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PZT铁电薄膜实验报告.doc,材料科学与工程学院基地班创新和任选实验论文高度取向锆钛酸铅铁电薄膜材料及性能优化姓名：严岑琪学号：200900150260指导教师：欧阳俊日期：2013.1.5目录一、研究背景简介及研究意义31.1PZT薄膜研究...
硕士学位论文磁控溅射法PZT薄膜研究StudyPZTthin俐mdepositedviamagnetronsputteringmethod作者姓名：学号：21004104完成日期：2013．5．5大连理工大学DalianUniversityTechnology大连理工大学学位论文独创性声明作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的成果。
PZT铁电薄膜实验报告计划要点计划.docx,精品文档精品文档PAGEPAGE17精品文档PAGE材料科学与工程学院基地班创新和任选实验论文高度取向锆钛酸铅铁电薄膜材料及性能优化姓名：严岑琪学号：200900150260指导教师：欧阳俊...
实验结果表明其光响应性能与铁电性能成正相关关系。最后我们在低温条件下(260℃)采用柔性衬底制作了PZT薄膜光电探测器,在聚酰亚胺衬底上了PZT铁电薄膜,与Si衬底PZT薄膜样品相比较,其薄膜表有较多缺陷,导致了铁电性能上的下降。
本课题使用了La和W元素掺杂PZT薄膜,实验结果表明:适量的A位的La掺杂或B位的W掺杂都可以明显改善PZT薄膜的介电性能、铁电性能和铁电疲劳性能。.其中La元素掺杂的最佳浓度是2mol%,而W元素掺杂的PZTW薄膜介电性能、铁电性能和铁电疲劳性能随着掺杂浓度的增大而...
压电薄膜及硅微压电换能器的研究.ZnO和PZT薄膜是两种最主要的声学换能材料，由它们构成的硅微换能器是一种重要的声学MEMS器件。.相对硅微电容式换能器，压电换能器具有不需要偏置电压、工艺简单、低阻抗等优点，但灵敏度比较低。.本文正是以...
（2）对基于磁控溅射法PZT的基准溅射工艺及实验步骤进行了探究，基于良好的晶格匹配度和相近的热膨胀系数，选择Pt作为底电极，通过对比实验得到底电极Pt层在300℃热处理30min后，溅射沉积PZT薄膜的附着性更好，表面较为致密。
表1-3实验测得的不同Zr/Ti比PZT薄膜的特性Zr/TiratioPropertyMeasurementCinditions47/5330/7017/832PSwitchingchargePulse,5V,3s1438340.71.31.63850898011000BasicPropertiesHysteresisloop5V,10kHzsaw-toothwave7104203405V-drive
图2薄膜PZT沉积技术PZT薄膜制造的竞争才刚刚开始，并且未来5年内的走势都非常有趣。本报告评估了各种PZT薄膜沉积技术及其应用趋势，并加以比较。此外，本报告提出了一个路线图，涵盖每个关键公司进入该市场的时间。最后，我们还给出2013-2018年
本报告分析并对比了两个超声波换能器、六个喷墨打印头、五个MEMS芯片和三个射频器件。.本报告还包括系统或芯片中的压电材料分析和成本预估。.我们对压电材料和电极进行完整拆解和分析，以揭示不同厂商的技术选择。.最后，本报告还将不同压电器件进行...
PZT铁电薄膜实验报告.doc,材料科学与工程学院基地班创新和任选实验论文高度取向锆钛酸铅铁电薄膜材料及性能优化姓名：严岑琪学号：200900150260指导教师：欧阳俊日期：2013.1.5目录一、研究背景简介及研究意义31.1PZT薄膜研究...
硕士学位论文磁控溅射法PZT薄膜研究StudyPZTthin俐mdepositedviamagnetronsputteringmethod作者姓名：学号：21004104完成日期：2013．5．5大连理工大学DalianUniversityTechnology大连理工大学学位论文独创性声明作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的成果。
PZT铁电薄膜实验报告计划要点计划.docx,精品文档精品文档PAGEPAGE17精品文档PAGE材料科学与工程学院基地班创新和任选实验论文高度取向锆钛酸铅铁电薄膜材料及性能优化姓名：严岑琪学号：200900150260指导教师：欧阳俊...
实验结果表明其光响应性能与铁电性能成正相关关系。最后我们在低温条件下(260℃)采用柔性衬底制作了PZT薄膜光电探测器,在聚酰亚胺衬底上了PZT铁电薄膜,与Si衬底PZT薄膜样品相比较,其薄膜表有较多缺陷,导致了铁电性能上的下降。
本课题使用了La和W元素掺杂PZT薄膜,实验结果表明:适量的A位的La掺杂或B位的W掺杂都可以明显改善PZT薄膜的介电性能、铁电性能和铁电疲劳性能。.其中La元素掺杂的最佳浓度是2mol%,而W元素掺杂的PZTW薄膜介电性能、铁电性能和铁电疲劳性能随着掺杂浓度的增大而...
压电薄膜及硅微压电换能器的研究.ZnO和PZT薄膜是两种最主要的声学换能材料，由它们构成的硅微换能器是一种重要的声学MEMS器件。.相对硅微电容式换能器，压电换能器具有不需要偏置电压、工艺简单、低阻抗等优点，但灵敏度比较低。.本文正是以...
（2）对基于磁控溅射法PZT的基准溅射工艺及实验步骤进行了探究，基于良好的晶格匹配度和相近的热膨胀系数，选择Pt作为底电极，通过对比实验得到底电极Pt层在300℃热处理30min后，溅射沉积PZT薄膜的附着性更好，表面较为致密。
表1-3实验测得的不同Zr/Ti比PZT薄膜的特性Zr/TiratioPropertyMeasurementCinditions47/5330/7017/832PSwitchingchargePulse,5V,3s1438340.71.31.63850898011000BasicPropertiesHysteresisloop5V,10kHzsaw-toothwave7104203405V-drive
图2薄膜PZT沉积技术PZT薄膜制造的竞争才刚刚开始，并且未来5年内的走势都非常有趣。本报告评估了各种PZT薄膜沉积技术及其应用趋势，并加以比较。此外，本报告提出了一个路线图，涵盖每个关键公司进入该市场的时间。最后，我们还给出2013-2018年
本报告分析并对比了两个超声波换能器、六个喷墨打印头、五个MEMS芯片和三个射频器件。.本报告还包括系统或芯片中的压电材料分析和成本预估。.我们对压电材料和电极进行完整拆解和分析，以揭示不同厂商的技术选择。.最后，本报告还将不同压电器件进行...
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