第三代半导体迎来新发展机遇 南京大学电子科学与工程学院,210033 郑有炓,半导体材料与器件物理专家,中国科学院院士。长期从事半导体异质结构材料与器件物理研究,近年主要致力于第三代半导体材料与器件 …
半导体激光器功率稳定性的研究,半导体激光器,功率稳定性,MSP430F167单片机,自动控制。 自从1960年发现激光以来,激光器件、激光技术及其应用均以极快的速度发展,目前几乎已渗透到所有的学科和应用领域。激光器...
中国期刊网,期刊,杂志,读者服务,电子杂志,论文,文库,期刊网,电子刊 广州杰赛科技股份有限公司 摘要:半导体集成电路的可靠性设计是在产品研制的全过程中,以预防为主、加强系统管理的思想为指导,从线路设计、版图设计、工艺设计、封装结构设计、评价试验设计、原材料选用、软件设计等 ...
功率半导体器件如晶闸管 二极管等广泛应用于功率变换 自动控制 力驱动脉冲功率等领域 对于这些领域中应用的装置而言 可靠性是设计制造 及使用者最关心的问题 装置的高可靠性对功率半导体器件的可靠性也提出了更 高要求 为了保证给用户提供高可靠性的产品 近年来 奇亿公司不断致力于功 率 ...
期刊 全文库 学位论文库 会议论文库 年鉴全文库 学术百科 工具书 学术不端检测 ... 性领域电子设备用塑封半导体器件的筛选、鉴定和验收试验项目、条件和判据;为国产塑封半导体的可靠性攻关的内容和技术路线提供试验依据。 本文通过试验总结了现 ...
微波半导体器件可靠性的电子显微分析. 【摘要】: 随着现代电子技术的发展,电子整机系统的工作频率越来越高,微波半导体器件在各领域的应用日益广泛,而在使用过程中出现的质量问题和可靠性问题也日益增多,有些已造成了生产方和使用方的巨大经济损失 ...
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅 …
半导体集成电路可靠性测试及数据处理方法. 陈耿. 【摘要】: 伴随着新材料与工艺技术的出现,半导体集成电力线宽逐渐减少,其集成度逐渐提高,对于集成电路可靠性要求逐渐严格。. 如今,集成电路生产加工突飞猛进,在一定程度上为集成电路可靠性研究奠定了 ...
通过半导体数值分析工具,较系统探讨了器件动态开关过程中的物理行为和失效机制,阐明了器件失效的内部物理机理和影响器件可靠性的关键因素。 基于以上研究,提出了快速预测器件可靠性的方法和提升器件可靠性的新结构,对SiC MOSFET器件的设计和工程应用起到了良好的指导作用。
化合物半导体 ——“超越摩尔定律”领域的宠儿. Compound semiconductor—the favorite of "Beyond Moore's Law". 陆敏. 当前全球大部分半导体芯片和器件,虽然仍是以硅基半导体为主。. 不过,随 着万物互联、5G 通信及新能源时代的到来,以砷化镓、磷化铟、氮化镓及碳化 硅 …
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功率半导体器件如晶闸管 二极管等广泛应用于功率变换 自动控制 力驱动脉冲功率等领域 对于这些领域中应用的装置而言 可靠性是设计制造 及使用者最关心的问题 装置的高可靠性对功率半导体器件的可靠性也提出了更 高要求 为了保证给用户提供高可靠性的产品 近年来 奇亿公司不断致力于功 率 ...
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微波半导体器件可靠性的电子显微分析. 【摘要】: 随着现代电子技术的发展,电子整机系统的工作频率越来越高,微波半导体器件在各领域的应用日益广泛,而在使用过程中出现的质量问题和可靠性问题也日益增多,有些已造成了生产方和使用方的巨大经济损失 ...
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅 …
半导体集成电路可靠性测试及数据处理方法. 陈耿. 【摘要】: 伴随着新材料与工艺技术的出现,半导体集成电力线宽逐渐减少,其集成度逐渐提高,对于集成电路可靠性要求逐渐严格。. 如今,集成电路生产加工突飞猛进,在一定程度上为集成电路可靠性研究奠定了 ...
通过半导体数值分析工具,较系统探讨了器件动态开关过程中的物理行为和失效机制,阐明了器件失效的内部物理机理和影响器件可靠性的关键因素。 基于以上研究,提出了快速预测器件可靠性的方法和提升器件可靠性的新结构,对SiC MOSFET器件的设计和工程应用起到了良好的指导作用。
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