◆稿件内容应有较高学术水平，有创新点，要求语言流畅，逻辑关系明确。在不影响基本思想表述完整性的前提下，请尽量精炼语句、精简图、表和公式、简化推导和证明过程。◆全文字数应控制在8000字以内，包括图、表、公式中出现的字符。应尽量简练文字，只给出主要公式、图、表，推导部分尽量用参考文献加注的方式给出。◆文章题目不超过20个汉字（每两个英文字母为一个汉字），作者署名人数不超过4人。同时要求提供相应的英文题目和作者的汉语拼音。要求给出作者单位的标准译名、单位所在地和邮政编码。◆要求中、英文摘要以提供文献内容的梗概为目的，不加评论和补充解释，简明、确切地记述文献的重要内容。内容应包括研究目的、方法、结果和结论等，并应尽量反映文章的主要信息，结论最好能量化和具体化。摘要最好控制在200～300字，英文摘要应与中文摘要对应。摘要、引言、结论3者不能重复。要求同时给出3～5个中英文关键词。◆所投稿件主体应包括：①引言；②原理与设计；③实验：一定要有实际实验主电路的详细参数，波形、过程、结果；④结论。◆基金项目及重大科研攻关项目：国家基金和科研项目要求中英文对应，只列出省部级及以上科研和基金项目，请注明名称并提供编号。◆要求提供第一作者的简介，包括：姓名（出生年-）、性别、籍贯、学历或职称以及主要研究方向。◆图形符号及标注符号应按国标规定的画、写，波形图应注明纵横坐标的物理意义，物理量单位及每格多少，并标出原点。两条以上的曲线，应注明每条曲线代表的含义。◆文章最后给出主要参考文献，所引文献必须是有刊号的正规出版物，并应在文中引用处加标注。具体格式请参照模板。◆编辑部有权对稿件做必要的删改。稿件一经发表，即致稿酬，并赠送刊物两册。◆我刊已加入“中国学术期刊（光盘版）”、“中国期刊网”、“万方数据系统科技期刊群”等数据库，我刊付给论文作者的稿酬中已包括上述数据库的稿酬，如作者不同意将文章纳入上述数据库，请来函声明。◆投稿作者请提供手机或固定电话号码、工作单位、通讯地址等，以方便联系。
2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事 电力电子器件是电力电子技术的核心，其主要功能是通过器件的高速开关完成各种电能形式的相互变换。随着科技的进步，人类的电力使用与电力电子器件的关系越来越密切，对它的开发与使用逐渐成为人类实现“节能减排”目标的重要手段之一。 电力电子器件的性能优劣将直接影响到电能的利用效率。目前常用的Si基电力电子器件经过几十年的发展已经逐渐接近了材料本身的理论极限。为从根本上解决这一问题，发展有更高的功率密度输出、更高的能量转换效率的宽禁带半导体SiC和GaN器件可以实现系统小型化、轻量化，从而大大降低制作成本，这对全球大力推广节能减排的今天意义十分重大。 为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广，本刊拟将《电力电子技术》杂志2017年第 8 期辟为“宽禁带半导体电力电子器件”专辑，以期集中反映国内外这一技术领域的相关情况和发展趋势。热切欢迎从事宽禁带半导体电力电子器件研发工作的专家学者和青年科技工作者踊跃投稿。专题的征文范围包括： 1、Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术。 2、GaN基电力电子器件（二极管，MOSFET等）的关键技术及挑战。 3、SiC基电力电子器件（二极管，MOSFET及IGBT等）的关键技术及挑战。 4、宽禁带半导体电力电子器件的封装技术及应用。 5、宽禁带半导体电力电子器件的驱动技术及进展。 欲投稿的作者请在2017年5月31日前将论文寄到本刊编辑部（E-mail:），并注明“宽禁带半导体电力电子器件”字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于2017年6月30日前通知作者。本刊将请中山大学刘扬教授为该专辑的特邀主编，对该领域的研究及该专辑的论文进行分析与点评。
