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厦门大学硕士学位论文InGaN中相分离及其抑制的研究姓名：郑江海申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：康俊勇20060501InGaN半导体的带隙基本上覆盖了整个可见光波段，还包含了部分红外波段，在光电器件和光存储器件方面都有着广泛的应用。
西安电子科技大学硕士学位论文InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究姓名：陈珂申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张进成201105摘要摘要InN及InGaN材料在电子和光电器件方面有诱人的应用前景，但由于InN生长的特殊性和InGaN合金中的相分离等问题，阻碍了…
本文将介绍的InGAN通过捕获图像的内部色块分布，实现了图像的扩充和拉伸，同时文章也是ICCV2019的Oral...是我们对此文的解读。这篇论文提出了一种可以从单幅自然图像学习的非条件生成模型--SinGAN，能够捕捉...
华中科技大学硕士学位论文InGaN太阳能电池的建模与设计姓名：申志辉申请学位级别：硕士专业：机械工程指导教师：汪连山2011-05-23氮化镓铟（InGaN）太阳能电池是一种新型的半导体太阳能电池，它凭借禁带宽度可调且与太阳光谱完美...
InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究.【摘要】：InN及InGaN材料在电子和光电器件方面有诱人的应用前景,但由于InN生长的特殊性和InGaN合金中的相分离等问题,阻碍了高质量InN基材料的。.近年来,随着氮化物半导体材料生长技术的进步和人们其生长机理...
首页»期刊论文»InGaN/GaN多量子阱的结构及其光学特性的研究InGaN/GaN多量子阱的结构及其光学特性的研究作者：师大云端图书馆时间：2015-07-09分类：期刊论文喜欢：2750...
InGAN论文中称其应该是第一个在单张图像上训练GAN的方法；一、InGAN原理分析InGAN的输入是一张图像，输出是一张重定向的图像，所以可以看作是一个ConditionalGAN。其结构包含一个生成器G和一个判别器D，如下图所示...
InGaN／GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究RoPT0ELECTRONICSVo1.27No.3Jane2006InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究北京工业大学北京光电子技术实验室.北京100022)摘要:对不同温度(120～363K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝...
InGaN纳米柱的生长调控与光电解水性能研究.发布时间：2020-07-0115:30.【摘要】：太阳能光电化学(PEC)水分解制氢技术,能够将太阳能有效地转换和存储为清洁、可再生的氢能,是理想的太阳能储存方式。.III族氮化物GaN及其合金InGaN纳米柱带隙在0.65~3.4eV内连续可调...
InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的及其特性研究.【摘要】作为第三代半导体材料,InGaN凭借其优异的光伏特性,近年来已成为国际上关注的热点。.InxGai-xN合金不仅具有连续可调的直接带隙结构(0.7～3.4eV),其吸收光谱几乎与太阳光谱完美匹配,还具有高吸收系数、高...
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