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PN结正向电压温度特性研究五、实验内容与步骤1．测量PN结正向伏安特性曲线。由式（4）可以看出，在温度不变的条件下，PN结的正向电流IF与电压VF呈指数曲线关系，本实验要求绘出室温和t=40℃两条PN结伏安曲线。
纳米尺度范德华异质结的电学与光电子学特性研究.高安远.【摘要】：PN结是电子学和光电子学器件的核心部件。.随着器件的尺寸越来越小,纳米尺度PN异质结的研究显得尤为重要。.然而,因为悬挂键和晶格失配,传统材料很难实现原子级平整的异质结界面,限制...
本论文本文主要着重于发光二极管的电学特性参数的测量，在阐述发光二极管的结构特点特点的同时，进一步介绍了LED一些重要的特征参数及其测量方法。还介绍了一种用于测量LED的电学特性参数时用到的数控电压源和数控电流源的设计。
给大家展示几个例子：.1.p-GaN.求得图&阈值IVBV(代码只到Vth)：.IV.BV.2.mos.3.finfet.下面是VthIVBV求解代码：.BV程序#goatlas#启动ATLASmeshinfile=VDMOS_BV_0.str#输入前文编辑的器件结构的网格文件modelsanalyticconmobfldmobsrhaugerfermioptrbgnprint#中使用…
低能离子束轰击碲镉汞pn结电学特性的研究.用低能离子束轰击工艺了3～5μm及8～10μm碲镉汞pn结,研究了它们的电流－电压及电容－电压特性,发现该pn结为缓变结,与通常认为的关于低能离子束轰击p型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合
【精品专业论文】600VVDMOS的设计与研究,精品专业论文,电子,机械,机械设计,电器,工业,自动化,吉林大学,清华大学号：TN802单位代码：10183研究生学号：2008512066硕士学位论文600VVDMOS的设计与研究DesignVerticalDouble-diffused...
沟槽式肖特基势垒二极管电学性能研究.【摘要】：自从平面肖特基二极管产生以来,就受到了人们的高度关注。.平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性质使得其在太阳能电池,开关电源、汽车以及手机等多个领域都有着巨大...
本文关键词：透明氧化物半导体薄膜的及其光电特性的研究更多相关文章：磁控溅射ZnO:Ga靶材NiO:Cu靶材ZnO:Ga薄膜NiO:Cu薄膜pn结Ⅰ-Ⅴ曲线光电特性【摘要】：以ZnO、Ga_2O_3、NiO、CuO等粉末为原料,采用固相反应法了ZnO:Ga和NiO:Cu陶瓷靶材。...
铁电局域场调控二维半导体及其异质结构的光电特性研究.陈艳.【摘要】：随着半导体技术的发展,传统半导体材料和器件面临着越来越多的挑战。.近年来,二维材料的兴起为半导体路线的发展提供了新的机遇。.人们在二维材料及其异质结构中发现了许多新奇...
采用最新的鳍式结构的硅晶体管,目前达到了7nm的工艺节点,其中它的鳍宽度(沟道厚度)已近缩小到5nm。但是继续缩小硅晶体管的沟道厚度,超薄的硅薄膜会产生大量的缺陷,将会严重影响硅晶体管的迁移率…
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