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半导体异质结精准制备是半导体器件的起点，是现代电子学和光电子学的重要基石。卤化物钙钛矿材料作为一类近年来引起广泛关注的新兴半导体，在太阳能电池、发光二极管、激光等领域展示出巨大的应用前景。
金属-半导体异质结构是电学和光学器件的重要组成部分，异质界面处因晶格失配导致的结构缺陷会限制这些器件的性能。晶格匹配的二维金属-半导体异质结，能够实现超低金属-半导体势垒，因而在未来的二维集成电路器件中有很大的应用前景。
GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用. 【摘要】： GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可 ...
来源: 中国物理学会期刊网. 原标题：漫谈半导体材料及异质结器件. 作者：王海龙 潘东 赵建华 (中国科学院半导体研究所，中国科学院大学 材料科学与光电技术学院) 摘要 半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色，相关产品几乎渗透了人类生活的 ...
新型氮化物InAlN半导体异质结构与HEMT器件研究-GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具有优越输运特性的二维电子气（2DEG）等出色的材料性能，非常...
低维半导体纳米材料及其异质结构的第一性原理研究. 【摘要】： 纳米材料的独特结构和奇异特性,成为当今材料科学研究中最活跃的领域之一,在能源、信息等领域正逐步产生越来越深远的影响。. 在新能源领域,太阳能作为一种新的可再生资源,一直是人们追求 ...
在21世纪的今天,人工智能、5G通信、云计算、大数据和物联网等新兴技术应运而生,这些最新科技的未来无一例外都离不开半导体集成电路产业的繁荣发展。在过去几十年间,集成电路的发展一直遵循着摩尔定律,当晶体管的特征尺寸随时间缩小到几纳米,从物理尺寸上来说已然逼近摩
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET，张茂添;刘冠洲;李成;王尘;黄巍;赖虹凯;陈松岩;-半导体技术2014年第02期杂志在线阅读、文章下载。 Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET-《半导体技术》2014年02期-中国知网
射频异质集成电路可将GaAs，InP等化合物半导体材料的高性能射频元器件，芯片与硅基低成本，高集成度，高复杂度的数字和模拟混合电路模块，通过异质生长或键合等方式集成为一个完整的2~3维集成电路，充分发挥了各种材料，器件与结构的优势。
半导体异质结构和场诱导加速离子迁移是一个全新的科学机制，在大量的研究基础上，正在形成一个新的学科和方法论： 半导体离子学-研究半导体材料的离子输运规律和应用的新兴前沿学科（朱斌教授提出和带领的研 …
半导体异质结精准制备是半导体器件的起点，是现代电子学和光电子学的重要基石。卤化物钙钛矿材料作为一类近年来引起广泛关注的新兴半导体，在太阳能电池、发光二极管、激光等领域展示出巨大的应用前景。
金属-半导体异质结构是电学和光学器件的重要组成部分，异质界面处因晶格失配导致的结构缺陷会限制这些器件的性能。晶格匹配的二维金属-半导体异质结，能够实现超低金属-半导体势垒，因而在未来的二维集成电路器件中有很大的应用前景。
GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用. 【摘要】： GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可 ...
来源: 中国物理学会期刊网. 原标题：漫谈半导体材料及异质结器件. 作者：王海龙 潘东 赵建华 (中国科学院半导体研究所，中国科学院大学 材料科学与光电技术学院) 摘要 半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色，相关产品几乎渗透了人类生活的 ...
新型氮化物InAlN半导体异质结构与HEMT器件研究-GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具有优越输运特性的二维电子气（2DEG）等出色的材料性能，非常...
低维半导体纳米材料及其异质结构的第一性原理研究. 【摘要】： 纳米材料的独特结构和奇异特性,成为当今材料科学研究中最活跃的领域之一,在能源、信息等领域正逐步产生越来越深远的影响。. 在新能源领域,太阳能作为一种新的可再生资源,一直是人们追求 ...
在21世纪的今天,人工智能、5G通信、云计算、大数据和物联网等新兴技术应运而生,这些最新科技的未来无一例外都离不开半导体集成电路产业的繁荣发展。在过去几十年间,集成电路的发展一直遵循着摩尔定律,当晶体管的特征尺寸随时间缩小到几纳米,从物理尺寸上来说已然逼近摩
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET，张茂添;刘冠洲;李成;王尘;黄巍;赖虹凯;陈松岩;-半导体技术2014年第02期杂志在线阅读、文章下载。 Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET-《半导体技术》2014年02期-中国知网
射频异质集成电路可将GaAs，InP等化合物半导体材料的高性能射频元器件，芯片与硅基低成本，高集成度，高复杂度的数字和模拟混合电路模块，通过异质生长或键合等方式集成为一个完整的2~3维集成电路，充分发挥了各种材料，器件与结构的优势。
半导体异质结构和场诱导加速离子迁移是一个全新的科学机制，在大量的研究基础上，正在形成一个新的学科和方法论： 半导体离子学-研究半导体材料的离子输运规律和应用的新兴前沿学科（朱斌教授提出和带领的研 …
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