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1988-1998就读于西安电子科技大学，获应用数学学士、密码学硕士和密码学博士学位，1998-2000在上海交通大学做博士后，出站后留校任教。曾在东京大学和鲁汶大学做访问学者和高级研究 …
SOI NMOS器件的总剂量辐射效应研究,SOI,NMOS,总剂量效应,辐射偏置条件,抗辐照加固。随着SOI技术在辐射环境下的应用越来越广泛,如何提高其抗辐照的性能成为近年来国内外研究重点。 本文首先对PD …
65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究. 梁永生, 吴郁, 郑宏超, 李哲. 1.北京工业大学 信息学部；2.北京微电子技术研究所. 出版日期: 2018-01-15 发布日期: 2018-01-11. 作者简介: 梁永生（1992-），男，硕士研究生。. 研究方向：集成电路抗辐射加固。. 吴郁（1970 ...
中国计算机学会(CCF)日前完成了《中国计算机学会推荐国际学术会议和期刊目录》（下文简称“目录”）第五版审定，现予发布。2018年12月，CCF决定启动新一轮《目录》更新工作。此次更新距第四版目录（ 2015年12月）发布已有三年。
通过Sentaurus TCAD仿真发现,N型GaN埋层可以明显改善器件的击穿电压。 相比于传统结构530 V的击穿电压,新结构的击穿电压达到了892 V,提高了68 %。 此外,N型GaN埋层没有影响到器件的导通特性,使得器件保留了低的特征导通电阻。
纳米MOS器件TID与HCI效应关联分析. 高立娜. 【摘要】： 空间站、人造卫星等航天设备在空间环境中,会长期受到可靠性效应和总剂量辐射效应的影响。. 本文针对宇航环境中存在的可靠性效应和辐射效应以及两者之间相互的影响进行了分析。. 重点研究了纳米尺寸 ...
出版学术著作5部，被科学出版社和高等教育出版社分别列为“现代数学基础丛书184辑”和“现代数学基础32辑”；发表学术期刊论文310余篇，其中包括SIAM J. (SINUM, SISC, SIMAX)，IEEE Trans.（TAC，TCAD，TCAS）等国际著名SCI期刊论文260余篇。主持国家
西安电子科技大学 图书馆 智慧门户平台提供在线自助建站服务。平台易用，用户使用拖拽方式、所见即所得，搭建过程轻松、零代码；具有丰富的模板体现不同行业的特征与风格；布局模块搭配样式模板，满足用户的各类样式需求；添加内容多方式，可 ...
梅宏，男，1963年5月生，汉族，籍贯重庆，出生并成长于贵州。. 1984和1987年分别于南京航空学院获学士和硕士学位，1992年于上海交通大学获博士学位，1994年从北京大学博士后出站。. 1999年3月－2000年4月在美国贝尔实验室任访问科学家。. 2005年被聘为教育部长江 ...
现为西安电子科技大学人工智能学院华山准聘副教授，主要研究方向为高能效传感电路与系统、柔性电子、感-算一体电路与系统、智能计算硬件加速（ASIC、FPGA）等方面。在TED、TCAD、DAC等国际期刊和会议发表论文十余篇。
1988-1998就读于西安电子科技大学，获应用数学学士、密码学硕士和密码学博士学位，1998-2000在上海交通大学做博士后，出站后留校任教。曾在东京大学和鲁汶大学做访问学者和高级研究 …
SOI NMOS器件的总剂量辐射效应研究,SOI,NMOS,总剂量效应,辐射偏置条件,抗辐照加固。随着SOI技术在辐射环境下的应用越来越广泛,如何提高其抗辐照的性能成为近年来国内外研究重点。 本文首先对PD …
65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究. 梁永生, 吴郁, 郑宏超, 李哲. 1.北京工业大学 信息学部；2.北京微电子技术研究所. 出版日期: 2018-01-15 发布日期: 2018-01-11. 作者简介: 梁永生（1992-），男，硕士研究生。. 研究方向：集成电路抗辐射加固。. 吴郁（1970 ...
中国计算机学会(CCF)日前完成了《中国计算机学会推荐国际学术会议和期刊目录》（下文简称“目录”）第五版审定，现予发布。2018年12月，CCF决定启动新一轮《目录》更新工作。此次更新距第四版目录（ 2015年12月）发布已有三年。
通过Sentaurus TCAD仿真发现,N型GaN埋层可以明显改善器件的击穿电压。 相比于传统结构530 V的击穿电压,新结构的击穿电压达到了892 V,提高了68 %。 此外,N型GaN埋层没有影响到器件的导通特性,使得器件保留了低的特征导通电阻。
纳米MOS器件TID与HCI效应关联分析. 高立娜. 【摘要】： 空间站、人造卫星等航天设备在空间环境中,会长期受到可靠性效应和总剂量辐射效应的影响。. 本文针对宇航环境中存在的可靠性效应和辐射效应以及两者之间相互的影响进行了分析。. 重点研究了纳米尺寸 ...
出版学术著作5部，被科学出版社和高等教育出版社分别列为“现代数学基础丛书184辑”和“现代数学基础32辑”；发表学术期刊论文310余篇，其中包括SIAM J. (SINUM, SISC, SIMAX)，IEEE Trans.（TAC，TCAD，TCAS）等国际著名SCI期刊论文260余篇。主持国家
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梅宏，男，1963年5月生，汉族，籍贯重庆，出生并成长于贵州。. 1984和1987年分别于南京航空学院获学士和硕士学位，1992年于上海交通大学获博士学位，1994年从北京大学博士后出站。. 1999年3月－2000年4月在美国贝尔实验室任访问科学家。. 2005年被聘为教育部长江 ...
现为西安电子科技大学人工智能学院华山准聘副教授，主要研究方向为高能效传感电路与系统、柔性电子、感-算一体电路与系统、智能计算硬件加速（ASIC、FPGA）等方面。在TED、TCAD、DAC等国际期刊和会议发表论文十余篇。
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