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模拟结果显示,晶体生长开始时,溶液内存在上下两个顺时针方向的涡流。随后,靠近生长界面的涡流很快消失,远离生长界面的涡流逐渐缩小,并向溶液顶部移动。生长界面前的对流消失后,ZnTe溶质以扩散形式向生长界面传输。生长界面最开始为凸界面,待生长至晶锭总
ISSN:0960-8974，1977年创刊，全年6期，Elsevier Science出版社,UK。SCI、EI收录期刊，SCI 2002年影响因子0.700，被引频次335、年载文量41。2002年EI收录45篇。刊载有关晶体生长、晶体价值与特性等方面的评论，以及专题报告、新书评介、会议报告。
CdZnTe单晶存在生长温度高、热导率低、层错能低、组分分凝等诸多不利因素，导致单晶直径难以增大，晶体中大量存在着各种典型缺陷。. 增大晶体直径、提高晶体质量一直是CdZnTe单晶生长研究的主要方向。. 本文围绕MCT液相外延技术对大面积高质量CdZnTe衬底的 ...
熔体晶体生长的实时观察研究,实时观察,熔体晶体生长,高温熔体,对流,氧化物晶体。本文提供了实时观察高温熔体晶体生长的新方法。此方法是将休伦（Schlieren）技术和微分干涉显微镜（DIM）技术相结合...
晶体生长方面容易发的的期刊（在国际检索（SCI或EI）刊物收录），着急毕业，谢谢啦！ 已经有9人回复 求一篇合适的晶体杂志 已经有10人回复 晶体生长方面的杂志都有哪些？ 已经有4人回复 普通晶体发什么类型杂志的文章 已经有17人回复
水溶液法合成钼酸锂粉体及其晶体生长. 采用水溶液法合成了钼酸锂多晶粉体,该方法相比高温烧结合成工艺有效提高了粉体的均匀性及纯度。. 采用水溶液法在室温下生长了钼酸锂晶体,晶体外形规则,尺寸约为20 mm×30 mm× 40 mm;该晶体按晶面方向规则生长,其主晶面 ...
晶体生长的定量化，并综合考虑晶体和环境相，以及微观与宏观之间的相互关系是今后晶体生长理论的方向发展。 1.1.2 晶体生长的基本过程 如 果把晶体生长全过程进行分解的话，它至少应该包括以下几个基本过程：溶质的溶解，晶体生长基元的形成，晶体生长
离子液体表面锌（Zn）晶体形貌及生长机理的研究. 金英. 【摘要】： 低维纳米晶体材料在半导体工业等领域具有十分广泛的应用。. 近年来,人们越来越关注三维系统中有一维或两维的尺寸在1-100 nm之间的功能低维纳米晶体材料,与之相关的研究成果报道也越来越多 ...
长期致力于有机半导体晶体、二维半导体晶体及有机-无机杂化晶体的设计，生长及性能研究。在Angew. Chem. Int. Ed., Adv. Mater.,等国际期刊上已发表SCI杂志论文50余篇，一篇被Angew.
这些发现表明溶液生长晶体中不存在基面位错（见图 5 ）。此外，它们还表明在 {0001} 晶面中籽晶的基面位错与晶体生长的方向相交为直角时，这些位错不会传播到溶液生长的晶体中。
模拟结果显示,晶体生长开始时,溶液内存在上下两个顺时针方向的涡流。随后,靠近生长界面的涡流很快消失,远离生长界面的涡流逐渐缩小,并向溶液顶部移动。生长界面前的对流消失后,ZnTe溶质以扩散形式向生长界面传输。生长界面最开始为凸界面,待生长至晶锭总
ISSN:0960-8974，1977年创刊，全年6期，Elsevier Science出版社,UK。SCI、EI收录期刊，SCI 2002年影响因子0.700，被引频次335、年载文量41。2002年EI收录45篇。刊载有关晶体生长、晶体价值与特性等方面的评论，以及专题报告、新书评介、会议报告。
CdZnTe单晶存在生长温度高、热导率低、层错能低、组分分凝等诸多不利因素，导致单晶直径难以增大，晶体中大量存在着各种典型缺陷。. 增大晶体直径、提高晶体质量一直是CdZnTe单晶生长研究的主要方向。. 本文围绕MCT液相外延技术对大面积高质量CdZnTe衬底的 ...
熔体晶体生长的实时观察研究,实时观察,熔体晶体生长,高温熔体,对流,氧化物晶体。本文提供了实时观察高温熔体晶体生长的新方法。此方法是将休伦（Schlieren）技术和微分干涉显微镜（DIM）技术相结合...
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晶体生长的定量化，并综合考虑晶体和环境相，以及微观与宏观之间的相互关系是今后晶体生长理论的方向发展。 1.1.2 晶体生长的基本过程 如 果把晶体生长全过程进行分解的话，它至少应该包括以下几个基本过程：溶质的溶解，晶体生长基元的形成，晶体生长
离子液体表面锌（Zn）晶体形貌及生长机理的研究. 金英. 【摘要】： 低维纳米晶体材料在半导体工业等领域具有十分广泛的应用。. 近年来,人们越来越关注三维系统中有一维或两维的尺寸在1-100 nm之间的功能低维纳米晶体材料,与之相关的研究成果报道也越来越多 ...
长期致力于有机半导体晶体、二维半导体晶体及有机-无机杂化晶体的设计，生长及性能研究。在Angew. Chem. Int. Ed., Adv. Mater.,等国际期刊上已发表SCI杂志论文50余篇，一篇被Angew.
这些发现表明溶液生长晶体中不存在基面位错（见图 5 ）。此外，它们还表明在 {0001} 晶面中籽晶的基面位错与晶体生长的方向相交为直角时，这些位错不会传播到溶液生长的晶体中。
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