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我的一篇关于纳米线生长方面的文章，投到Crystalgrowthanddesign被拒了。不知道还有其他什么适合的杂志，请大家推荐一下！文章中没有涉及生长机理方面的东西，感觉深度不够，可能是被拒的原因。
近日，上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室和融创中心研究团队在二锑化铈（CeSb 2 ）单晶生长和输运研究方面取得新进展，相关研究成果作为封面文章发表在《晶体工程通讯》（Crystengcomm）。 CeSb 2 是一种稀土二锑化物，属于Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida …
10月26日，宁波大学陈红兵研究员应邀访问晶体材料国家重点实验室，作了题为“坩埚下降法单晶生长的若干关键共性技术探讨”的学术报告，晶体材料国家重点实验室的部分师生参加了此次学术交流。作为大尺寸体单晶生长的主流制备技术之一，坩埚下降法被广泛应用于制备多种无机单晶材料，以 ...
碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展. 罗昊1，张序清2，杨德仁1,2，皮孝东1,2. 1.浙江大学 ， 硅材料国家重点实验室 ， 材料科学与工程学院；. 2.浙江大学杭州国际科创中心，先进半导体研 …
实验室邀请中科院物理所石友国研究员来所进行学术访问与交流 日期：2018-07-14， 查看：608 字体大小： 7月12日，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所黄庆研究员的邀请，中科院物理所石友国研究员访问宁波材料所先进能源材料工程实验室，并作了题为“锇体系新材料探索和功能材料单晶生长 ...
中国期刊网,期刊,杂志,读者服务,电子杂志,论文,文库,期刊网,电子刊 [导读] 摘要：本文主要针对直拉硅单晶生长过程进行分析，简述了直拉硅单晶生长过程的数学模型，进而分析了如何更好的控制直拉硅单晶生长的过程，针对其缺陷进行了探讨，提出了控制的方法。
叶片单晶生长的工程控制理论与实践. 【摘要】： 正与常规物理意义上的单晶不同,发动机叶片单晶是以发达的树枝状生长的近终成形构件。. 要获得特定取向的完整的叶片单晶,需要对选晶和生长阶段进行精细控制,而关于单晶生长的理论仅能提供叶片单晶生长的 ...
硅单晶是最重要的半导体材料, 90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上. 随着集成电路技术 的快速发展, 对硅单晶的品质要求也不断提高. 直拉法是生产硅单晶的主要方法, 其科学原理与方法、生长技术与 工艺、控制策略与手段一直是理论界和产业界高度关注和不断研究的热点.
介绍了磷化铟的基本属性及其在光电子与微电子器件方面的应用,归纳了磷化铟合成与单晶生长的主要方法,并对各种方法进行了比较。对国内外磷化铟体单晶领域的的研究状况、磷化铟中的缺陷与杂质及半绝缘磷化铟的形成机制方面的研究成果作了介绍和讨论,同时,介绍了磷化铟单晶材料研究领域的 ...
Designed Growth of Large-Size 2D Single Crystals. Advanced Materials ( IF 30.849 ) Pub Date : 2020-03-20 , DOI: 10.1002/adma.202000046. Can Liu,Li Wang,Jiajie …
我的一篇关于纳米线生长方面的文章，投到Crystalgrowthanddesign被拒了。不知道还有其他什么适合的杂志，请大家推荐一下！文章中没有涉及生长机理方面的东西，感觉深度不够，可能是被拒的原因。
近日，上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室和融创中心研究团队在二锑化铈（CeSb 2 ）单晶生长和输运研究方面取得新进展，相关研究成果作为封面文章发表在《晶体工程通讯》（Crystengcomm）。 CeSb 2 是一种稀土二锑化物，属于Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida …
10月26日，宁波大学陈红兵研究员应邀访问晶体材料国家重点实验室，作了题为“坩埚下降法单晶生长的若干关键共性技术探讨”的学术报告，晶体材料国家重点实验室的部分师生参加了此次学术交流。作为大尺寸体单晶生长的主流制备技术之一，坩埚下降法被广泛应用于制备多种无机单晶材料，以 ...
碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展. 罗昊1，张序清2，杨德仁1,2，皮孝东1,2. 1.浙江大学 ， 硅材料国家重点实验室 ， 材料科学与工程学院；. 2.浙江大学杭州国际科创中心，先进半导体研 …
实验室邀请中科院物理所石友国研究员来所进行学术访问与交流 日期：2018-07-14， 查看：608 字体大小： 7月12日，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所黄庆研究员的邀请，中科院物理所石友国研究员访问宁波材料所先进能源材料工程实验室，并作了题为“锇体系新材料探索和功能材料单晶生长 ...
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叶片单晶生长的工程控制理论与实践. 【摘要】： 正与常规物理意义上的单晶不同,发动机叶片单晶是以发达的树枝状生长的近终成形构件。. 要获得特定取向的完整的叶片单晶,需要对选晶和生长阶段进行精细控制,而关于单晶生长的理论仅能提供叶片单晶生长的 ...
硅单晶是最重要的半导体材料, 90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上. 随着集成电路技术 的快速发展, 对硅单晶的品质要求也不断提高. 直拉法是生产硅单晶的主要方法, 其科学原理与方法、生长技术与 工艺、控制策略与手段一直是理论界和产业界高度关注和不断研究的热点.
介绍了磷化铟的基本属性及其在光电子与微电子器件方面的应用,归纳了磷化铟合成与单晶生长的主要方法,并对各种方法进行了比较。对国内外磷化铟体单晶领域的的研究状况、磷化铟中的缺陷与杂质及半绝缘磷化铟的形成机制方面的研究成果作了介绍和讨论,同时,介绍了磷化铟单晶材料研究领域的 ...
Designed Growth of Large-Size 2D Single Crystals. Advanced Materials ( IF 30.849 ) Pub Date : 2020-03-20 , DOI: 10.1002/adma.202000046. Can Liu,Li Wang,Jiajie …
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