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华中科技大学博士学位论文磁控溅射氮化铜薄膜研究姓名：李兴鳌申请学位级别：博士专业：材料物理与化学指导教师：刘祖黎20070126本文全面系统的研究了沉积条件对直流磁控溅射氮化铜薄膜的结构和性能的影响，以及金属铝、铁、镧掺杂对直流磁控溅射氮化铜薄膜的结构和性能...
与Cu_3N薄膜比较,Al_xCu_3N薄膜的电阻率降低了,显微硬度增加了。铝掺杂既改变了氮化铜薄膜的结构,又改变了氮化铜薄膜的电学特性,还提高了薄膜的质量。(7)用磁控双靶反应共溅射了镧掺杂氮化铜薄膜,研究了掺杂镧原子的多少对氮化铜薄膜结构和性能的
磁控溅射氮化铜薄膜及其掺杂研究.白秋飞.【摘要】：Cu_3N薄膜是一种以共价键结合的亚稳态半导体材料,具有热分解温度低、电阻率高、在红外和可见光波段反射率低等特点,成为近年来光存储和微电子半导体等领域中备受瞩目的新型应用材料。.Cu_3N晶体为...
磁控溅射氮化铜及锰掺杂氮化铜薄膜的分析-analysisofpreparationofcoppernitrideandmanganese-dopedcoppernitridefilmsbymagnetronsputtering.docx,AbstractCoppernitridefilmhasagoodpropertyofphotoelectric,suchasthelow...
摘要：氮化铜薄膜是一种亚稳半导体材料，具有特殊的反三氧化铼(ReO3)结构的3d型过渡金属氧化物，即晶体中的铜原子未能紧密占据(111)面的密堆积位置，因此可以通过掺杂，如将其它原子(如铜、钯等原子)填充至晶体空位，使薄膜的电学、光学等性质发生极大的变化。
9、氮化铜薄膜及其钨掺杂的结构与性能研究，王海文，硕士论文，大连理工大学10、氮化铜薄膜的掺杂研究及进展，李晓峰，广州化工，201311、射频反应磁控溅射氮化铜（Cu3N）薄膜及其性能研究，袁晓梅，硕士论文，兰州大学12、氮化铜薄膜作为锂
论文|CuO/SiO_2纳米复合薄膜的和特性研究论文|Al/AlN纳米多层膜及氮化铜光记录薄膜材料的与性能研究论文|射频磁控溅射法沉积氮化铜纳米薄膜及PLZT薄膜论文|钕铁硼烧结磁体的化学镀表面防护处理研究会议|Ar对柱状靶
氮化钽金属薄膜干法刻蚀研究研究,金属,薄膜,氮化钽,薄膜研究,干法刻蚀,金属研究...在铜膜镀完之后，需要C入4P对表面进行平坦化，使表面的铜被去除，之后，再继续研磨掉表面的T本身不需要图形化，而是与铜膜一起，镶嵌入介质中己...
大马士革铜阻挡氮化硅薄膜沉积工艺优化研究.pdf5页内容提供方：jackzjh大小：352.44KB字数：约1.24万字发布时间：2017-06-29浏览人气：10下载次数：仅上传者可见收藏次数：0需要金…
【摘要】：采用不同的溅射工艺参数及基片材料了铜薄膜,用划痕法测试了薄膜结合强度,研究了溅射功率、溅射气压、溅射时间、基片温度及基片材料对铜薄膜结合强度的影响。结果表明,在功率85W,溅射气压1.5Pa,时间30min,基片温度150℃的条件下,薄膜结合强度为26.9N。
华中科技大学博士学位论文磁控溅射氮化铜薄膜研究姓名：李兴鳌申请学位级别：博士专业：材料物理与化学指导教师：刘祖黎20070126本文全面系统的研究了沉积条件对直流磁控溅射氮化铜薄膜的结构和性能的影响，以及金属铝、铁、镧掺杂对直流磁控溅射氮化铜薄膜的结构和性能...
与Cu_3N薄膜比较,Al_xCu_3N薄膜的电阻率降低了,显微硬度增加了。铝掺杂既改变了氮化铜薄膜的结构,又改变了氮化铜薄膜的电学特性,还提高了薄膜的质量。(7)用磁控双靶反应共溅射了镧掺杂氮化铜薄膜,研究了掺杂镧原子的多少对氮化铜薄膜结构和性能的
磁控溅射氮化铜薄膜及其掺杂研究.白秋飞.【摘要】：Cu_3N薄膜是一种以共价键结合的亚稳态半导体材料,具有热分解温度低、电阻率高、在红外和可见光波段反射率低等特点,成为近年来光存储和微电子半导体等领域中备受瞩目的新型应用材料。.Cu_3N晶体为...
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摘要：氮化铜薄膜是一种亚稳半导体材料，具有特殊的反三氧化铼(ReO3)结构的3d型过渡金属氧化物，即晶体中的铜原子未能紧密占据(111)面的密堆积位置，因此可以通过掺杂，如将其它原子(如铜、钯等原子)填充至晶体空位，使薄膜的电学、光学等性质发生极大的变化。
9、氮化铜薄膜及其钨掺杂的结构与性能研究，王海文，硕士论文，大连理工大学10、氮化铜薄膜的掺杂研究及进展，李晓峰，广州化工，201311、射频反应磁控溅射氮化铜（Cu3N）薄膜及其性能研究，袁晓梅，硕士论文，兰州大学12、氮化铜薄膜作为锂
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大马士革铜阻挡氮化硅薄膜沉积工艺优化研究.pdf5页内容提供方：jackzjh大小：352.44KB字数：约1.24万字发布时间：2017-06-29浏览人气：10下载次数：仅上传者可见收藏次数：0需要金…
【摘要】：采用不同的溅射工艺参数及基片材料了铜薄膜,用划痕法测试了薄膜结合强度,研究了溅射功率、溅射气压、溅射时间、基片温度及基片材料对铜薄膜结合强度的影响。结果表明,在功率85W,溅射气压1.5Pa,时间30min,基片温度150℃的条件下,薄膜结合强度为26.9N。
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