金属氧化物pn异质结对光电响应与气体敏感特性的作用. 【摘要】: 金属氧化物半导体 (MOS)因其可以直接利用太阳能,而被广泛应用于气体探测、光催化、以及能量存储与转化等领域。. 其光气敏特性就是指因光生载流子与表而化学吸附物间的交互作用而引起电导 ...
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金属氧化物异质结由于费米能级效应、不同组分之间的协同作用,常被用来提高电阻型金属氧化物半导体气体传感器的气敏特性。本文简述了近年来国内外金属氧化物异质结材料的类别,主要分为混合氧化物结构、层状结构、第二相粒子修饰结构、一维纳米结构和核-壳结构;重点综述了金属氧化物异质 ...
气敏性能测试结果显示,该材料对丙酮气体有极高的响应度(Rair/Rgas = 22.8 @ 5 ppm acetone, 90%RH),这高于之前文献中报道的MOF基材料的响应度。其高气敏响应度可以归因于多孔中空的框架结构及p-n异质结构。
较差的气敏选择性是半导体型气体传感器应用所面临的最大挑战,构建 p-n 异质结是改善其气敏选择性的重要方法。 我们合成了 Co 3 O 4 /SnO 2 复合材料,在气敏膜中构建 p-n 异质结,获得了对 H 2 为 p 型响应,对其他还原性气体 (如 CO,NH 3,H 2 S) 为 n 型响应的高 H 2 选择性气敏器件。
金属氧化物pn异质结对光电响应与气体敏感特性的作用. 【摘要】: 金属氧化物半导体 (MOS)因其可以直接利用太阳能,而被广泛应用于气体探测、光催化、以及能量存储与转化等领域。. 其光气敏特性就是指因光生载流子与表而化学吸附物间的交互作用而引起电导 ...
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气敏性能测试结果显示,该材料对丙酮气体有极高的响应度(Rair/Rgas = 22.8 @ 5 ppm acetone, 90%RH),这高于之前文献中报道的MOF基材料的响应度。其高气敏响应度可以归因于多孔中空的框架结构及p-n异质结构。
较差的气敏选择性是半导体型气体传感器应用所面临的最大挑战,构建 p-n 异质结是改善其气敏选择性的重要方法。 我们合成了 Co 3 O 4 /SnO 2 复合材料,在气敏膜中构建 p-n 异质结,获得了对 H 2 为 p 型响应,对其他还原性气体 (如 CO,NH 3,H 2 S) 为 n 型响应的高 H 2 选择性气敏器件。