“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事 以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料所制成的二极管、MOSFET、HEMT等电力电子器件已经逐步商业化，并在耐压、开关性能、温度特性等方面显示出比传统的硅材料器件更为卓越的性能，但在驱动、保护、开关过电压和噪声抑制、封装及可靠性等方面还存在一定的问题，在一定程度上影响了宽禁带半导体器件的迅速推广和应用。这些问题已经成为电力电子技术领域重要的研究热点，学术界和工业界开展了深入的研究和广泛的探索，并取得了大量成果。当前，迫切需要对相关研究问题和成果进行有效的整理，并开展广泛的交流和讨论，使更多的学者和应用工程师了解和掌握宽禁带半导体器件应用的关键技术，并促进其应用问题的解决。 为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广，本刊拟将《电力电子技术》杂志2017年第09期开辟为“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑，以集中反映这一技术领域的最新科研成果，关键技术发展和创新，新方法、新产品的设计、生产和运行经验，国外相关情况和发展趋势。欢迎相关产品生产企业和研究机构的专家学者踊跃投稿。专题的征文范围包括： 1、宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法。 2、驱动与保护方法及电路设计 3、采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术与方法4 采用宽禁带半导体构成的变换器的电磁兼容问题的研究 5 宽禁带半导体器件和电路的封装与集成技术 6 宽禁带半导体器件的散热技术与高温应用 7 宽禁带半导体器件的可靠性问题研究 欲投稿的作者请于2017年6月30日前将论文寄到本刊编辑部邮箱（Email：），并注明“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于2017年7月30日前通知作者。本刊将请西安交通大学杨旭教授为该专辑的特邀主编，对该领域的研究及该专辑的论文进行分析与点评。
“高频、超高频电力电子功率变换技术”专辑征文启事 近年来电力电子变换器不断发展，小体积及高功率密度已经成为其发展的趋势。为进一步减小功率变换器的体积并提高其功率密度，高频、超高频电力电子功率变换技术得到了广泛的关注，同时宽禁带半导体材料的不断发展，也为系统高频化提供了广阔的发展空间。高效、高频、高功率密度的发展趋势，对功率变换器拓扑、驱动方式以及控制方式提出了更高的要求。随着高频、超高频电力电子功率变换技术的不断发展及完善，其可逐渐应用于民用、工业应用以及航天系统的电力电子变换器中，未来其在国民经济和社会发展中将会发挥出更大的作用。 为促进高频、超高频电力电子功率变换技术的研究和应用，促进高频、超高频电力电子功率变换技术向生产力转化，本刊拟将《电力电子技术》杂志 2017年第12 期辟为“高频、超高频电力电子功率变换技术”专辑，以集中反映这一技术领域的最新科研成果，关键技术发展和创新，新装备、新产品的设计、生产和运行经验，国外相关情况和发展趋势。欢迎相关产品生产企业和研究机构的专家学者踊跃投稿。专题的征文范围包括： 1、高频、超高频电力电子功率变换器拓扑； 2、高频、超高频电力电子功率变换器驱动技术，包括谐振驱动技术、电流源驱动技术等； 3、高频、超高频电力电子功率变换器控制技术； 4、新型材料半导体器件（SiC、GaN）在高频、超高频电力电子功率变换系统中的应用； 5、适用于高频、超高频功率变换系统的开关器件研制及其封装设计； 6、高频、超高频条件下磁性材料的研制以及磁性元件的设计； 7、高频、超高频条件下电力电子功率变换器平面及空间布局优化； 8、高频、超高频条件下系统寄生参数影响分析及利用； 9、系统EMI特性在高频、超高频条件下的分析及改善。 欲投稿的作者请在2017年8月30日前将论文寄到本刊编辑部（Email: ），并注明“高频、超高频”字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于 2017年9月30日前通知作者。本刊将请哈尔滨工业大学徐殿国教授、王懿杰副教授为该专辑的特邀主编，对该领域的研究及该专辑的论文进行分析与点评。
刊名： 电子技术
Electronic Technology
主办： 上海市电子学会;上海市通信学会
周期： 月刊
出版地：上海市
语种： 中文;
开本： 大16开
ISSN： 1000-0755
CN： 31-1323/TN
邮发代号： 4-141
历史沿革：
现用刊名：电子技术
创刊时间：1963
核心期刊：
中文核心期刊(1996)
中文核心期刊(1992)
PS：这个刊物不是国家级别的，看主办单位就知道了，是上海市电子学会和通信学会主办的。
