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稿费能有多少呢？？还不如 版面费的 零头呢……最多二三百元吧。通常都只有一百多点
该期刊一直以来都是核心期刊来的。没有改变---品 优刊 文章发表网*
无线电电子学、电信技术类核心期刊一览，排名靠后的应该比较好发文章。 1．电子学报 2.半导体学报 3.通信学报4.电波科学学报 5.北京邮电大学学报 6 .光电子、激光 7.液晶与显示8.电子与信息学报9.系统工程与电子技术10.西安电子科技大学学报11.现代雷达12. 红外与毫米波学报13. 信号处理14. 红外与激光工程15. 半导体光电16.激光与红外17.红外技术18.光电工程19.电路与系统学报20.微电子学21.激光技术22.电子元件与材料23. 固体电子学研究与进展24. 电信科学25. 半导体技术26. 微波学报27.电子科技大学学报28.光通信技术29.激光杂志30.光通信研究31.重庆邮电学院学报.自然科学版(改名为:重庆邮电大学学报.自然科学版)32.功能材料与器件学报33.光电子技术34.应用激光35.电子技术应用36.数据采集与处理37.压电与声光38.电视技术39.电讯技术40.应用光学41.激光与光电子学进展42.微纳电子技术43.电子显微学报
<半导体光电>现在仍是是中文核心期刊，位于“TN 电子技术、通信技术类"核心期刊表16 复合影响因子：0.407 综合影响因子：0.220 主办： 中国电子科技集团第四十四研究所周期： 双月ISSN： 1001-5868CN： 50-1092/TN创刊时间：1976该刊被以下数据库收录：CA 化学文摘(美)(2011)SA 科学文摘(英)(2011)CBST 科学技术文献速报(日)(2009)中国科学引文数据库(CSCD—2008)核心期刊：中文核心期刊(2008)中文核心期刊(2004)中文核心期刊(2000)中文核心期刊(1996)中文核心期刊(1992)
由于半导体光电是一份学术期刊，其出版时间可能受到多种因素的影响，因此其每期刊出时间并不是固定的。但是，一般情况下，学术期刊的出版周期比较稳定，半导体光电期刊一般为每季度刊行一期，即每年刊行四期。因此，第三期一般会在每年的第三个月、第四个月或第五个月左右出版。半导体光电期刊的具体时间表，如每期的出版日期、接受稿件时间、审稿时间等信息，可能会因各种因素而有所不同，建议作者或投稿人关注该期刊的官方网站或出版商公告，以获得最新的信息和具体时间表。此外，有些学术期刊会提供在线访问服务，对于需要及时了解最新研究进展、寻找科研合作伙伴等人员来说，这可能是一个更加方便的选择。
(1)来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家机密,引用他人作品应给出来源。(2) 文稿一般不超过6 000 字,综述稿不超过8 000 字,其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件,应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。?(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250 字为宜。?(4) 关键词以5～8 个为宜。为便于文献检索,应尽可能提供中图分类号。?(5) 文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。?(6) 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作，勿用截图。本刊为黑白印刷，请勿用彩色插图。?(7) 文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写（含标点符号）：1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.9) 注意事项（1）参考文献中的外文作者名、外文刊名的缩写一律不用缩写点。（2）外文著者一律用姓在名前，采用首字母缩写（中国人用全名不缩写）。姓和名之间不加逗号，名2个以上大写首字母，2名间空一格。文献作者3名以内全部列出，4名以上则列前3人，后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等，应用逗号分开。