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原理是紫外光经掩膜版（MASK）对涂有光刻胶的ITO玻璃曝光，曝光后的玻璃经显影产生与MASK板相同的图案。具体见图1。涂有光刻胶的基片可以放进曝光机里进行曝光，当一定波长的光线（一般用紫外光）通过掩膜板上的透光区照射到光刻胶上，被辐射的光刻胶就会产生相应的光化学变化。
紫外可见分光光度技术的应用进展王海军，宁新霞（西北有色地质研究院，西安710054）摘要：介绍了近几年来紫外可见分光光度技术在仪器部件、多组分体系的测定，新技术应用进展以及与其他技术联用等方面的情况（引用文献33篇）。
博士毕业论文—《污染源气体分布的紫外可见成像技术研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-12页第一章绪论第12-25页1.1研究背景与研究意义第12-13页
【摘要】：目的:探究不同紫外曝光量及低盐胁迫对浒苔生长的影响,并观察其对细胞显微结构和超微结构的影响。方法:设置不同的紫外辐射强度对浒苔进行照射处理,设置不同的盐度梯度进行浒苔培养,以生长率作为统计指标研究紫外辐射和低盐胁迫对浒苔生长的影响。
10根据曝光光源和辐射源的不同，又可分为紫外光刻胶（包括紫外正型和紫外负型光刻胶，其中紫外正型光刻胶又包括g线正胶。）、深紫外光刻胶（248nm光刻胶）、极紫外光刻胶（包括193nm和157nm光刻胶）、电子束胶、粒子束胶和x射线胶等，分别对应于前述第1.3部分所介绍的光刻…
本文围绕基于DMD的光刻系统,开展了光刻技术的研究,主要研究了DMD的衍射特性的建模及其应用,系统误差的分析与校正技术,这些技术的研究对于后续的实验工作具有指导意义。.主要研究内容包括:(1)基于傅里叶分析,建立了DMD衍射的数学模型;并将该模型用于分析...
昨天中科院发布消息，中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目通过验收，这个项目最主要的成果就是中国科学家研发成功世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻机，365nm波长即可生产22nm工艺芯片，通过多重曝光…
这台国产光刻机，可以做到22纳米。而且，“结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片”。也就是说，中科院光电所研发的这台光刻机，用波长更长（近紫外）、成本更低（汞灯）的光源，实现了更高的光刻分辨力（0.06倍曝光波长）。
本论文通过射频磁控溅射技术高质量MgZnO薄膜,采用紫外曝光和湿法刻蚀的方法MSM结构的MgZnO紫外光电探测器,主要研究工作如下:(1)利用射频磁控溅射设备在石英衬底上溅射生长了高质量的不同组分的MgZnO半导体薄膜,实现了MgZnO薄膜带隙从可见盲到日盲波段...
中科院苏州所联合国家纳米中心、发表论文介绍了新研发的5nm超高精度激光光刻技术，消息夺人眼球、迅速引爆自媒体圈，纷纷赞叹：不用EUV光刻机就能造出5nm芯片了。其实超分辨激光光刻技术与EUV极紫外光刻技术是两回事，“不用EUV光刻机就能造出5nm芯片是个误读”。
原理是紫外光经掩膜版（MASK）对涂有光刻胶的ITO玻璃曝光，曝光后的玻璃经显影产生与MASK板相同的图案。具体见图1。涂有光刻胶的基片可以放进曝光机里进行曝光，当一定波长的光线（一般用紫外光）通过掩膜板上的透光区照射到光刻胶上，被辐射的光刻胶就会产生相应的光化学变化。
紫外可见分光光度技术的应用进展王海军，宁新霞（西北有色地质研究院，西安710054）摘要：介绍了近几年来紫外可见分光光度技术在仪器部件、多组分体系的测定，新技术应用进展以及与其他技术联用等方面的情况（引用文献33篇）。
博士毕业论文—《污染源气体分布的紫外可见成像技术研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-12页第一章绪论第12-25页1.1研究背景与研究意义第12-13页
【摘要】：目的:探究不同紫外曝光量及低盐胁迫对浒苔生长的影响,并观察其对细胞显微结构和超微结构的影响。方法:设置不同的紫外辐射强度对浒苔进行照射处理,设置不同的盐度梯度进行浒苔培养,以生长率作为统计指标研究紫外辐射和低盐胁迫对浒苔生长的影响。
10根据曝光光源和辐射源的不同，又可分为紫外光刻胶（包括紫外正型和紫外负型光刻胶，其中紫外正型光刻胶又包括g线正胶。）、深紫外光刻胶（248nm光刻胶）、极紫外光刻胶（包括193nm和157nm光刻胶）、电子束胶、粒子束胶和x射线胶等，分别对应于前述第1.3部分所介绍的光刻…
本文围绕基于DMD的光刻系统,开展了光刻技术的研究,主要研究了DMD的衍射特性的建模及其应用,系统误差的分析与校正技术,这些技术的研究对于后续的实验工作具有指导意义。.主要研究内容包括:(1)基于傅里叶分析,建立了DMD衍射的数学模型;并将该模型用于分析...
昨天中科院发布消息，中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目通过验收，这个项目最主要的成果就是中国科学家研发成功世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻机，365nm波长即可生产22nm工艺芯片，通过多重曝光…
这台国产光刻机，可以做到22纳米。而且，“结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片”。也就是说，中科院光电所研发的这台光刻机，用波长更长（近紫外）、成本更低（汞灯）的光源，实现了更高的光刻分辨力（0.06倍曝光波长）。
本论文通过射频磁控溅射技术高质量MgZnO薄膜,采用紫外曝光和湿法刻蚀的方法MSM结构的MgZnO紫外光电探测器,主要研究工作如下:(1)利用射频磁控溅射设备在石英衬底上溅射生长了高质量的不同组分的MgZnO半导体薄膜,实现了MgZnO薄膜带隙从可见盲到日盲波段...
中科院苏州所联合国家纳米中心、发表论文介绍了新研发的5nm超高精度激光光刻技术，消息夺人眼球、迅速引爆自媒体圈，纷纷赞叹：不用EUV光刻机就能造出5nm芯片了。其实超分辨激光光刻技术与EUV极紫外光刻技术是两回事，“不用EUV光刻机就能造出5nm芯片是个误读”。
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