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【摘要】：InGaN材料因其具有直接带隙、高吸收系数、抗辐射特性、连续可调的禁带宽度等优秀的光电特性，被认为是最有前景的太阳能电池材料。本文针对InGaN太阳能电池的设计制作问题进行了研究。首先，通过理论计算以及软件模拟，研究了PN结以及PIN结构太阳能电池吸收层中InGaN材料的最佳In组...
InGaN紫外探测器性能研究.【摘要】：近年来，由于溢油等海洋探测应用的需求，迫切需要一种响应波段365nm的紫外探测器，而这超出了AlGaN紫外探测器的波长范围。.因此，寻找新的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料迫在眉睫。.InGaN的带宽范围为0.7eV（InN）到3.4eV（GaN），其...
【摘要】：InN及InGaN材料在电子和光电器件方面有诱人的应用前景,但由于InN生长的特殊性和InGaN合金中的相分离等问题,阻碍了高质量InN基材料的。近年来,随着氮化物半导体材料生长技术的进步和人们其生长机理认识的深入,为高质量的高In组分InGaN及InN材料提供了很好的基础。
InGaN/GaN低维量子阱结构的及其发光性质研究.【摘要】：GaN基半导体器件的商业化使得当前对III族氮化物的研究发展迅猛。由于III族氮化物带隙可以从0.7eV到6.2eV连续变化,所对应的波长覆盖了从近红外到紫外极为宽广的光谱范围,并且拥有优良的物理、化学...
西安电子科技大学硕士学位论文InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究姓名：陈珂申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张进成201105摘要摘要InN及InGaN材料在电子和光电器件方面有诱人的应用前景，但由于InN生长的特殊性和InGaN合金中的相分离等问题，阻碍了…
本论文通过金属有机气相化学沉积设备外延GaN基LED,主要围绕GaN基LEDMQWs中的点缺陷和V-pits缺陷问题,通过高分辨X射线衍射仪、双球差矫正电镜、光致发光谱仪等表征了样品的晶体质量、界面质量和发光性能,研究了缺陷的产生机制、对InGaN/GaN发光
InGaN太阳能电池凭借其带宽可调且与太阳光谱完美匹配的特点，已成为国...厦门大学博硕士论文摘要库2能电池，但只得到较低的开路电压（0.43V）及填充因子（57%）[6]。2008年...
WehavestudiedgrowthtemperaturewellswidthInGaN/GaNMQWLED.lightingwavelengthcan北京大学博士学位论文摘要shiftedfrom393nmb470nmgrowingtemperature.smallincreasingwellwidthmakebig“redshift”emittingwavelengthup504nm.weuse
InGaN/GaN光致发光光谱扫描投射电子显微术拉曼光谱散热学位专业材料物理化学中文摘要近年来，GaN基LED由于其高效率，高寿命等特点在照明行业得到迅猛的发展，目前世界各国对LED芯片照明产品投入很大的资金，推动了GaN基高功率LED...
【摘要】：利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上InGaN/GaNMQW结构蓝光LED外延片。以400mW中心波长405nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330K低温PL谱测量装置,以及350～610K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。
【摘要】：InGaN材料因其具有直接带隙、高吸收系数、抗辐射特性、连续可调的禁带宽度等优秀的光电特性，被认为是最有前景的太阳能电池材料。本文针对InGaN太阳能电池的设计制作问题进行了研究。首先，通过理论计算以及软件模拟，研究了PN结以及PIN结构太阳能电池吸收层中InGaN材料的最佳In组...
InGaN紫外探测器性能研究.【摘要】：近年来，由于溢油等海洋探测应用的需求，迫切需要一种响应波段365nm的紫外探测器，而这超出了AlGaN紫外探测器的波长范围。.因此，寻找新的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料迫在眉睫。.InGaN的带宽范围为0.7eV（InN）到3.4eV（GaN），其...
【摘要】：InN及InGaN材料在电子和光电器件方面有诱人的应用前景,但由于InN生长的特殊性和InGaN合金中的相分离等问题,阻碍了高质量InN基材料的。近年来,随着氮化物半导体材料生长技术的进步和人们其生长机理认识的深入,为高质量的高In组分InGaN及InN材料提供了很好的基础。
InGaN/GaN低维量子阱结构的及其发光性质研究.【摘要】：GaN基半导体器件的商业化使得当前对III族氮化物的研究发展迅猛。由于III族氮化物带隙可以从0.7eV到6.2eV连续变化,所对应的波长覆盖了从近红外到紫外极为宽广的光谱范围,并且拥有优良的物理、化学...
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本论文通过金属有机气相化学沉积设备外延GaN基LED,主要围绕GaN基LEDMQWs中的点缺陷和V-pits缺陷问题,通过高分辨X射线衍射仪、双球差矫正电镜、光致发光谱仪等表征了样品的晶体质量、界面质量和发光性能,研究了缺陷的产生机制、对InGaN/GaN发光
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【摘要】：利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上InGaN/GaNMQW结构蓝光LED外延片。以400mW中心波长405nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330K低温PL谱测量装置,以及350～610K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。
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