（3）外文题名第一个单词首字母大写，其余单词（专有名词除外）均不大写。（4）外文刊名应按国际标准规定缩写，不加缩写点。?(8)来稿请注明作者详细通信地址、邮编、联系电话，以及电子邮箱。?(9) 本刊编辑部将在收到稿件两个月之内对来稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知,作者有权对稿件另行处理。稿件一经刊用,本刊将酌付稿酬并赠送样刊。（10）为扩大《半导体光电》的读者面与影响力，本刊已与《中国知网（CNKI）》独家签署了光盘出版和上网协议。作者若不同意刊登在本刊上的论文制作成光盘版或上网，请来稿时具体说明；若未说明者，本刊视为同意上网。光盘版和上网等的稿费已包含在本刊支付的稿费中。
跟杂志社联系一下,或去邮局订阅《半导体技术》杂志地 址： 河北省石家庄179信箱46分箱邮政编码： 050002电 话： 传 真： 电子邮件： ； 国内刊号： CN 13-1109/TN国际刊号： ISSN 1003-353X邮发代号： 18-65定 价： 15元/期《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版) 全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊,河北省优秀期刊。《半导体技术》的稿源及读者对象主要是全国各研究机构、大专院校和企事业单位等。月刊 .1976年创刊 .主管单位： 信息产业部主办单位： 中国半导体行业协会 半导体专业情报网 电子十三所编辑单位： 半导体技术杂志社社 长： 杨克武主 编： 周立军主 任： 顾忠良
改善了折反射光学系统的性能波长为157nm的F2准分子激光器的特点是带宽很窄，Cymer公司的产品，其带宽为0.6～0.7 pm，窄带宽改善了折反射光学系统的性能。折反射光学系统的关键是分束器立方体，它使用CaF2材料，能有效地减少束程和系统的体积，大尺寸易碎的CaF2一直是157nm曝光的制约因素，现在SVGL已展出了12～15英寸的CaF2单晶锭，这为制造大数值孔径的折反射分束器设计扫清了道路。同时对单层抗蚀剂和在辐照下透明、持久、可靠的掩模保护膜进行了研究，去年春SEMATECH在加州召开的157nm曝光研讨会上，宣布这方面已取得了重大进展，现在美国的SVGL、ltratech和英国的Exilech公司都在研制整机，SVGL公司准备今年底出样机，明年底出生产型设备。首台售价约1300万美元。比利时的微电子研究中心（IMEC）与ASML公司合作建立了157nm基地，这个基地于今年开始工作，计划在2003年生产，它要求各种相关工艺配套，为70nm CMOS流片创造条件。此外，日本SELETE也在加紧工作。SEMATECH则购买Exitech公司的曝光机开展针对掩模光胶、胶的处理工艺、匀胶显影轨道系统、胶的刻蚀性能和相关测量技术等方面的研究。极紫外曝光欧洲和日本诸公司正在研究1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML组成极紫外有限公司（EUVLLC）和在加州的三个国家实验室参加，共同研发波长为13nm的极紫外（EUV）光刻机样机，今年4月在加州Livermore的Sandia国家实验室推出的样机被视为光刻的一个重要里程碑。据国际半导体杂志Aaron Hand介绍，光源是几个研究单位联合研制的；13nm的波长太短，几乎所有材料都能吸收它，研制捕获这种光的装置十分困难；反射镜光学表面为非球面，表面形貌及粗糙度小于一个原子；所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层，每层厚约λ/4，控制在0.1埃精度；EUV光刻采取新的环境控制，来抑制沾污；短波长，无缺陷掩模制作难度极大；样机采用nm级精度无摩擦的磁悬浮工作台。据EUVLLC项目经理Chuck Gwyn介绍，样机是第一步，下一步要研制生产机型为今后几年的生产做准备。现在更多用户表示要采用，并希望参与其中。在欧洲，蔡司、ASML和牛津公司在共同研究；在日本，Nikon、Canon和MC在共同研究。限角散射电子束投影曝光被众多厂家看好限角散射电子束投影曝光（SCALPEL）是高亮度电子源，经磁透镜聚焦产生电子束对掩模进行均匀照明，掩模是在低原子序数材料膜上覆盖高原子序数材料层组成，图形制作在高原子序数材料上。掩模是4倍放大，用格栅支撑。