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四川大学硕士学位论文常压射频冷等离子体系统及其在光刻胶去除技术中的应用姓名：李海江申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：石瑞英2005051527583S常压射频冷等离子体系统及其在光刻胶去除技术中的应用凝聚态物理专ik研究生：李海江指导教师：石瑞英光刻胶去除技术在微...
上海交通大学硕士学位论文等离子体去胶对低介电常数材料损伤的研究姓名：周旭升申请学位级别：硕士专业：软件工程（集成电路）指导教师：程秀兰;倪图强20080531体去胶对低介电常数材料的损伤，使其满足量产的要求。
图1.8带气体扩散器的去胶机结构示意图Fig.1.8StructurePRstripperdiffuser最近，在某一知名的世界半导体生产商厂的含CF4去胶机的开发过程中，均发现这种含有CF4的去胶机如果将气体扩散器暴露在含氟的等离子体中，其光刻胶的气体扩散器灰化率会大大
直至六十年代末才发现氧等离子体可用于去除残留碳化物，并成功地用于等离子体去胶工艺中。随后很快地发展了半导体器件工艺中的干法刻蚀技术。自七十年代初，以辉光放电产生的气体等离子体…
氧等离子体结合一些氩、氮等离子体轰击，注意时间不要太久，再用湿法，来来回回，就可以啦。是否是氧等离子和超声清洗结合在一下反复做。等离子中的气体流量和射频功率，超声的频率等技术…
正常去胶前，因胶比多晶条略宽，主要特征为：多晶条两边都有一个灰色的肩膀：图5.10正常去胶前正常去胶后，多晶条边上灰色肩膀消失：图5.11正常去胶后5.5NN层次NN层次主要是去胶后的检查：如下：以V0001流程为例，127步为检查表5.4V0001流程主要
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
来源：内容来自微信公众号半导体行业观察（ID：icbank），作者「华创证券」，谢谢。半导体芯片生产主要分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节。IC设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根…
图3．2．2透射电子显微镜基本工作原理18第四章0．18微米侧壁刻蚀工艺的开发和优化4．10．18微米侧壁(Spacer)工艺概述I上黜勰山l洳蚰N№0dde‰图4．1Spacer形成的过程图4．1为O．18微米侧壁(Spacer)形成的过程：1．掩膜使用光刻胶，不使用hardmask。.2．主刻蚀...
本文发几篇倪图强博士的论文，供大家参考。等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究在65-45nm介质刻蚀机研发与产业化项目中，倪图强博士作为主要参与人员，负责总体规划的执行、产品设计及工艺开发。2009年倪图强博士与周旭升、上海交大微...
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上海交通大学硕士学位论文等离子体去胶对低介电常数材料损伤的研究姓名：周旭升申请学位级别：硕士专业：软件工程（集成电路）指导教师：程秀兰;倪图强20080531体去胶对低介电常数材料的损伤，使其满足量产的要求。
图1.8带气体扩散器的去胶机结构示意图Fig.1.8StructurePRstripperdiffuser最近，在某一知名的世界半导体生产商厂的含CF4去胶机的开发过程中，均发现这种含有CF4的去胶机如果将气体扩散器暴露在含氟的等离子体中，其光刻胶的气体扩散器灰化率会大大
直至六十年代末才发现氧等离子体可用于去除残留碳化物，并成功地用于等离子体去胶工艺中。随后很快地发展了半导体器件工艺中的干法刻蚀技术。自七十年代初，以辉光放电产生的气体等离子体…
氧等离子体结合一些氩、氮等离子体轰击，注意时间不要太久，再用湿法，来来回回，就可以啦。是否是氧等离子和超声清洗结合在一下反复做。等离子中的气体流量和射频功率，超声的频率等技术…
正常去胶前，因胶比多晶条略宽，主要特征为：多晶条两边都有一个灰色的肩膀：图5.10正常去胶前正常去胶后，多晶条边上灰色肩膀消失：图5.11正常去胶后5.5NN层次NN层次主要是去胶后的检查：如下：以V0001流程为例，127步为检查表5.4V0001流程主要
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
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