发表服务
物理学报ActaPhys.Sin.Vol.62,No.16(2013)168101单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移*徐嶺茂高超董鹏赵建江马向阳†杨德仁(浙江大学材料科学与工程系,硅材料国家重点实验室,杭…
本论文研究了重掺硼对直拉单晶硅中的位错和氧沉淀的影响,得到如下主要结论：(1)对重掺硼直拉单晶硅中原生位错的形成进行了研究。结果表明,当硼的掺杂浓度高于7×1019cm-3时,单晶硅中产生原生位错,它们以一定的形态集中分布于晶体截面的某些位置而不扩展到整个截面。
位错：包括螺位错和刃位错1、产生原因1)籽晶中位错的延伸；2)晶体生长过程中，固液界面附近落入不溶固态颗粒，引入位错；3)温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更容易产生位错并增殖。2、位错形态及分布
位错：包括螺位错和刃位错1、产生原因1)籽晶中位错的延伸；2)晶体生长过程中，固液界面附近落入不溶固态颗粒，引入位错；3)温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更容易产生位错并增殖。2、位错形态及分布1）择优化学腐蚀：
同时，还首次指出氮原子对断裂过程可能产生的影响和原因；并首次报导了硅单晶｛112｝＜110＞和｛112｝＜111＞晶向的断裂特征。而在高温下，则最先通过室温引入位错、高温热处理使位错移动的方法指出直拉硅单晶中氮杂质对位错滑移的强烈钉扎作用。
向大家请教两个问题：1、晶体硅在生长完成后，退火时间越长，热应力释放会越多，那么这样的后果导致产生的位错会更多吗？为什么？2、另外，位错密度越大，能说明热应力就越大吗？请虫友们做个详细的解…
单晶硅材料机械性能研究及进展(论文资料),单晶硅材料,单晶硅论文,材料物理性能论文,单晶硅,单晶硅回收,单晶硅太阳能电池板,单晶硅价格,单晶硅太阳能电池,单晶硅多晶硅
滑移线根本原因是单晶硅内部的应力超出了晶格的承受能力（屈服强度），导致晶格变形，因变形的差异，宏观上体现为位错，层错，滑移线等。应力分为机械应力和热应力，热应力引起的滑移线是拉晶过程中产生的，一般称作单晶滑移线，往往是拉晶收尾段没收好，温度下降过快，导致晶棒尾部...
4楼:Originallypostedbyfrankie1at2015-06-2207:40:12非常感谢您的回答。基板只是单晶硅而已，没有做处理，所以表面应该是无任何东西的，例如薄膜。猜着应该是因为xrd机理原因或者其他原因造成的，计算过，但是这个角度的峰对应的晶面应该是...
室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察.【摘要】：采用透射电镜(TEM)定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息.发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态.尽管产生的原因各异,但均为最终的低能稳定组态.位...
物理学报ActaPhys.Sin.Vol.62,No.16(2013)168101单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移*徐嶺茂高超董鹏赵建江马向阳†杨德仁(浙江大学材料科学与工程系,硅材料国家重点实验室,杭…
本论文研究了重掺硼对直拉单晶硅中的位错和氧沉淀的影响,得到如下主要结论：(1)对重掺硼直拉单晶硅中原生位错的形成进行了研究。结果表明,当硼的掺杂浓度高于7×1019cm-3时,单晶硅中产生原生位错,它们以一定的形态集中分布于晶体截面的某些位置而不扩展到整个截面。
位错：包括螺位错和刃位错1、产生原因1)籽晶中位错的延伸；2)晶体生长过程中，固液界面附近落入不溶固态颗粒，引入位错；3)温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更容易产生位错并增殖。2、位错形态及分布
位错：包括螺位错和刃位错1、产生原因1)籽晶中位错的延伸；2)晶体生长过程中，固液界面附近落入不溶固态颗粒，引入位错；3)温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更容易产生位错并增殖。2、位错形态及分布1）择优化学腐蚀：
同时，还首次指出氮原子对断裂过程可能产生的影响和原因；并首次报导了硅单晶｛112｝＜110＞和｛112｝＜111＞晶向的断裂特征。而在高温下，则最先通过室温引入位错、高温热处理使位错移动的方法指出直拉硅单晶中氮杂质对位错滑移的强烈钉扎作用。
向大家请教两个问题：1、晶体硅在生长完成后，退火时间越长，热应力释放会越多，那么这样的后果导致产生的位错会更多吗？为什么？2、另外，位错密度越大，能说明热应力就越大吗？请虫友们做个详细的解…
单晶硅材料机械性能研究及进展(论文资料),单晶硅材料,单晶硅论文,材料物理性能论文,单晶硅,单晶硅回收,单晶硅太阳能电池板,单晶硅价格,单晶硅太阳能电池,单晶硅多晶硅
滑移线根本原因是单晶硅内部的应力超出了晶格的承受能力（屈服强度），导致晶格变形，因变形的差异，宏观上体现为位错，层错，滑移线等。应力分为机械应力和热应力，热应力引起的滑移线是拉晶过程中产生的，一般称作单晶滑移线，往往是拉晶收尾段没收好，温度下降过快，导致晶棒尾部...
4楼:Originallypostedbyfrankie1at2015-06-2207:40:12非常感谢您的回答。基板只是单晶硅而已，没有做处理，所以表面应该是无任何东西的，例如薄膜。猜着应该是因为xrd机理原因或者其他原因造成的，计算过，但是这个角度的峰对应的晶面应该是...
室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察.【摘要】：采用透射电镜(TEM)定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息.发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态.尽管产生的原因各异,但均为最终的低能稳定组态.位...
发表服务