《晶体缺陷及其在半导体材料方面的应用》-毕业论文设计.doc,常州信息职业技术学院电子与电气工程学院毕业设计论文PAGE-PAGE2-常州信息职业技术学院学生毕业设计(论文)报告系别:电子与电气工程学院专业:微电子技术班号:微电...
点缺陷和界面通过对位错的影响而间接地起作用。100本章主要内容(点缺陷)缺陷在材料中有重要意义,在材料科学中占有重要地位。晶体中的缺陷:点缺陷、线缺陷、面缺陷点缺陷是由于原子的热运动并存在能量起伏而产生的。
铌酸锂晶体缺陷结构和性质的理论研究.李丽丽.【摘要】:铌酸锂(LiNbO3)晶体是一种集电光、声光、光折变和激光活性等多功能效应于一体的光学晶体材料,在光放大、光调制、光信息存储等诸多领域都得到了广泛应用。.LiNbO3晶体优异的功能性很大程度上与...
论文主要内容有:1由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体中能带和缺陷模特性研究。负折射率材料是近年来的研究热点,不仅因为其本身就有很多的光学优点(例如形成完美透镜),而且在光子晶体中引入负折射率材料后也会出现很多新的和有用的特性(例如全向带隙)。
在缺陷性能的物理研究和评价技术方面,目前已积累了大量的研究结果,但仍有部分缺陷的性能和形成机理未被认识清楚,结果导致在材料工艺上难以针对这些缺陷提出有效的抑制技术。.为解决长期制约CZT衬底技术发展的关键问题,本文将以改进CZT晶体生长...
关键词二维材料,石墨烯,缺陷,拓扑结构,几何效应二维晶体材料中的缺陷二维材料是近几年来备受关注的一种低维结构,由一或数层原子在二维空间或具有一定厚度尺寸的准二维空间中排列组成.相关研究已经发现并实现单原子层分离的石墨烯、六方氮化硼...
在理想条件下,晶体材料中的原子在三维空间中呈周期性的规则排列。然而在晶体生长的过程中,大量的结构单元(原子、分子或者离子集团)完全无误的排列成一个完整晶体是不可能的。当结构单元排列出现错误时,则形成缺陷。具体来说,晶体材料中的缺陷主要包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。
在锂离子电池电极与电解质材料研究中,缺陷化学对于理解材料的物理化学性质,指导材料的理性设计与优化方有重要的意义。本文重点讨论了锂电池材料中缺陷形态的类型、热力学基础、缺陷的存在对材料性质的调制等方面的内容,讨论了小尺寸材料引起的电极电位偏离理想材料的问题。
本论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对几种具有特殊晶体结构的热电材料(ReSi1.75,β-Zn4Sb3和Rh3ScSi7)的晶格缺陷和电子结构(如态密度、能带结构、成键性质、有效质量等)进行了研究,并研究了掺杂工艺对这几种材料晶体结构和电子结构的
镁合金材料的研究中国在国际上处于领先地位,全球第一本镁合金杂志《JournalofMagnesiumandAlloys》由重庆大学创办,潘复生院士担任主编,简述镁及镁合金的特点.第四章晶体缺陷1.材料中缺陷存在的普遍性2.缺陷对材料性能的影响
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点缺陷和界面通过对位错的影响而间接地起作用。100本章主要内容(点缺陷)缺陷在材料中有重要意义,在材料科学中占有重要地位。晶体中的缺陷:点缺陷、线缺陷、面缺陷点缺陷是由于原子的热运动并存在能量起伏而产生的。
铌酸锂晶体缺陷结构和性质的理论研究.李丽丽.【摘要】:铌酸锂(LiNbO3)晶体是一种集电光、声光、光折变和激光活性等多功能效应于一体的光学晶体材料,在光放大、光调制、光信息存储等诸多领域都得到了广泛应用。.LiNbO3晶体优异的功能性很大程度上与...
论文主要内容有:1由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体中能带和缺陷模特性研究。负折射率材料是近年来的研究热点,不仅因为其本身就有很多的光学优点(例如形成完美透镜),而且在光子晶体中引入负折射率材料后也会出现很多新的和有用的特性(例如全向带隙)。
在缺陷性能的物理研究和评价技术方面,目前已积累了大量的研究结果,但仍有部分缺陷的性能和形成机理未被认识清楚,结果导致在材料工艺上难以针对这些缺陷提出有效的抑制技术。.为解决长期制约CZT衬底技术发展的关键问题,本文将以改进CZT晶体生长...
关键词二维材料,石墨烯,缺陷,拓扑结构,几何效应二维晶体材料中的缺陷二维材料是近几年来备受关注的一种低维结构,由一或数层原子在二维空间或具有一定厚度尺寸的准二维空间中排列组成.相关研究已经发现并实现单原子层分离的石墨烯、六方氮化硼...
在理想条件下,晶体材料中的原子在三维空间中呈周期性的规则排列。然而在晶体生长的过程中,大量的结构单元(原子、分子或者离子集团)完全无误的排列成一个完整晶体是不可能的。当结构单元排列出现错误时,则形成缺陷。具体来说,晶体材料中的缺陷主要包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。
在锂离子电池电极与电解质材料研究中,缺陷化学对于理解材料的物理化学性质,指导材料的理性设计与优化方有重要的意义。本文重点讨论了锂电池材料中缺陷形态的类型、热力学基础、缺陷的存在对材料性质的调制等方面的内容,讨论了小尺寸材料引起的电极电位偏离理想材料的问题。
本论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对几种具有特殊晶体结构的热电材料(ReSi1.75,β-Zn4Sb3和Rh3ScSi7)的晶格缺陷和电子结构(如态密度、能带结构、成键性质、有效质量等)进行了研究,并研究了掺杂工艺对这几种材料晶体结构和电子结构的
镁合金材料的研究中国在国际上处于领先地位,全球第一本镁合金杂志《JournalofMagnesiumandAlloys》由重庆大学创办,潘复生院士担任主编,简述镁及镁合金的特点.第四章晶体缺陷1.材料中缺陷存在的普遍性2.缺陷对材料性能的影响