Lee等对被压在Ti为打底层的金电极下的CNT样品进行不同温度的真空热处理,发现600~650℃的真空热处理能使CNT与电极的接触电阻达到最小(图4),与未处理前(≥10MΩ)相比阻值减小3个数量级以上.经处理后的器件在常温下放置3个月后,
常用的III-V族化合物半导体如GaAs、GaP姆接触的研究在器件应用方有十分重要的意义:既可优化器件性能,又能够为重要的宽禁带半导体—n6H-SiC、GaN等材料的欧姆接触电极的制作提供有价值的参考。.本文尝试在n型GaP上欧姆接触电极,探讨了欧姆接触...
金电极片式NTC热敏电阻的烧结、电极工艺研究.【摘要】:随着航空航天领域的快速发展,人们对高质量的NegativeTemperatureCoefficient(NTC)热敏电阻元器件需求是与日俱增,对其在高测温精度及高可靠性方面也提出了更多的要求。.在当前国际关系不太稳定的大...
本文在金电极上自组装单链巯基DNA,能识别正错配的简单DNA生物传感器,采用金标银染和线性扫描阳极溶出法对工艺条件和识别能力进行了研究,确定最佳工艺条件为:巯基DNA自组装时间为6h,采用巯基己醇封闭时间为3h,正错配DNA表现出不同的检测信号,制得的DNA生物传感器具有快速、准确的...
多晶金电极表面预处理方法和粗糙度测定方法的比较研究.孙睿.【摘要】:由于表面粗糙度(RoughnessFactor,以下简称RF)的大小对电化学的检测的重现性和多晶金电极单分子层自组装的效果等都具有重要的影响,因此多晶金电极表面RF的准确测定一直是一个很重要的...
晶体硅太阳电池免银背电极工艺研究.李迎辉.【摘要】:使用贵金属银作为晶硅电池前后电极制作的原材料,一直是电池成本偏高的一个主要因素,因此为了降低电极生产成本,越来越多的研究人员提出以其它金属替代贵金属导电浆料。.但是由于晶硅电池前...
我看到一篇文献,用旋转盘环电极观察氧气还原的电化学反应,WE和CE为铂电极,RE为饱和甘汞电极,溶液为0.1MNaOH溶液,氧气的还原反应为1.首先还原为H2O2,在-0.25V左右,2.继续施加更负的电压,H2O2还原为H2O。通过此反应来观测还原...
为降低AlGaN/GaNHEMTs制造成本,必须实现HEMTs与Si-CMOS器件工艺兼容。研究GaN基HEMTs低温无金欧姆接触技术,对提高HEMT器件可靠性和实现Si-CMOS工艺线的大规模制造,具有重要的实际意义。
序号作者学科论文层次论文题目导师学位类别年度1张东胜机械电子工程博士过约束五自由度混联机器人机构设计理论研究赵永生学术学位2018/2019学年度2
研究人员通过静电纺丝法了V2O3嵌于一维多孔氮掺杂纳米纤维(V2O3@PNCNFs)的柔性自支撑电极。多孔纳米纤维可以减少K+的传输距离,提高导电性并增加活性物质和电解液的接触面积。自支撑电极可以确保电极的完整性并提高电池的重量能量密度。
Lee等对被压在Ti为打底层的金电极下的CNT样品进行不同温度的真空热处理,发现600~650℃的真空热处理能使CNT与电极的接触电阻达到最小(图4),与未处理前(≥10MΩ)相比阻值减小3个数量级以上.经处理后的器件在常温下放置3个月后,
常用的III-V族化合物半导体如GaAs、GaP姆接触的研究在器件应用方有十分重要的意义:既可优化器件性能,又能够为重要的宽禁带半导体—n6H-SiC、GaN等材料的欧姆接触电极的制作提供有价值的参考。.本文尝试在n型GaP上欧姆接触电极,探讨了欧姆接触...
金电极片式NTC热敏电阻的烧结、电极工艺研究.【摘要】:随着航空航天领域的快速发展,人们对高质量的NegativeTemperatureCoefficient(NTC)热敏电阻元器件需求是与日俱增,对其在高测温精度及高可靠性方面也提出了更多的要求。.在当前国际关系不太稳定的大...
本文在金电极上自组装单链巯基DNA,能识别正错配的简单DNA生物传感器,采用金标银染和线性扫描阳极溶出法对工艺条件和识别能力进行了研究,确定最佳工艺条件为:巯基DNA自组装时间为6h,采用巯基己醇封闭时间为3h,正错配DNA表现出不同的检测信号,制得的DNA生物传感器具有快速、准确的...
多晶金电极表面预处理方法和粗糙度测定方法的比较研究.孙睿.【摘要】:由于表面粗糙度(RoughnessFactor,以下简称RF)的大小对电化学的检测的重现性和多晶金电极单分子层自组装的效果等都具有重要的影响,因此多晶金电极表面RF的准确测定一直是一个很重要的...
晶体硅太阳电池免银背电极工艺研究.李迎辉.【摘要】:使用贵金属银作为晶硅电池前后电极制作的原材料,一直是电池成本偏高的一个主要因素,因此为了降低电极生产成本,越来越多的研究人员提出以其它金属替代贵金属导电浆料。.但是由于晶硅电池前...
我看到一篇文献,用旋转盘环电极观察氧气还原的电化学反应,WE和CE为铂电极,RE为饱和甘汞电极,溶液为0.1MNaOH溶液,氧气的还原反应为1.首先还原为H2O2,在-0.25V左右,2.继续施加更负的电压,H2O2还原为H2O。通过此反应来观测还原...
为降低AlGaN/GaNHEMTs制造成本,必须实现HEMTs与Si-CMOS器件工艺兼容。研究GaN基HEMTs低温无金欧姆接触技术,对提高HEMT器件可靠性和实现Si-CMOS工艺线的大规模制造,具有重要的实际意义。
序号作者学科论文层次论文题目导师学位类别年度1张东胜机械电子工程博士过约束五自由度混联机器人机构设计理论研究赵永生学术学位2018/2019学年度2
研究人员通过静电纺丝法了V2O3嵌于一维多孔氮掺杂纳米纤维(V2O3@PNCNFs)的柔性自支撑电极。多孔纳米纤维可以减少K+的传输距离,提高导电性并增加活性物质和电解液的接触面积。自支撑电极可以确保电极的完整性并提高电池的重量能量密度。