为着手点,围绕着阻变器件的电阻转变机理以及三维集成阵列操作过程中的焦耳热效应两个重要问题进行建模研究,具体工作和所取得的创新研究成果包括：1)提出了氧空位类型...
论文编号：XW3539715点此查看论文目录.论文题目：阻变存储器（RRAM）器件特性与模型研究.论文分类：工业技术论文→自动化技术、计算机技术论文→计算技术、计算机技术论文→电子数字计算机（不连续作用电子计算机）论文→存贮器论文.
阻变存储器以其卓越的特性受到学术领域和工业领域的高度重视。.本文针对基于ZrO2与Si3N4薄膜的阻变存储器展开研究,主要内容如下:1.论文对Ti/ZrO2/PtRRAM器件的直流转换、阻变机制、导电机制等方面的特性进行研究。.研究器件的C-V与C-F特性发现器件高阻态时...
RRAM的研究应用还有广阔的空间值得人们去研究探寻，还有许多困难与挑战亟待人们去积极面对。.近几年，国内外研究者陆续开始对RRAM研究的现状进行综述总结[26-29]，为进一步的探究工作打下了基础。.由于RRAM研究仍处于共识与争论并存、理论尚未统一的...
相关论文发表在AdvancedElectronicMaterials上。FiledUnder:器件,电子,纳米TaggedWith:AdvancedElectronicMaterials,RRAM,串扰问题.氧化镍纳米点内建同质结,清华大学
2、来自ISCA2016的一篇论文PRIME:ANovelProcessing-in-memoryArchitectureforNeuralNetworkComputationinReRAM-basedMainMemory让人眼前一亮，这是来自原文的一段话：“Ourexperimentalresultsshowthat,comparedwithastate-of-the-art
论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2（图2）。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionand的论文
RRAM（氧化物基和导电桥基[107]）是电场驱动器件，依靠丝极的形成来模拟可编程电阻。RRAM容易出现因设备、因周期的变化[110,111]，这是这一技术的主要障碍。PCMS包括夹在两个电极之间的硫系材料，可以在非晶态（高电阻）和晶态（低电阻）之间
RRAM存算一体化乘法器的集成电路设计.尹志强.【摘要】：随之CMOS工艺进入7nm制程时代,摩尔定律确定的“摩尔时代”即将终结,微电子行业迫切地需要新一代器件来引导整个行业往下发展。.此外,传统冯-诺依曼体系构架的计算机,由于处理器性能和存储器性能...
微电子所许晓欣副研究员为论文第一作者。图1（a）14nmFinFET平台开发的RRAM结构示意图。b）RRAM单元的TEM横截面图像。（c）2Finger结构的逻辑器件。（d）RRAM的叠层结构图2RRAM单元的基本电学特性。（a）IV特性曲线；（b）4Kb存储阵列
此外,RRAM器件的三维高密度阵列集成也是亟待解决的问题。本论文以阻变存储器为着手点,围绕着阻变器件的电阻转变机理以及三维集成阵列操作过程中的焦耳热效应两个重要问题进行建模研究,具体工作和所取得的创新研究成果包括：1)提出了氧空位类型...
发表服务