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论文:超紫外线（ExtremeUltraviolet，EUV）光刻技术被认为是未来取代深紫外线（DeepUltraviolet，DUV）且满足摩尔定律的22纳米及以下世代最可行的候选技术。由于激光激发的等离子体（LaserProducedPlasma，LPP）技术较易达到高功率超紫外...
深紫外线曝光光罩结晶状缺陷的生长机理和预防.冯奎.【摘要】：半导体制造工艺一直遵循摩尔定律向前发展,光刻工艺的应用让半导体制造在大直径晶圆、小关键尺寸、高套刻精度、生产高效率和低成本的商业模式下快速前进。.光刻工艺中反复使用的光罩...
紫外线曝光装置是液晶显示屏（LCD）生产过程中的重要设备，在生产过程中起着至关重要的作用。光学曝光作为液晶显示屏生产过程中的一个重要环节，需要均匀的光照度，是产品能否脱颖而出，占据市场的重要环节。
1;光刻技术的现状和发展[J];中国计量学院学报;2001年02期2快人;;超紫外线光刻技术浮出水面[J];电脑采购周刊;2001年31期3刘加峰,胡存刚,宗仁鹤;光刻技术在微电子设备的应用及发展[J];光电子技术与信息;2004年01期
分类号密级UDC通过调整曝光镜头改善产品线宽均匀度的研究（题名和副题名）（作者姓名）指导教师（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士专业学位类别提交论文日期2014.03论文答辩日期2014.05学位授予单位和日期电子科技大学2014...
极紫外光刻技术主要解决了光源波长的问题。极端紫外线（ExtremeUltra-violet，简称EUV）是一种光刻技术，它使用波长为10-14纳米的极端紫外线作为光源。集成电路的线宽是指可以通过特定工艺光刻确定的最小尺寸，通常称为“28纳米”和“40纳米”。
1温尚明;;21世纪微电子光刻技术与设备的发展对策研究[A];西部大开发科教先行与可持续发展——中国科协2000年学术年会文集[C];2000年2梅文辉;;无掩模数字光刻技术中的点阵列曝光技术[A];“广东省光学学会2013年学术交流大会”暨“粤港台光学界产学研合作交流大会”会议手册论文集[C];2013年
光刻技术发展现状与展望论文.doc,光刻技术发展现状与展望王安静110800902微电子(2)班30多年以来，集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推进的。在摩尔定律的驱动下，光学光刻技术经历了接触／接近(Aligner)、等倍投影、缩小...
封装好后，在进行最终使用前，晶粒将进行再一次测试以确保功能正常。.1.4研究光刻中晶圆缺陷问题的重要性在半导体器件特别是超大规模集成器件从单晶圆衬底材料经过多次氧化、淀积、光刻等各项工艺到最后的中测、封装、末测的整个制作过程中,都有...
通过调整曝光镜头改善产品线宽均匀度的分析-analysisofimprovinglinewidthuniformityofproductsbyadjustingexposurelens.docx,ARESEARCHFORIMPROVECDUNIFORMITYBYLENSADJUSTMENTAMasterThesisSubmittedtoUniversityof...
论文:超紫外线（ExtremeUltraviolet，EUV）光刻技术被认为是未来取代深紫外线（DeepUltraviolet，DUV）且满足摩尔定律的22纳米及以下世代最可行的候选技术。由于激光激发的等离子体（LaserProducedPlasma，LPP）技术较易达到高功率超紫外...
深紫外线曝光光罩结晶状缺陷的生长机理和预防.冯奎.【摘要】：半导体制造工艺一直遵循摩尔定律向前发展,光刻工艺的应用让半导体制造在大直径晶圆、小关键尺寸、高套刻精度、生产高效率和低成本的商业模式下快速前进。.光刻工艺中反复使用的光罩...
紫外线曝光装置是液晶显示屏（LCD）生产过程中的重要设备，在生产过程中起着至关重要的作用。光学曝光作为液晶显示屏生产过程中的一个重要环节，需要均匀的光照度，是产品能否脱颖而出，占据市场的重要环节。
1;光刻技术的现状和发展[J];中国计量学院学报;2001年02期2快人;;超紫外线光刻技术浮出水面[J];电脑采购周刊;2001年31期3刘加峰,胡存刚,宗仁鹤;光刻技术在微电子设备的应用及发展[J];光电子技术与信息;2004年01期
分类号密级UDC通过调整曝光镜头改善产品线宽均匀度的研究（题名和副题名）（作者姓名）指导教师（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士专业学位类别提交论文日期2014.03论文答辩日期2014.05学位授予单位和日期电子科技大学2014...
极紫外光刻技术主要解决了光源波长的问题。极端紫外线（ExtremeUltra-violet，简称EUV）是一种光刻技术，它使用波长为10-14纳米的极端紫外线作为光源。集成电路的线宽是指可以通过特定工艺光刻确定的最小尺寸，通常称为“28纳米”和“40纳米”。
1温尚明;;21世纪微电子光刻技术与设备的发展对策研究[A];西部大开发科教先行与可持续发展——中国科协2000年学术年会文集[C];2000年2梅文辉;;无掩模数字光刻技术中的点阵列曝光技术[A];“广东省光学学会2013年学术交流大会”暨“粤港台光学界产学研合作交流大会”会议手册论文集[C];2013年
光刻技术发展现状与展望论文.doc,光刻技术发展现状与展望王安静110800902微电子(2)班30多年以来，集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推进的。在摩尔定律的驱动下，光学光刻技术经历了接触／接近(Aligner)、等倍投影、缩小...
封装好后，在进行最终使用前，晶粒将进行再一次测试以确保功能正常。.1.4研究光刻中晶圆缺陷问题的重要性在半导体器件特别是超大规模集成器件从单晶圆衬底材料经过多次氧化、淀积、光刻等各项工艺到最后的中测、封装、末测的整个制作过程中,都有...
通过调整曝光镜头改善产品线宽均匀度的分析-analysisofimprovinglinewidthuniformityofproductsbyadjustingexposurelens.docx,ARESEARCHFORIMPROVECDUNIFORMITYBYLENSADJUSTMENTAMasterThesisSubmittedtoUniversityof...
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