低原子序数的膜，电子散射弱，散射角度小，高原子序数的图形层，电子散射强，散射角度大，在投影光学装置的背焦面上有光阑，小散射角度电子通过光阑，在片子上形成缩小4倍的图像，再经过工作台步进实现大面积曝光。SCALPEL的优点是：分辨率高、焦深长、不需要邻近效应校正，生产率高，它没有EUV系统中昂贵的光学系统，也不需要X光的高成本光源，而且掩模成本比其它方法要低，故被众多厂家看好，Lucent、Motorola、Samsung、TI、eLith、ASAT、ASML等公司都参与其中共同开发，并计划在2002年推出<100nm大生产设备。但目前来看计划有所延迟，有些参与者转而看好PREVAIL。
半导体光电期刊是一种非常好的学术期刊，它主要关注半导体光电器件和光电技术领域的前沿研究和应用。这种期刊包含了许多高质量的科学论文和研究成果，这些成果对于推动半导体光电技术的发展非常有价值。该期刊的论文内容涵盖了半导体材料、器件制备、光电特性测试、应用等多个方向，涉及到了光电器件的设计、制造、测试、应用等多个环节。同时，该期刊的论文也涉及到了许多前沿技术和研究领域，如光电子学、半导体量子点、太阳能电池等。此外，该期刊的编辑和审稿人员都是来自于半导体光电领域的专家和学者，他们对于该领域的研究非常有深度和广度，能够保证论文的质量和水平。因此，半导体光电期刊是一种非常好的学术期刊，对于半导体光电领域的研究人员和科学家具有很高的参考价值和学术意义。
由于半导体光电是一份学术期刊，其出版时间可能受到多种因素的影响，因此其每期刊出时间并不是固定的。但是，一般情况下，学术期刊的出版周期比较稳定，半导体光电期刊一般为每季度刊行一期，即每年刊行四期。因此，第三期一般会在每年的第三个月、第四个月或第五个月左右出版。半导体光电期刊的具体时间表，如每期的出版日期、接受稿件时间、审稿时间等信息，可能会因各种因素而有所不同，建议作者或投稿人关注该期刊的官方网站或出版商公告，以获得最新的信息和具体时间表。此外，有些学术期刊会提供在线访问服务，对于需要及时了解最新研究进展、寻找科研合作伙伴等人员来说，这可能是一个更加方便的选择。
不算是核心期刊，没有SCI和EI收录。但是还是做得很不错，现在初审在1个月，复审3个月，发表5个月。
由于半导体光电是一份学术期刊，其出版时间可能受到多种因素的影响，因此其每期刊出时间并不是固定的。但是，一般情况下，学术期刊的出版周期比较稳定，半导体光电期刊一般为每季度刊行一期，即每年刊行四期。因此，第三期一般会在每年的第三个月、第四个月或第五个月左右出版。半导体光电期刊的具体时间表，如每期的出版日期、接受稿件时间、审稿时间等信息，可能会因各种因素而有所不同，建议作者或投稿人关注该期刊的官方网站或出版商公告，以获得最新的信息和具体时间表。此外，有些学术期刊会提供在线访问服务，对于需要及时了解最新研究进展、寻找科研合作伙伴等人员来说，这可能是一个更加方便的选择。
无线电电子学、电信技术类核心期刊一览，排名靠后的应该比较好发文章。 1．电子学报 2.半导体学报 3.通信学报4.电波科学学报 5.北京邮电大学学报 6 .光电子、激光 7.液晶与显示8.电子与信息学报9.系统工程与电子技术10.西安电子科技大学学报11.现代雷达12. 红外与毫米波学报13. 信号处理14. 红外与激光工程15. 半导体光电16.激光与红外17.红外技术18.光电工程19.电路与系统学报20.微电子学21.激光技术22.电子元件与材料23. 固体电子学研究与进展24. 电信科学25. 半导体技术26. 微波学报27.电子科技大学学报28.光通信技术29.激光杂志30.光通信研究31.重庆邮电学院学报.自然科学版(改名为:重庆邮电大学学报.自然科学版)32.功能材料与器件学报33.光电子技术34.应用激光35.电子技术应用36.数据采集与处理37.压电与声光38.电视技术39.电讯技术40.应用光学41.激光与光电子学进展42.微纳电子技术43.电子显微学报
1 非常优秀2 因为半导体光电期刊是涵盖半导体与光电两个学科领域的期刊，发表的论文涉及到的内容非常丰富，研究深度和广度都很高，而且所刊发的论文都经过了严格的学术审稿，质量非常高。3 如果你是从事半导体与光电领域的研究，那么订阅半导体光电期刊是非常有必要的，它正是你了解前沿研究成果、吸取学术精华、展示学术水平、提高自身研究能力的良好渠道。
不算是核心期刊，没有SCI和EI收录。但是还是做得很不错，现在初审在1个月，复审3个月，发表5个月。