发表服务
会议IEEE International Solid-State Circuits Conference，简称：ISSCC，国际固态电路会议 IEEE International Electron Devices Meeting，简称：IEDM，国际电子器件会议 IEEE Symposia on VLSI Technology and …
毕业论文 Silvaco TCAD基CMOS器件仿真. 本科毕业论文 (设计)题目：Silvaco TCAD基CMOS 器件仿真 学院：物理科学学院 专业： 姓名： 指导教师： 2014 青岛大学毕业论文 (设计)任务书 学生姓名:同组学生: 指导教师:下发日期: 2014 MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研 摘要 …
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. The purpose of this Transactions is to publish papers of interest to individua
中国计算机学会推荐国际学术期刊 (计算机系统与高性能计算）一、A类序号 刊物简称 刊物全称 出版社 网址 1 TOCS ACM Transactions on Computer Systems ACM
TCAD是集成电路与系统计算机辅助设计领域国际公认的最顶尖学术期刊，也是中国计算机学会（CCF）认定的A类期刊，对原创性以及算法方法等方面都有极高的要求，收录了所在领域的顶级研究成果。这也是我校软件工程学科在TCAD上发表的首篇论文。
ISE TCAD中如何建立新材料的PPT。 频道 豆丁首页 社区 企业工具 创业 微案例 会议 热门频道 工作总结 作文 股票 医疗 文档分类 论文 生活休闲 外语 心理学 全部 建筑频道 建筑文本 施组 方案 交底 用户中心 充值 VIP 消息 设置 客户端 书房 阅读 会议 ...
纳米级MOSFETs的3D TCAD建模与结构研究. 甘程. 【摘要】： 随着传统的CMOS结构的特征尺寸不断缩小,深亚微米甚至纳米量级已经达到尺寸缩小的极限,导致CMOS器件的性能面临短沟道效应以及工艺限制等的问题。. 为了保持摩尔定律预计的发展速度,以双栅MOSFETs和FinFETs为 ...
IEEE-TCAD期刊始于1982年，是中国计算机学会 (CCF)推荐的A类国际顶级期刊，该论文是我校本科生首次以第一作者在CCF A类顶级期刊上发表论文。. 物理不可克隆函数安全芯片技术（Physical Unclonable Function，PUF）是一种新的安全芯片底层技术，可以从信任源头解决密钥 ...
TCAD原理与实践教学 (125:46) 简介： Introduction to TCAD Device Theory Put into Practice. 利用真实3D TCAD结构进行精确的RC提取 (50:17) 简介： Accurate Parasitic RC Extraction using Realistic …
1. TCAD简介1.1. 什么是TCAD随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件仿真软件TCAD（Technology Computer Aided Design）的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上…
会议IEEE International Solid-State Circuits Conference，简称：ISSCC，国际固态电路会议 IEEE International Electron Devices Meeting，简称：IEDM，国际电子器件会议 IEEE Symposia on VLSI Technology and …
毕业论文 Silvaco TCAD基CMOS器件仿真. 本科毕业论文 (设计)题目：Silvaco TCAD基CMOS 器件仿真 学院：物理科学学院 专业： 姓名： 指导教师： 2014 青岛大学毕业论文 (设计)任务书 学生姓名:同组学生: 指导教师:下发日期: 2014 MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研 摘要 …
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. The purpose of this Transactions is to publish papers of interest to individua
中国计算机学会推荐国际学术期刊 (计算机系统与高性能计算）一、A类序号 刊物简称 刊物全称 出版社 网址 1 TOCS ACM Transactions on Computer Systems ACM
TCAD是集成电路与系统计算机辅助设计领域国际公认的最顶尖学术期刊，也是中国计算机学会（CCF）认定的A类期刊，对原创性以及算法方法等方面都有极高的要求，收录了所在领域的顶级研究成果。这也是我校软件工程学科在TCAD上发表的首篇论文。
ISE TCAD中如何建立新材料的PPT。 频道 豆丁首页 社区 企业工具 创业 微案例 会议 热门频道 工作总结 作文 股票 医疗 文档分类 论文 生活休闲 外语 心理学 全部 建筑频道 建筑文本 施组 方案 交底 用户中心 充值 VIP 消息 设置 客户端 书房 阅读 会议 ...
纳米级MOSFETs的3D TCAD建模与结构研究. 甘程. 【摘要】： 随着传统的CMOS结构的特征尺寸不断缩小,深亚微米甚至纳米量级已经达到尺寸缩小的极限,导致CMOS器件的性能面临短沟道效应以及工艺限制等的问题。. 为了保持摩尔定律预计的发展速度,以双栅MOSFETs和FinFETs为 ...
IEEE-TCAD期刊始于1982年，是中国计算机学会 (CCF)推荐的A类国际顶级期刊，该论文是我校本科生首次以第一作者在CCF A类顶级期刊上发表论文。. 物理不可克隆函数安全芯片技术（Physical Unclonable Function，PUF）是一种新的安全芯片底层技术，可以从信任源头解决密钥 ...
TCAD原理与实践教学 (125:46) 简介： Introduction to TCAD Device Theory Put into Practice. 利用真实3D TCAD结构进行精确的RC提取 (50:17) 简介： Accurate Parasitic RC Extraction using Realistic …
1. TCAD简介1.1. 什么是TCAD随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件仿真软件TCAD（Technology Computer Aided Design）的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上…
发表服务