发表服务
射频微波多层瓷介电容器的研制-电子与通信工程专业论文.docx,万方数据万方数据摘要摘要高频化、高速化是信息化发展的方向之一，而电容器又是信息领域的基础元件，这势必要求电容器向高频化发展。射频微波多层瓷介电容器就是电容器中一个重要类别。
射频微波多层瓷介电容器的研制.李军.【摘要】：高频化、高速化是信息化发展的方向之一,而电容器又是信息领域的基础元件,这势必要求电容器向高频化发展。.射频微波多层瓷介电容器就是电容器中一个重要类别。.射频微波多层瓷介电容器主要用于射频...
王宗伟.【摘要】：本课题的主要目的是设计一个CCH片式高压瓷介电容的装配线以实现其生产过程的自动化。.CCH片式高压瓷介电容是片式电容的一种,应用广泛,需求很大。.它的外形尺寸较小,装配过程动作复杂,定位要求高。.现在这种电容的生产基本上是手工...
高压瓷介电容滤波器的可靠性研究ReliabilitiesofHighVoltageFeedThroughCeramicCapacitorsforEMIApplications...CeramicCapacitorsforEMIApplications苏志国指导教师姓名：熊兆贤专业名称：材料学论文提交日期：论文答辩日期：2006年8月9...
射频微波多层瓷介电容器的研制.pdf,摘要摘要高频化、高速化是信息化发展的方向之一，而电容器又是信息领域的基础元件，这势必要求电容器向高频化发展。射频微波多层瓷介电容器就是电容器中一个重要类别。射频微波多层瓷介电容器主要用于射频功率放大器、混频器、振荡器、低噪声放大...
陶瓷电容MLCC简介最常见的陶瓷电容通常是多层瓷介陶瓷电容MLCC，如下图：MLCC的温度特性有很大区别，EIAClassI用的是二氧化钛（TiO2），其温度变化系数特别小。EIAClassII高介电常数型MLCC用的是钛酸钡（BaTiO3），其温度系数很大。
【摘要】：MLCC制成交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。于是开发设计了将陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线向内折弯平贴在外壳表面(C型)或者...
本论文发表于兵器装备工程学报，属于科技相关论文范文材料。仅供大家论文写作参考。冲击条件下多层瓷介电容器容值测试方法研究1程向群，付1123铁，张京英，李晓峰，胡小林（1.北京理工大学机械与车辆学院，北京100081；2.北京理工大学...
电容器上应清楚地标出1.6.1中1),2),3)各项以及尽可能标出其他必要的项目，电容器上标志应避免重复。.5.2电容量测试(GB5968-19964.3.1)瓷介电容的测量频率为1KHZ，交流有效值1V，测试结果应在容量偏差内电容测试如下5.2.1测试项目的选择5.2.1.1按“显示A”键...
陈斌;镍电极瓷介电容器可用于甚高频电路[J];电子元件与材料;1985年04期5刘景祥;国内中高压瓷介电容器的生产状况及市场需求[J];电子元件与材料;1987年03期6吴霞宛,王元欣;独石瓷介电容器低电平失效的机理[J];电子元件与材料;1984年05期7
射频微波多层瓷介电容器的研制-电子与通信工程专业论文.docx,万方数据万方数据摘要摘要高频化、高速化是信息化发展的方向之一，而电容器又是信息领域的基础元件，这势必要求电容器向高频化发展。射频微波多层瓷介电容器就是电容器中一个重要类别。
射频微波多层瓷介电容器的研制.李军.【摘要】：高频化、高速化是信息化发展的方向之一,而电容器又是信息领域的基础元件,这势必要求电容器向高频化发展。.射频微波多层瓷介电容器就是电容器中一个重要类别。.射频微波多层瓷介电容器主要用于射频...
王宗伟.【摘要】：本课题的主要目的是设计一个CCH片式高压瓷介电容的装配线以实现其生产过程的自动化。.CCH片式高压瓷介电容是片式电容的一种,应用广泛,需求很大。.它的外形尺寸较小,装配过程动作复杂,定位要求高。.现在这种电容的生产基本上是手工...
高压瓷介电容滤波器的可靠性研究ReliabilitiesofHighVoltageFeedThroughCeramicCapacitorsforEMIApplications...CeramicCapacitorsforEMIApplications苏志国指导教师姓名：熊兆贤专业名称：材料学论文提交日期：论文答辩日期：2006年8月9...
射频微波多层瓷介电容器的研制.pdf,摘要摘要高频化、高速化是信息化发展的方向之一，而电容器又是信息领域的基础元件，这势必要求电容器向高频化发展。射频微波多层瓷介电容器就是电容器中一个重要类别。射频微波多层瓷介电容器主要用于射频功率放大器、混频器、振荡器、低噪声放大...
陶瓷电容MLCC简介最常见的陶瓷电容通常是多层瓷介陶瓷电容MLCC，如下图：MLCC的温度特性有很大区别，EIAClassI用的是二氧化钛（TiO2），其温度变化系数特别小。EIAClassII高介电常数型MLCC用的是钛酸钡（BaTiO3），其温度系数很大。
【摘要】：MLCC制成交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。于是开发设计了将陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线向内折弯平贴在外壳表面(C型)或者...
本论文发表于兵器装备工程学报，属于科技相关论文范文材料。仅供大家论文写作参考。冲击条件下多层瓷介电容器容值测试方法研究1程向群，付1123铁，张京英，李晓峰，胡小林（1.北京理工大学机械与车辆学院，北京100081；2.北京理工大学...
电容器上应清楚地标出1.6.1中1),2),3)各项以及尽可能标出其他必要的项目，电容器上标志应避免重复。.5.2电容量测试(GB5968-19964.3.1)瓷介电容的测量频率为1KHZ，交流有效值1V，测试结果应在容量偏差内电容测试如下5.2.1测试项目的选择5.2.1.1按“显示A”键...
陈斌;镍电极瓷介电容器可用于甚高频电路[J];电子元件与材料;1985年04期5刘景祥;国内中高压瓷介电容器的生产状况及市场需求[J];电子元件与材料;1987年03期6吴霞宛,王元欣;独石瓷介电容器低电平失效的机理[J];电子元件与材料;1984年05期7
发表服务